一、电子元件与成膜技术（论文文献综述）
刘璇宇[1]（2020）在《浸渍提拉法制备高结晶度有机半导体薄膜及其有机场效应晶体管研究》文中研究指明近年来,为了制备大面积连续的高质量有机半导体晶态薄膜,人们研究开发了多种溶液加工方法。其中浸渍提拉技术是最早商业化的薄膜制备技术。浸渍提拉技术对衬底的材料种类和形状包容度高,设备简单,可快速大面积制备,因而广泛应用于太阳能、电子、汽车、机械等工业。尽管近年来有大量的研究集中于利用浸渍提拉法制备有机半导体薄膜,但该方法目前仍存在一些挑战。例如,无法得到大面积全覆盖的有机半导体薄膜,得到的薄膜厚度较厚等问题,制约了浸渍提拉法在有机电子领域的发展。针对以上挑战,本论文的主要研究内容如下:（1）首次提出利用弯月面角衡量浸渍提拉过程中溶液/衬底动态相互作用强弱的设想,实验证实了弯月面角的关键角色,通过控制弯月面角成功制备了大面积连续的晶态有机半导体薄膜。见于报道的浸渍提拉法只关注单一静态因素（如衬底种类,溶剂,浓度等）或这些静态因素的组合对渍提拉结果的影响,忽略了溶液/衬底动态相互作用,因而提拉得到的沉积物为条带状或树枝状晶体,覆盖度低,不利于器件制备。本工作首次提出利用弯月面角衡量浸渍提拉过程中溶液/衬底动态相互作用的强弱的设想,通过衬底修饰、溶剂种类、浓度、提拉速度等条件,调控弯月面角的大小,在合适的弯月面角下成功制备了多种有机半导体的大面积连续晶态薄膜。基于连续薄膜构筑的有机场效应晶体管的平均迁移率比条带阵列器件高出82%。该工作揭示了浸渍提拉过程中溶液/衬底动态相互作用的关键角色,给出了量化指标,为通过浸渍提拉法制备大面积连续的晶态有机半导体薄膜提供了理论和技术支撑。（2）利用水基双相浸渍提拉法成功制备了数个分子层厚的大面积连续有机半导体单晶薄膜,并研究了超薄薄膜的电荷传输性能。传统的单相浸渍提拉得到的有机半导体薄膜较厚（数十纳米）,厚膜注入电阻大,不利于有机场效应晶体管等器件的构筑。本工作提出利用双相提拉法制备超薄有机半导体晶态薄膜的设想。利用水作为基底相,有机半导体溶液铺在水相上面作为第二相。系统研究了双相提拉过程中静置时间、溶剂种类、溶液浓度、提拉速度等多种因素对提拉过程中薄膜形貌、结构及厚度的影响,成功制备了数个分子层厚的大面积连续有机半导体单晶薄膜,研究了超薄薄膜的电荷传输性能,获得了性能优异的有机场效应晶体管。水基双相浸渍提拉法提供了一种简单高效的制备大面积连续有机半导体超薄单晶薄膜的新方法。
黄昌蓉,唐浩,宋子峰,安可荣[2]（2018）在《MLCC在5G领域的应用及发展趋势》文中指出为满足日益增长的海量数据传输的需求,具有超高传输效率的第五代移动通讯技术（5G）在未来几年将全面实现商业化,作为新一代移动通讯技术,其高频谱效率和高带宽体验将带来更多的创新应用。通讯技术的发展将促使各类电子产品的增长和升级换代,多层陶瓷电容器（MLCC）作为三大基础电子元器件之一,将迎来新的增长机遇。为满足5G市场应用的需求,高性能MLCC将逐渐向高频、低功耗、小型化、高容量方向发展。本文介绍了运用于5G通讯和终端产品中的M LCC种类,及其所需满足的性能;主要分析了材料、产品设计和工艺技术方面对M LCC性能的影响,及国内高性能M LCC制造所面临的挑战。
黄昌蓉,唐浩,宋子峰,安可荣[3]（2017）在《MLCC在5G领域的应用及发展趋势》文中提出为满足人们对日益增长的海量数据传输的需求,具有超高传输效率的第五代移动通讯技术（5G）在未来几年将全面实现商业化,作为新一代移动通讯技术,其高频谱效率和高带宽体验将带来更多的创新应用。通讯技术的发展将促使各类电子产品的增长和升级换代,多层陶瓷电容器（MLCC）作为三大基础电子元器件之一,将迎来新的增长机遇。为满足5G市场应用的需求,高性能MLCC将逐渐向高频、低功耗、小型化、高容量方向发展。本文介绍了运用于5G通讯和终端产品中的MLCC种类,及其所需满足的性能;主要分析了材料、产品设计和工艺技术方面对MLCC性能的影响,及国内高性能MLCC制造所面临的挑战。
王文宝,秦力,董连军,陈宇峰,谭惠忠[4]（2016）在《固体铝电容专用阳极铝箔的研究现状与发展方向》文中认为介绍了固体铝电容专用阳极铝箔的主要性能特征、发展及现状;探讨了阳极铝箔微观腐蚀孔结构对固体铝电容性能的影响,阳极铝箔不同介质氧化膜的性能和未来固体铝电容专用阳极铝箔的发展方向。
王昊,郝建军,安成强,林雪[5]（2013）在《电镀技术在电子产品中的应用》文中研究指明电镀作为一种加工工艺技术,在机械、轻工及电子等诸多工业领域都有广泛的应用。电镀除赋予产品装饰和防护功能外,各种功能镀层在电子工业中的作用显得特别重要。主要是在电感、电容、电阻元件、半导体元件、印制线路板及集成电路等方面。
贾昧超[6]（2012）在《基于CuPc/C60有机异质结薄膜晶体管的研究》文中提出用有机材料制备的有机半导体器件具有成本低、可与柔性基底集成、能够大面积制备,材料来源广泛等优点,因其可广泛应用于有机薄膜晶体管,有机太阳能电池,有机发光二极管等有机电子器件上,固其有着非常广阔的应用前景。开展了对基于有机异质结C60-CuPc薄膜晶体管的制备和研究。本论文主要研究有机薄膜的蒸镀方法,以此来制备薄膜有序性较高的有机薄膜晶体管。然后通过对实验的优化,使器件表现出良好的性能。我们成功的制备出了器件性能较好的CuPc/C60有机异质结薄膜晶体管。并且通过测试,对不同薄膜之间的差异做出了分析。找出了在衬底温度为423K,结构为：基底/Al/SiNx/CuPc（20nm）/C60（40nm）/Al,制备出的器件性能比最佳。
雷声[7]（2011）在《基于声表面波及微纳技术的高性能湿敏传感器研究》文中研究说明湿度在工业控制、医疗卫生、环境监控等多个领域都必须得到严格地监控。湿度检测在仓储、粮食及食品防霉、温室种植、环境监测、仪表电器、交通运输、气象、军事等方面都起着越来越重要的作用,甚至处于不可或缺的地位。但在常规的环境参数中,湿度却是最难准确测量的一个参数。因而对具有高灵敏度、快速响应速度等高性能的新型湿敏传感器的研究具有重要意义。声表面波器件由于其对表面扰动的特殊敏感性,被广泛应用于传感器领域。其灵敏度高、稳定性好、体积小、成本低、易于集成的优点使之得到越来越多的关注和研究。声表面波传感器对表面扰动的响应是多种因素、多种机理共同作用的结果,这也是声表面波传感器能够具有极高灵敏度的根本原因。对声表面波传感器扰动理论模型及其质量负载效应、声电耦合效应等响应机理进行了深入剖析,从根本上为声表面波传感器的结构设计、湿敏材料选择提供理论依据和参考。使用精密光刻工艺制备高频声表面波单端谐振器作为湿敏传感器的基本换能元件。湿敏材料的选择及制备是决定声表面波湿敏传感器性能的重要因素。只有湿敏材料的特性与声表面波换能元件的多重响应机理相匹配,才能使传感器达到最佳性能。包括水分子吸附效率、吸湿后电导率变化、粘弹性在内的多项材料特性都必须进行综合考虑与设计。新型纳米材料、复合材料是目前湿敏材料的主要发展方向和研究热点。深入讨论了声表面波湿敏传感器中湿敏材料的选择与设计思路,给出Nafion/MWCNTs复合材料、氧化石墨烯等几种新型纳米功能材料的合成及制备方法。湿敏材料的成膜方法是关系到湿敏传感器最终性能的又一关键技术。高频声表面波元件可成膜面积小,并且对表面敏感膜的厚度、均匀性都有很高要求。纳米纤维薄膜由于具有更大的比表面积,可以极大地改善传感器的灵敏度及动态性能。静电纺丝技术是一种新兴的纳米纤维薄膜制备方法,其制备的纳米纤维薄膜具有比表面积大、孔隙率高、纤维径细、质轻、形貌均匀等突出优点,并且较之其他微纳成膜方法,该方法更为简便易行。将静电纺丝成膜技术引入到声表面波湿敏传感器制备过程中,制备具有微纳结构特性的Nafion/MWCNTs复合纳米纤维感湿薄膜。声表面波传感器工作在射频频段,很容易受到环境或自身所产生的电磁辐射的干扰,因而对检测电路的设计有更严格的要求,这也是声表面波传感器的设计难点之一。设计了高性能的声表面波高频振荡电路及整套的检测系统,具有良好的稳定性和抗干扰性能。通过射频无线唤醒技术实现无线半无源声表面湿敏传感器标签设计。提出新型的叉指电极串联式声表面波传感器结构,为高频声表面波传感器的设计提供了一个新的思路。实验主要对灵敏度、稳定性、重复性、响应时间、温度系数等几个湿敏传感器的重要指标进行测试。实验结果表明设计的几种湿敏材料在声表面波湿敏传感器的应用中均取得了理想的效果,其性能较之前的研究及目前的商品化元件都有较大地提升。同时,也验证了静电纺丝成膜技术对传感器性能的影响,证实了其在提升传感器灵敏度及动态性能上的有效性。串联结构的新型声表面波传感器在湿度检测中的有效性也得到检验,确认了这一新方法的可行性。低湿度（<10%RH）及露点检测一直是湿度检测的难点,常规的电阻或电容型传感器都难以对10%RH或更小的湿度进行精确检测。开发低成本、小体积、使用灵活的低湿或露点传感器具有重要的研究价值和现实意义。将本文设计的传感器用于低湿和露点的检测中,实验结果表明其在低湿及露点检测中也具有良好的应用前景。
宋淑梅[8]（2010）在《多层结构透明导电氧化物薄膜的制备及特性研究》文中认为透明导电氧化物薄膜（TCO）因为其具有接近金属的导电性、像玻璃一样高的透明性及对红外线的高反射率等特性,在平板显示器和建筑物玻璃等领域得到了广泛应用。综合各种透明导电薄膜的光电性能来看,铟锡氧化物（ITO）是目前综合光电性能最优异、应用最为广泛的。由于金属铟属于稀缺资源,导致ITO薄膜的制备成本较高,因此节约铟用量是一项重要的课题。ZnO具有原料丰富和成本低等优点,近年来,掺杂ZnO薄膜被广泛研究,但是目前为止其电学特性依然不及ITO。此外,随着平板显示器向更大面积和更快显示速度等方向的发展,对TCO薄膜的要求也相应提高,要求TCO薄膜在保持足够的可见光透过率的情况下尽可能地降低方块电阻。降低透明导电薄膜的电阻率是另一项重要课题。为此,本论文主要开展了以下几个方面的研究：（1）用射频（RF）磁控溅射法和离子束溅射法分别制备掺镓氧化锌（GZO）层和Ag层,制备了GZO／Ag/ZO多层结构的透明导电薄膜。（2）用射频磁控溅射法制备了具有缓冲层的ITO和掺铝氧化锌（AZO）薄膜。（3）用射频磁控溅射法制备了掺钇氧化锌（YZO）薄膜。第三章中,采用射频磁控溅射技术制备GZO层,离子束溅射技术制备Ag层,在玻璃衬底上成功制备出了具有优异光电性能的GZO／Ag/GZO三明治结构的透明导电薄膜。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）等分析手段对薄膜的结构和表面形貌进行了表征,利用四探针测试仪和分光光度计分别对薄膜的电学和光学特性进行了测量,总结了大量的数据。详细研究了Ag层厚度,上层GZO厚度、下层GZO厚度以及真空退火温度对薄膜结构、光学和电学特性的影响。具体的研究内容和主要结果如下：1.X射线衍射显示溅射制备出的GZO／Ag/GZO薄膜是多晶薄膜,GZO层具有ZnO的纤锌矿结构,择优取向为（002）；Ag层是立方结构,具有（111）取向。2.Ag层厚度对GZO／Ag/GZO光电特性的影响很大,我们制备了具有相同GZO厚度,不同Ag厚度的六个样品。上下两层GZO层厚度均为40 nm,Ag层厚度分别为：6、7、8、9、10、12 nm。随着Ag层厚度的增加,Ag的（111）衍射峰的强度增强,半高宽减小,晶粒变大,说明了Ag层结晶状况变好。当Ag层厚度从6 nm增加到10 nm时,薄膜的电阻率从2.4×10-4Ωcm下降到9.0×10-5Ωcm,多层膜的透过率增加。当Ag层厚度继续增加时,电阻率稍有增加,透过率开始降低。当Ag层厚度为10 nm时,方块电阻为10Ω／□,平均透过率达到了89.7%,品质因子达到最大值3.4×10-2 Q-1。这说明Ag层为10 nnm时,多层薄膜的光电特性最好,因此,Ag层的最佳厚度为10 nm。3.为了研究上层GZO厚度对多层膜特性的影响,下层GZO的厚度均固定为40 nm,而Ag层厚度则为10 nm。随着上层GZO厚度从20 nm增加到60 nm,（002）峰的强度缓慢增加,FWHM持续减小,与此同时ZnO晶粒大小持续增加。而Ag（111）峰的强度、FWHM和晶粒大小几乎不变,这表明GZO层的结晶质量有所提高,而Ag层的结晶质量与上层GZO的厚度无关。当上层GZO层厚度从20 nm增加到30 nm时,薄膜的透过率从85.4%增加到90.7%。当上层GZO层厚度从30 nm增加到60 nm时,薄膜的透过率又从90.7%一直降低到75.2%。随着上层GZO的厚度从20 nm增加到60 nm,薄膜的电阻率单调地从4.9×10-5Ωcm增加到1.3×104Ωnm。当上层GZO厚度为30 nm时,薄膜的品质因子最大,达到了5.3×10-2Ω-1。因此,薄膜的最佳上层厚度为30 nm。4.上层GZO厚度为30 nm,Ag层厚度则为10 nm时,研究下层GZO的厚度对多层膜特性的影响。随着下层GZO厚度的增加,Ag（111）峰的FWHM逐渐减小,Ag的晶粒大小逐渐增大,这表明随着下层GZO厚度的增加,Ag层的结晶质量提高了。随着下层GZO厚度的增加,薄膜的透过率呈现出先增加后减小的变化情况,电阻率则单调地增加；当GZO／Ag/GZO多层膜厚度为40／10／30 nm时,薄膜的品质因子最大,达到了5.3×10-2Ω-1,此时薄膜的电阻率为5.6×10-5Ωcm,透过率为90.7%。5.退火对薄膜的结构、光学和电学特性有影响。研究了具有最佳厚度40／10／30nm的GZO／Ag/GZO多层膜在真空中不同温度下进行退火后薄膜特性的变化。随着退火温度的升高,Ag（111）峰的强度明显增强,而ZnO（002）峰的强度增加缓慢,这表明,GZO层和Ag层的的结晶质量同时提高了。随着退火温度从200℃升高到350℃,ZnO（002）峰的强度低于Ag（111）峰的强度,并且Ag层FWHM单调减小,Ag晶粒大小持续增加,这说明Ag层的结晶质量明显地提高了。在100℃到350℃退火范围内,随着退火温度的升高,平均透过率逐渐增大,这是由于随着退火温度的升高,薄膜的结晶质量提高,从而导致其透过率得到提高。随着退火温度的升高,薄膜的电阻率逐渐降低,当退火温度为350℃C时,薄膜获得了最低的电阻率3.2×10-5Ωcm。第四章中,采用射频磁控溅射技术,在玻璃衬底上成功制备出了具有TiO2异质缓冲层和ITO同质缓冲层的ITO薄膜,以及具有AZO同质缓冲层的AZO薄膜,利用XRD和原子力显微镜（AFM）等分析手段对薄膜的结构和表面形貌进行了表征,利用霍耳测试仪和分光光度计分别对薄膜的电学和光学特性进行了测量,分析了缓冲层厚度对ITO和AZO薄膜光电特性的影响。具体研究内容和主要结果如下：1.X射线衍射显示溅射制备出的TiO2／ITO薄膜是多晶薄膜。所有样品ITO的厚度均为180 nm。没有TiO2缓冲层的薄膜具有（211）和（440）两个主要的衍射峰。随着TiO2缓冲层的加入,薄膜出现了包括（211）、（222）、（400）、（431）、（440）和（622）等多个衍射峰。当TiO2缓冲层厚度为2 nm时,薄膜的（211）和（440）两个衍射峰的晶粒大小最大。薄膜的粗糙度明显大于单层ITO薄膜。随着缓冲层厚度的增加,薄膜的粗糙度先减小,而后基本保持不变。当Ti02缓冲层厚度为2 nm时,薄膜的电阻率达到最小值3.4×10-4Ωcm,电阻率的降低是由于霍尔迁移率和载流子浓度的同时增加。与相同厚度单层ITO薄膜相比,具有2nm TiO2缓冲层的薄膜其电阻率明显下降了41%,透过率明显高于单层ITO薄膜,达到93.1%,从而达到了节约ITO薄膜的目标。2.X射线衍射显示溅射制备出的ITO／ITO薄膜是多晶薄膜。所有样品的总厚度均为250 nm。具有缓冲层的薄膜其粗糙度要稍高于单层薄膜的粗糙度。当缓冲层厚度从0 nm增加到16 nm时,薄膜的电阻率从3.8×10-4降低到2.7×10-4Ωcm。当缓冲层厚度继续增加到32 nm时,电阻率又增加到4.2×10-4Ωcm。与相同厚度的单层ITO薄膜相比,具有16 nm同质缓冲层的薄膜电阻率明显下降了30%。缓冲层的引入对薄膜的透过率影响不大。3.AZO／AZO双层薄膜的总厚度为400 nm。X射线衍射表明所有样品均为多晶薄膜,且有（002）和（103）两个衍射峰出现,其中（002）峰的强度要比（103）峰高很多,表明了AZO具有ZnO的纤锌矿结构,择优取向为（002）。随着缓冲层厚度从0 nm增加到66 nm,（002）峰的衍射角由34.20°移动到34.28°,晶粒大小由26.1 nm逐渐增加到47.1 nm,对应的应力则由3.03减小到1.88°在缓冲层厚度为66 nm时,晶粒达到最大,说明此时薄膜的结晶质量最好。但随着缓冲层厚度的进一步增加,晶粒大小逐渐减小,（002）峰的衍射角减小,对应的应力逐渐增大。与单层AZO薄膜相比,具有66 nm同质缓冲层的薄膜电阻率明显下降了59%。所有薄膜的平均透过率均在90.0%以上。第五章中,以ZnO：Y2O3为靶材（Y2O3的掺杂量为3 wt%）,采用射频磁控溅射技术,在玻璃衬底上成功制备出了YZO薄膜,利用XRD和SEM等分析手段对薄膜的结构和表面形貌进行了表征,利用霍耳测试仪和分光光度计分别对薄膜的电学和光学特性进行了测量。具体研究内容和主要结果如下：溅射功率固定为100 W,当溅射气压从0.6 Pa增加到2 Pa时,薄膜的电阻率从1.3×10-3Ωcm降低到8.9×10-4Ωcm,当溅射气压从2 Pa增加到3 Pa时,薄膜的电阻率稍有增加。溅射气压固定为2 Pa,当溅射功率从40 W增加到50 W时,薄膜的电阻率从1.0×10-3Ωcm降低到8.7×104Ωcm。当电阻率从60 W继续增加到110 W时,电阻率变化不大,基本上在9.0×104Ωcm左右。可以得到YZO薄膜的最佳的制备条件是：溅射气压为2 Pa,溅射功率为50 W,在最佳条件下制备了样品。X射线衍射显示YZO薄膜是多晶薄膜,具有ZnO的六角纤锌矿结构,并且有垂直于衬底的c轴择优取向。SEM图像表明YZO薄膜的表面形貌是多孔结构且表面较为粗糙,其中最大孔洞的直径超过了100 nm。在可见光范围内薄膜的平均透过率为92.3%,禁带宽度约为3.57 eV。总之,我们采用在两层TCO薄膜之间加入金属层的方法成功制备了电阻率低至10-5Ωcm量级的GZO／Ag/GZO多层透明导电薄膜；采用在玻璃衬底和TCO薄膜之间加入缓冲层的方法成功降低了ITO和AZO薄膜的电阻率,达到了节约ITO的目标；在玻璃衬底上成功制备了新型透明导电氧化物薄膜YZO。
董海荣[9]（2009）在《基于喷墨印刷的OTFT制造工艺研究—墨滴铺展分析与模拟》文中研究表明喷墨印刷是一种精确定量沉积技术,能将各种材料材料沉积在承印物上成膜,在制造业中有广泛的应用前景。传统喷墨印刷打印关注的是视觉效果,而在OTFT方面,我们更多是关注喷墨打印的稳定性、对准精度、细微结构的再现能力、打印墨层表面形态等。OTFT是通过一层一层不同材料的薄膜组合而成,其功能的实现是建立膜层质量的基础上,通过在电极膜层上加上工作电压,控制载流子在半导体层和绝缘层处聚集并传输。均匀一致的膜层、符合要求的膜层厚度和膜层间的良好接触是获得高性能器件的前提。本文探讨了喷墨打印系统各因素对成膜质量的影响,并分析了液滴成膜因素,通过理论分析给出了墨滴铺展半径、膜层厚度和宽度的计算公式,利用Fluent软件模拟了液滴的铺展过程,分析了相关因素的影响。喷墨打印系统包括墨水、打印控制软件、承印物、走纸方式等。其中墨水的打印适性非常重要,包括表面张力、粘度、接触角、颗粒大小等。合适的墨水才能保证喷墨打印的顺利,这是喷墨应用的关键与前提。另外,打印精度与墨滴大小跟打印线条的宽度有关,喷头控制系统与墨滴的打印位置有关,走纸方式与叠印的精度有关,打印控制软件与打印效果有关等。研究表明,墨滴干燥后的形态主要受溶剂挥发速率和接触线固定影响。但是,影响墨滴干燥成膜的直接因素包括溶剂类型、干燥温度、墨滴粘度、基底温度及基底等。本文中通过几个简单的小实验,看出了相关因素对膜层地影响。要想获得点状墨滴或均匀墨层,我们可以使用混合溶剂、基底加温、基底改性等方法。本文中,通过理论分析并得到了液滴铺展半径、膜层厚度和宽度的计算公式。公式表明,液滴铺展半径只与液滴初始半径、接触角有关。而膜层厚度和宽度除了受初始半径和接触角影响外,还受打印精度、浓度的影响。液滴在基底上铺展受液滴粘度、液滴大小、撞击速度、液体性质及基底表面状况等因素的影响。本文中,通过Fluent软件模拟了不同条件下液滴撞击基底的过程,给出了不同情况下液滴表面的变化过程,通过对比分析不同因素对液滴铺展的影响。同时我还给出了液滴铺展过程中各阶段的动压力图、速度图及不同时刻混合相的速度列表,分析液滴在不同时刻的流动趋势。这些均为控制液滴的成型干燥奠定了的一定基础。
王小群,徐俊[10]（2007）在《微型热电制冷器制造技术及其性能》文中进行了进一步梳理介绍了微型热电制冷器的分类以及结构和性能特点,重点阐述了Cross-Plane和In-Plane两类微型热电制冷器的制作工艺及其研究现状。微型热电制冷器的制作工艺复杂,加工难度大,实际制冷性能与理论值还有一定差距。研制高优值系数的热电材料和对结构进行优化设计是提高微型热电制冷器制冷性能的根本途径。
二、电子元件与成膜技术（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、电子元件与成膜技术（论文提纲范文）
（1）浸渍提拉法制备高结晶度有机半导体薄膜及其有机场效应晶体管研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 浸渍提拉法简介 |
| 1.2 浸渍提拉法的成膜过程 |
| 1.2.1 间歇式浸渍提拉过程 |
| 1.2.2 连续式浸渍提拉过程 |
| 1.3 浸渍提拉法的影响因素 |
| 1.4 浸渍提拉法的类型 |
| 1.4.1 单相提拉 |
| 1.4.2 双相提拉 |
| 1.4.3 斜向提拉 |
| 1.4.4 图案化提拉 |
| 1.5 浸渍提拉法在有机电子学中的应用 |
| 1.5.1 有机场效应晶体管 |
| 1.5.2 半导体忆阻器 |
| 1.5.3 有机光电晶体管 |
| 1.6 有机场效应晶体管简介 |
| 1.6.1 有机场效应晶体管的基本结构及工作原理 |
| 1.6.2 有机场效应晶体管的特性曲线及基本参数 |
| 1.7 本论文选题的依据和意义 |
| 第2章 实验方法与技术 |
| 2.1 试剂与仪器 |
| 2.1.1 试剂 |
| 2.1.2 仪器 |
| 2.2 薄膜的形貌及结构表征 |
| 2.2.1 偏光显微镜 |
| 2.2.2 原子力显微镜 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 |
| 2.2.4 面内及面外X射线衍射 |
| 2.3 有机场效应晶体管的制备与性能表征 |
| 2.3.1 衬底处理 |
| 2.3.2 电极制备 |
| 2.3.3 电荷传输性能表征 |
| 第3章 大面积连续薄膜的制备:弯月面角在浸渍提拉法中的关键作用 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 浸渍提拉设备简介 |
| 3.3 衬底表面处理 |
| 3.4 影响有机半导体小分子薄膜形貌因素的探究 |
| 3.4.1 提拉速度 |
| 3.4.2 溶液浓度 |
| 3.4.3 溶剂种类 |
| 3.4.4 弯月面角 |
| 3.5 不同有机半导体小分子的薄膜形貌 |
| 3.6 曲面衬底上浸渍提拉探究 |
| 3.7 浸渍提拉法原理分析 |
| 3.7.1 影响浸渍提拉的因素 |
| 3.7.2 低速提拉 |
| 3.7.3 高速提拉 |
| 3.8 有机半导体薄膜形貌的表征 |
| 3.8.1 二氯甲烷溶液提拉成膜形貌的表征 |
| 3.8.2 甲苯溶液提拉成膜形貌的表征 |
| 3.9 薄膜的电荷传输性能 |
| 3.10 本章小结 |
| 第4章 超薄连续薄膜的制备:水基双相浸渍提拉法 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 双相浸渍提拉法基底相的制备 |
| 4.3 影响有机半导体小分子薄膜形貌因素的研究 |
| 4.3.1 衬底种类 |
| 4.3.2 提拉速度 |
| 4.3.3 第二相溶剂种类 |
| 4.3.4 第二相溶液静置时间 |
| 4.4 双相提拉和单相提拉对比 |
| 4.5 双相浸渍提拉法原理探索 |
| 4.6 超薄薄膜形貌的表征 |
| 4.7 超薄薄膜的电荷传输性能 |
| 4.8 本章小结 |
| 第5章 总结和展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（2）MLCC在5G领域的应用及发展趋势（论文提纲范文）
| 1 高频低功耗应对———微波高Q MLCC |
| 1.1 MLCC材料方面 |
| 1.2 产品设计方面 |
| 1.3 产品制造工艺方面 |
| 2 小型化应对———01005型MLCC |
| 3 电源滤波应对———中压高容MLCC |
| 4 结语 |
（5）电镀技术在电子产品中的应用（论文提纲范文）
| 引 言 |
| 1 电镀技术在电子器件上的应用 |
| 1.1 电子元件制造 |
| 1.2 半导体元件制造 |
| 1.3 印制线路板制造 |
| 1.4 集成电路制造 |
| 1.5 外壳电磁屏蔽 |
| 1.6 铝合金记忆磁碟 |
| 1.7 电子接插件制造 |
| 1.8 三维模塑互连器件 |
| 2 展 望 |
（6）基于CuPc/C60有机异质结薄膜晶体管的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 有机电子器件简述 |
| 1.2 有机薄膜晶体管的发展 |
| 1.3 有机薄膜晶体管的研究意义及应用 |
| 1.4 论文研究的内容 |
| 第二章 有机薄膜晶体管的制作 |
| 2.1 有机薄膜晶体管的工作原理 |
| 2.2 有机薄膜晶体管的器件构造 |
| 2.3 有机薄膜晶体管的制作工艺 |
| 2.4 基于有机异质结C_(60)-CuPc薄膜晶体管的制备 |
| 第三章 有机异质结C_(60)-CuPc薄膜晶体管的表征和测试 |
| 3.1 衬底温度对CuPc/C_(60)异质结器件性能的影响 |
| 3.2 C_(60)厚度对CuPc/C_(60)异质结器件性能的影响 |
| 3.3 CuPc厚度对CuPc/C_(60)异质结器件性能的影响 |
| 3.4 实验数据的分析 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（7）基于声表面波及微纳技术的高性能湿敏传感器研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 目次 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 湿度及湿敏传感器概述 |
| 1.1.1 湿度定义及其表示方法 |
| 1.1.2 湿度检测意义及重要性 |
| 1.1.3 湿敏传感器主要特性参数 |
| 1.2 湿敏传感器响应机理及分类 |
| 1.2.1 电阻型湿敏传感器 |
| 1.2.2 电容型湿敏传感器 |
| 1.2.3 光学型湿敏传感器 |
| 1.2.4 质量负载型湿敏传感器 |
| 1.2.5 声表面波湿敏传感器 |
| 1.3 声表面波传感器及其在湿度检测中的应用 |
| 1.3.1 声表面波传感器基本原理 |
| 1.3.2 声表面波器件基本结构及分类 |
| 1.3.3 声表面波湿敏传感器研究进展 |
| 1.3.4 声表面波湿敏传感器研究方向及发展趋势 |
| 1.4 论文主要工作内容及章节安排 |
| 2 声表面波传感器扰动模型分析及器件仿真设计 |
| 2.1 声表面波传感器扰动理论模型及响应机理剖析 |
| 2.1.1 声波传播扰动理论模型 |
| 2.1.2 声表面波传感器响应机理分析 |
| 2.1.3 声表面波湿敏传感器设计要素 |
| 2.2 声表面波单端谐振器建模与仿真 |
| 2.2.1 声表面波的激发与检测 |
| 2.2.2 SAWR器件COM模型求解 |
| 2.2.3 SAWR等效电路模型求解 |
| 2.3 声表面波单端谐振器设计与加工 |
| 2.3.1 压电基底材料选择 |
| 2.3.2 单端谐振器参数设计 |
| 2.3.3 器件加工制备 |
| 2.3.4 器件性能测试 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 新型微纳湿敏材料制备与合成技术研究 |
| 3.1 湿敏材料概述 |
| 3.1.1 湿敏材料分类与比较 |
| 3.1.2 湿敏材料研究现状及发展趋势 |
| 3.1.3 声表面波湿敏传感器湿敏材料设计要求 |
| 3.2 Nafion/MWCNTs复合湿敏材料制备 |
| 3.2.1 Nafion及MWCNTs湿敏特性分析 |
| 3.2.2 Nafion/MWCNTs复合湿敏材料制备及表征 |
| 3.3 氧化石墨烯湿敏材料制备 |
| 3.3.1 石墨烯材料特性及湿敏机理研究 |
| 3.3.2 氧化石墨烯湿敏材料制备及表征 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 基于静电纺丝的一维纳米功能材料成膜技术研究 |
| 4.1 纳米功能材料特性及制备方法 |
| 4.1.1 纳米功能材料特性及分类 |
| 4.1.2 纳米纤维薄膜制备技术 |
| 4.2 静电纺丝技术及其在传感器中的应用 |
| 4.2.1 静电纺丝基本原理 |
| 4.2.2 静电纺丝装置及操作过程 |
| 4.2.3 静电纺丝技术在传感器中的应用 |
| 4.3 静电纺丝影响因素分析 |
| 4.3.1 聚合物溶液参数 |
| 4.3.2 纺丝装置及过程参数 |
| 4.3.3 环境因素 |
| 4.4 纳米湿敏薄膜成膜实验与讨论 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 声表面波湿敏传感器性能实验与讨论 |
| 5.1 实验方法及实验系统设计 |
| 5.1.1 湿度控制方式 |
| 5.1.2 检测电路设计 |
| 5.1.3 检测仪器及测试方法 |
| 5.2 Nafion/MWCNT复合材料湿敏特性实验 |
| 5.2.1 串联式结构湿敏特性实验 |
| 5.2.2 声表面波元件湿敏特性实验 |
| 5.2.3 静电纺丝元件湿敏特性实验 |
| 5.3 氧化石墨烯声表面波元件湿敏特性实验 |
| 5.3.1 频谱及频率稳定性测试 |
| 5.3.2 灵敏度及线性度测试 |
| 5.3.3 重复性及长期稳定性测试 |
| 5.4 实验结果分析与讨论 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 高频声表面波湿敏传感器标签化检测系统设计 |
| 6.1 高频声表面波传感器有源检测电路设计 |
| 6.1.1 双路混频检测电路设计 |
| 6.1.2 中频信号放大电路设计 |
| 6.1.3 整形及分频电路设计 |
| 6.1.4 无线发射电路设计 |
| 6.2 无线无源SAW湿敏传感器标签设计 |
| 6.3 无线半无源SAW湿敏传感器标签设计 |
| 6.3.1 无线半无源传感器标签设计思想 |
| 6.3.2 射频唤醒技术研究 |
| 6.3.3 无线半无源声表面波湿敏标签设计 |
| 6.4 本章小结 |
| 7 声表面波湿敏传感器低湿及露点检测性能探究 |
| 7.1 低湿及露点检测方法概述 |
| 7.1.1 冷镜式露点仪 |
| 7.1.2 电解法微量水分仪 |
| 7.1.3 机械式湿度计 |
| 7.1.4 干湿球湿度计 |
| 7.2 声表面波湿敏传感器低湿检测实验 |
| 7.2.1 实验系统及流程设计 |
| 7.2.2 实验结果与讨论 |
| 7.3 声表面波湿敏传感器露点检测实验 |
| 7.4 本章小结 |
| 8 总结与展望 |
| 8.1 本文主要研究工作及创新点 |
| 8.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间主要科研成果 |
（8）多层结构透明导电氧化物薄膜的制备及特性研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号说明 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 概述 |
| 1.2 透明导电薄膜的基本特性 |
| 1.2.1 透明导电金属薄膜 |
| 1.2.2 透明导电氧化物薄膜 |
| 1.2.3 有机透明导电薄膜 |
| 1.3 透明导电氧化物薄膜的研究现状 |
| 1.3.1 SnO2薄膜及其掺杂体系 |
| 1.3.2 In2O3薄膜及其掺杂体系 |
| 1.3.3 ZnO薄膜及其掺杂体系 |
| 1.3.4 其他透明导电氧化物薄膜 |
| 1.4 透明导电氧化物薄膜的制备方法 |
| 1.4.1 真空蒸发镀膜 |
| 1.4.2 溅射镀膜 |
| 1.4.3 离子成膜技术 |
| 1.4.4 化学气相沉积 |
| 1.4.5 脉冲激光沉积 |
| 1.4.6 溶胶-凝胶法 |
| 1.4.7 喷涂热分解法 |
| 1.5 透明导电氧化物薄膜的应用 |
| 1.6 多层透明导电氧化物薄膜的研究现状 |
| 1.6.1 金属基三明治结构透明导电氧化物薄膜的研究现状 |
| 1.6.2 具有缓冲层的透明导电氧化物薄膜的研究现状 |
| 1.7 本论文的主要研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 薄膜制备及表征方法 |
| 2.1 制备方法及原理 |
| 2.1.1 磁控溅射 |
| 2.1.2 溅射原理 |
| 2.1.3 离子束溅射 |
| 2.1.4 MIS-560B型超高真空磁控溅射与离子束溅射复合镀膜设备 |
| 2.2 表征方法及原理 |
| 2.2.1 薄膜电学特性的测量 |
| 2.2.2 薄膜厚度的测量 |
| 2.2.3 薄膜光学特性的测量 |
| 2.2.4 薄膜相结构分析 |
| 2.2.5 薄膜形貌分析 |
| 2.3 小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 GZO/Ag/GZO多层透明导电薄膜的制备与特性研究 |
| 3.1 样品制备 |
| 3.2 TCO/M/TCO结构多层膜的光学特性理论 |
| 3.2.1 金属薄膜的光学特性 |
| 3.2.2 多层膜的光学特性 |
| 3.3 TCO/M/TCO结构多层膜的电学特性理论 |
| 3.4 各层厚度对GZO/Ag/ZO多层膜特性的影响 |
| 3.4.1 Ag层厚度对GZO/Ag/GZO多层膜特性的影响 |
| 3.4.2 上层GZO厚度对GZO/Ag/GZO多层膜特性的影响 |
| 3.4.3 下层GZO厚度对GZO/Ag/GZO多层膜特性的影响 |
| 3.5 真空退火对GZO/Ag/GZO多层膜特性的影响 |
| 3.5.1 真空退火对GZO/Ag/GZO多层膜结构特性的影响 |
| 3.5.2 真空退火对GZO/Ag/GZO多层膜光电特性的影响 |
| 3.6 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 具有缓冲层的ITO和AZO薄膜的制备与特性研究 |
| 4.1 TiO_2/ITO薄膜的特性研究 |
| 4.1.1 样品制备 |
| 4.1.2 ZiO_2厚度对TiO_2/ITO双层薄膜结构特性的影响 |
| 4.1.3 ZiO_2厚度对TiO_2/ITO双层薄膜电学特性的影响 |
| 4.1.4 ZiO_2厚度对TiO_2/ITO双层薄膜光学特性的影响 |
| 4.2 ITO/ITO薄膜的特性研究 |
| 4.2.1 样品制备 |
| 4.2.2 ITO缓冲层厚度对ITO/ITO双层薄膜结构特性的影响 |
| 4.2.3 ITO缓冲层厚度对ITO/ITO双层薄膜电学特性的影响 |
| 4.2.4 ITO缓冲层厚度对ITO/ITO双层薄膜光学特性的影响 |
| 4.3 AZO/AZO薄膜的特性研究 |
| 4.3.1 样品制备 |
| 4.3.2 AZO缓冲层厚度对AZO/AZO双层薄膜结构特性的影响 |
| 4.3.3 AZO缓冲层厚度对AZO/AZO双层薄膜电学特性的影响 |
| 4.3.4 AZO缓冲层厚度对AZO/AZO双层薄膜光学特性的影响 |
| 4.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 YZO透明导电薄膜的制备 |
| 5.1 YZO透明导电薄膜的制备与测试 |
| 5.1.1 YZO薄膜的制备 |
| 5.1.2 YZO薄膜的测试 |
| 5.2 YZO透明导电薄膜的特性研究 |
| 5.3 小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结 |
| 6.1 主要结果 |
| 6.2 主要创新点 |
| 附图、表目录 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 |
| 附录:发表英文论文 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（9）基于喷墨印刷的OTFT制造工艺研究—墨滴铺展分析与模拟（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 研究意义及发展现状 |
| 1.3 论文的主要内容 |
| 第二章 有机薄膜场效应晶体管 |
| 2.1 有机薄膜场效应晶体管（OTFT） |
| 2.1.1 有机薄膜场效应晶体管（OTFT）的发展历程 |
| 2.1.2 有机薄膜场效应晶体管（OTFT）的特点和优势 |
| 2.1.3 有机薄膜场效应晶体管（OTFT）的器件结构和材料 |
| 2.1.4 有机薄膜场效应晶体管的工作原理 |
| 2.1.5 存在问题与发展方向 |
| 2.2 OTFT 制备工艺要求 |
| 第三章 图案化成膜技术 |
| 3.1 喷墨印刷 |
| 3.1.1 喷墨印刷技术概述 |
| 3.1.2 喷墨印刷的原理及分类 |
| 3.1.3 喷墨印刷的特点及优势 |
| 3.2 其它图案化成膜技术 |
| 3.2.1 丝网印刷 |
| 3.2.2 微接触印刷 |
| 3.2.3 光刻技术 |
| 3.2.4 微胶束模型（MIMIC）技术 |
| 3.2.5 其它技术 |
| 3.3 几种成膜技术的比较 |
| 第四章 喷墨印刷成膜质量的影响因素 |
| 4.1 喷墨打印系统 |
| 4.1.1 墨水性能 |
| 4.1.2 打印分辨率与墨滴大小 |
| 4.1.3 喷头控制系统 |
| 4.1.4 其它影响因素 |
| 4.2 成膜分析 |
| 4.2.1 基底与成膜的关系 |
| 4.2.2 墨滴干燥过程分析 |
| 第五章 墨滴沉积与成膜理论分析 |
| 5.1 墨滴沉积 |
| 5.1.1 液滴沉积的影响因素 |
| 5.1.2 墨滴铺展半径的计算 |
| 5.1.3 墨滴铺展的其它因素 |
| 5.2 膜层宽度与厚度理论分析 |
| 5.2.1 膜层宽度与厚度分析计算 |
| 5.2.2 膜层计算公式的改进 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 液滴撞击基底的数值模拟 |
| 6.1 Fluent 及VOF 模型简介 |
| 6.1.1 Fluent 及Gambit 简介 |
| 6.1.2 VOF 模型 |
| 6.2 模拟准备 |
| 6.3 模拟比较 |
| 6.3.1 速度模拟 |
| 6.3.2 粘度模拟 |
| 6.3.3 液滴大小模拟 |
| 6.3.4 表面粗糙模拟 |
| 6.3.5 不同材料模拟 |
| 6.4 液滴形变过程中压力与速度分析 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 |
（10）微型热电制冷器制造技术及其性能（论文提纲范文）
| 1 微型热电制冷器的分类 |
| 2 微型热电制冷器的研究现状 |
| 2.1 Cross-Plane型微热电制冷器 |
| 2.2 In-Plane型微热电制冷器 |
| 3 结束语 |
四、电子元件与成膜技术（论文参考文献）
- [1]浸渍提拉法制备高结晶度有机半导体薄膜及其有机场效应晶体管研究[D]. 刘璇宇. 天津大学, 2020(02)
- [2]MLCC在5G领域的应用及发展趋势[J]. 黄昌蓉,唐浩,宋子峰,安可荣. 电子元件与材料, 2018(09)
- [3]MLCC在5G领域的应用及发展趋势[A]. 黄昌蓉,唐浩,宋子峰,安可荣. 中国电子元件行业协会MLCC专委会2017年年会论文集, 2017
- [4]固体铝电容专用阳极铝箔的研究现状与发展方向[J]. 王文宝,秦力,董连军,陈宇峰,谭惠忠. 电子元件与材料, 2016(07)
- [5]电镀技术在电子产品中的应用[J]. 王昊,郝建军,安成强,林雪. 电镀与精饰, 2013(06)
- [6]基于CuPc/C60有机异质结薄膜晶体管的研究[D]. 贾昧超. 长春理工大学, 2012(02)
- [7]基于声表面波及微纳技术的高性能湿敏传感器研究[D]. 雷声. 浙江大学, 2011(07)
- [8]多层结构透明导电氧化物薄膜的制备及特性研究[D]. 宋淑梅. 山东大学, 2010(09)
- [9]基于喷墨印刷的OTFT制造工艺研究—墨滴铺展分析与模拟[D]. 董海荣. 江南大学, 2009(06)
- [10]微型热电制冷器制造技术及其性能[J]. 王小群,徐俊. 制冷学报, 2007(06)