射频溅射论文
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日本实现等离子电子温度1亿度
一、日本实现一亿度的等离子体电子温度(论文文献综述)张毅[1](2021)在《磁约束等离子体边缘区磁流体模式的相动力学研究》文中指出高约束模式(HighConfinementM... -
电子元件与成膜技术
一、电子元件与成膜技术(论文文献综述)刘璇宇[1](2020)在《浸渍提拉法制备高结晶度有机半导体薄膜及其有机场效应晶体管研究》文中研究指明近年来,为了制备大面积连续的高质量有...