一、微波介质陶瓷的显微结构与性能（论文文献综述）
邓锐[1]（2021）在《(Mg0.95Mn0.05)2TiO4基微波介质陶瓷的制备及其改性研究》文中认为随着微波通信技术的不断发展,人们对微波元器件的市场需求越来越大,为了进一步研发器型小、质量高、制造成本低的微波元器件,研究低介电常数、高品质因素的微波介质陶瓷具有重要意义。Mg2TiO4微波介质陶瓷具有较低的介电常数和较高的品质因数（er=14,Q×f=150000 GHz）,原料来源丰富且生产成本较低,属于典型的高品质因素微波介质陶瓷,逐渐引起了研究学者的广泛关注。但是由于Mg2TiO4陶瓷介电常数偏低,所需烧结温度非常高(Tsint=1450℃),且其具有较大的负温度频率系数(τf=-50×10-6/℃),影响了陶瓷的实际应用。虽然Mg2TiO4陶瓷具有较好的介电性能,但是其综合微波介电性能还需进一步提高。本论文通过对(Mg0.95Mn0.05)2TiO4陶瓷进行两相复合、A/B位离子掺杂取代,系统地研究添加第二相、离子掺杂等对(Mg0.95Mn0.05)2TiO4基微波介质陶瓷的烧结性能、物相组成、微观结构及微波介电性能的影响。首先,为调节(Mg0.95Mn0.05)2TiO4陶瓷的谐振频率温度系数,采用具有正谐振频率温度系数的CaTiO3(τf=+768×10-6/℃)作为添加物与(Mg0.95Mn0.05)2TiO4进行复合。采用传统固相法烧结制备（1-x）(Mg0.95Mn0.05)2TiO4-x CaTiO3（MMTCT,x=0.00～0.14）基微波介质陶瓷,系统研究复合后陶瓷的体积密度、物相组成、晶体结构、显微结构及其微波介电性能的影响。研究结果显示:（1-x）(Mg0.95Mn0.05)2TiO4-x CaTiO3（x=0.08,0.10,0.12,0.14）陶瓷为三相共存结构,主晶相为(Mg0.95Mn0.05)2TiO4相,次晶相为CaTiO3相和MgTiO3相。随着CaTiO3的掺入量逐渐增多,陶瓷的体积密度、介电常数εr、谐振频率温度系数τf都呈现增大趋势,但是陶瓷的品质因数值随掺入量的增加而呈现下降趋势。当掺入量x=0.12时,MMTCT陶瓷在最佳烧结温度1375℃条件下保温4 h,得到优良的微波介电性能:εr=20.26,Q×f=35125.9 GHz,τf=+2.7×10-6/℃。其次,为了使陶瓷在保持较好的谐振频率温度系数的基础上,进一步提高陶瓷的介电性能,采用稀土La3+掺杂取代A位的离子,调节MMTCT陶瓷的介电性能,制备出具有尖晶石结构的0.88((Mg0.95Mn0.05)（1-3x/2）Lax)2TiO4-0.12CaTiO3陶瓷材料。采用传统固相法制备0.88((Mg0.95Mn0.05)（1-3x/2）Lax)2TiO4-0.12CaTiO3（MMTCT-x,x=0.00～0.08）微波介质陶瓷,系统研究La3+掺杂取代对MMTCT陶瓷的体积密度、物相组成、晶体结构、显微结构及其微波介电性能的影响。研究结果表明:La3+掺杂取代能促进陶瓷的烧结,陶瓷的体积密度和品质因数值随La3+的掺杂量的增多呈现增大的趋势,介电常数与谐振频率温度系数呈现减小趋势。当掺杂量x=0.05,MMTCT-x陶瓷在1375℃条件下保温4h可以得到最佳的微波介电性能:εr=19.88,Q×f=43500 GHz,τf=-6.2×10-6/℃。最后,为了降低陶瓷的烧结温度,同时使陶瓷保持较好的介电性能,采用传统固相法制备0.88(Mg0.95Mn0.05)2(Ti1-xCex)O4-0.12CaTiO3（0.88MMTCex-0.12CT,x=0.00～0.08）微波介质陶瓷,同时选用稀土Ce4+对MMTCT陶瓷进行B位的离子掺杂取代,系统研究不同Ce4+掺杂量对陶瓷的烧结性能、物相组成、微观结构及其微波介电性能的影响。研究结果显示:掺杂适量的Ce4+对陶瓷样品进行掺杂取代,能大幅度的降低陶瓷的烧结温度,同时陶瓷的体积密度和介电常数随Ce4+掺杂量的增多呈现增大趋势,但是陶瓷品质因数增大不明显,陶瓷的谐振频率温度系数先减小后增大。当掺杂量x=0.02时,0.88MMTCex-0.12CT陶瓷在1275℃烧结保温4 h,可以得到最佳的微波介电性能:εr=20.86,Q×f=37146.68 GHz,τf=+2.4×10-6/℃。
朱惠[2]（2021）在《离子取代对SrAl2Si2O8系微波介质陶瓷的结构和性能研究》文中研究说明本文采用固相法制备SrAl2Si2O8（SAS）系微波介质陶瓷。分别采用Sr2+位离子取代(Mn2+、Zn2+、Ni2+)和Al3+位离子取代(Co3+、Fe3+、Cr3+),研究不同离子掺杂对SAS陶瓷的烧结性能、物相和微波介电性能的影响。旨在寻找一种能显着提高SAS陶瓷微波介电性能的离子,并明确其制备工艺条件和配方比例,为下一步降低烧结温度和调整谐振频率温度系数奠定基础,通过一系列改性研究,该材料有望应用于低温共烧陶瓷（Low Temperature Co-fired Ceramics,LTCC）技术领域。本文研究的主要内容如下:（1）首先制备未掺杂离子的SAS微波介质陶瓷。结果表明,经预烧温度为1050℃、保温3 h,烧结温度为1475℃、保温5 h处理后,陶瓷试样的密度达到最大值ρ=3.0469g/cm3,为锶长石理论密度的98%,晶体结构致密。经XRD分析,陶瓷的物相为单斜锶长石相,无第二相生成。其微波介电性能为:εr=7.01,Q×f=37502 GHz,τf=-42.88×10-6/℃。（2）然后分别采用Mn2+、Zn2+、Ni2+取代Sr2+位离子,研究它们对SAS陶瓷的烧结性能、物相和微波介电性能的影响。结果表明:三种离子均能适当提高SAS陶瓷的致密性,理论密度≥98%,经XRD物相分析,Mn2+、Zn2+掺杂后,SAS陶瓷试样均生成单一的单斜锶长石,无第二相生成,而掺杂Ni2+后,陶瓷试样中生成了杂相Ni O2和Ni2Si O4。三种离子对SAS的微波介电性能有不同程度的改善。当烧结温度为1475℃时,(Sr0.995Mn0.005)Al2Si2O8陶瓷试样的微波介电性能为:εr=7.12、Q×f=45844 GHz、τf=-41.56×10-6/℃。当烧结温度为1550℃时,(Sr0.99Zn0.01)Al2Si2O8陶瓷的微波介电性能为:εr=7、Q×f=48252 GHz、τf=-36.35×10-6/℃。当烧结温度为1500℃时,(Sr0.995Ni0.005)Al2Si2O8陶瓷试样的微波介电性能为:εr=7.03、Q×f=45646 GHz、τf=-34.96×10-6/℃。综合比较下,(Sr0.99Zn0.01)Al2Si2O8陶瓷的微波介电性能较好。（3）最后分别采用Co3+、Fe3+、Cr3+取代Al3+位离子,研究它们对SAS陶瓷的烧结性能、物相以及微波介电性能的影响。结果表明:Co3+可促进SAS陶瓷密度增加并使烧结温度降低,经XRD物相分析,陶瓷物相为锶长石相,无第二相生成。Fe3+和Cr3+离子掺杂不仅使SAS陶瓷的致密度降低、烧结温度升高T≥1500℃,而且分别生成了杂相Fe2Si O4和SrAl2O4。三种离子对SAS微波介电性能均有不同程度的改善。当烧结温度为1425℃时,Sr(Al0.995Co0.005)2Si2O8陶瓷的微波介电性能为:εr=7.14、Q×f=49010 GHz、τf=-38.97×10-6/℃。当烧结温度为1475℃时,Sr(Al0.9975Fe0.0025)2Si2O8陶瓷的微波介电性能为:εr=6.98、Q×f=42636 GHz、τf=-20.20×10-6/℃。当烧结温度为1525℃时,Sr(Al0.9925Cr0.0075)2Si2O8陶瓷的微波介电性能为:εr=6.91、Q×f=37960 GHz、τf=-109.20×10-6/℃。综合比较下,Sr(Al0.995Co0.005)2Si2O8陶瓷的微波介电性能较好。综合考虑Sr2+位和Al3+位离子掺杂,Sr(Al0.995Co0.005)2Si2O8陶瓷试样的烧结温度最低,微波介电性能最优。
李飞虎[3]（2021）在《低介电常数AGe4O9（A=Sr,Ba）基微波介电陶瓷的制备与性能研究》文中研究指明5G移动通讯技术的迅速发展对微波介质陶瓷材料的性能提出了更高的要求:低的介电常数（εr）、高的品质因数（Q×f）和接近于零的谐振频率温度系数（τf）。本文以AGe4O9（A=Sr,Ba）陶瓷为研究对象,利用XRD、SEM、远红外反射光谱等测试手段表征了AGe4O9（A=Sr,Ba）陶瓷的晶体结构、显微结构和微波介电性能;从键长、键价和八面度扭曲度的角度出发,分析并研究了结构与微波介电性能之间的内在联系,可通过调控A位阳离子的“rattling”效应的强弱来调节陶瓷的τf值;通过添加助烧剂成功降低AGe4O9（A=Ba,Sr）陶瓷的烧结温度,并与Ag粉共烧来探索其与Ag电极的化学兼容性;最后通过两相复合和阳离子取代对陶瓷的τf进行了调控。论文的主要研究结果如下:（1）通过传统固相法制备了致密的AGe4O9（A=Ba,Sr）陶瓷。根据XRD和Rietveld精修结果可知,该陶瓷为六方结构,空间群为P321。烧结温度为1060℃的BaGe4O9陶瓷具有最佳的微波介电性能:εr～9.8,Q×f～78,400 GHz,τf～-44.2 ppm/℃,Sr Ge4O9陶瓷的最佳烧结温度在1100 ℃,此时εr～11.2,Q×f～62,500GHz,τf～-11.7 ppm/℃。AGe4O9（A=Ba,Sr）陶瓷远红外反射光谱拟合的本征εr分别为8.32和10.1,本征Q×f值分别为91,923 GHz和81,383 GHz。920 ℃烧结4 h的Sr Ge4O9+2 wt.%B2O3陶瓷呈现出优良的微波介电性能:εr～10.8,Q×f～46,100 GHz,τf～-13.1 ppm/℃,且能在920 ℃与银电极低温共烧。（2）为揭示AGe4O9（A=Ba,Sr）陶瓷显着的性能差异,通过Sr2+取代Ba2+制备了六方Ba1-xSrxGe4O9固溶体陶瓷。随着Sr2+含量增加,A位键价降低,“rattling”效应增强,陶瓷的实测离子极化率(αobs)与理论离子极化率(αtheo)偏差（Δ（%））增大,AGe4O9（A=Ba,Sr）陶瓷修正介电常数(εcorr)较理论介电常数(εth)偏高达21.2%和37.3%,且“rattling”效应增强导致SrGe4O9实测εr大于BaGe4O9,其Q×f值低于BaGe4O9,Sr Ge4O9的τf更近零。同时Sr Ge4O9的[Ge O6]八面体扭曲度（Δ（×104）=1）比BaGe4O9（Δ（×104）=12.7）的小,Sr Ge4O9中扭曲[Ge O6]八面体的Ge-O键价（4.36617）较BaGe4O9（4.30181）的大。以上结果说明,调控A位阳离子“rattling”效应强弱可为优化低εr微波介质陶瓷的性能提供新思路。（3）通过Ti4+部分取代Ge4+对BaGe4O9的τf进行调节,在1060～1180 ℃之间制备了Ba TixGe4-xO9（0≤x≤1）系列陶瓷,随着取代量的增加,其εr增大,Q×f下降,τf向零趋近。当0≤x≤0.6时,Ti4+进入[Ge O6]八面体,合成空间群为P321的Ba TixGe4-xO9六方陶瓷固溶体;0.6（27）x（27）1时,六方结构（空间群为P-6c2）的Ba Ti Ge3O9逐量出现;x=1时得到τf近零、性能良好的Ba TiGe3O9陶瓷:εr～11.3,Q×f～19,750 GHz,τf～-16.8 ppm/℃。通过Ti O2与BaGe4O9形成复合陶瓷的方式,在1080 ℃烧结获得τf近零、性能优异的0.6BaGe4O9+0.4Ti O2复合陶瓷:εr～12.4,Q×f～57,900 GHz和τf～+6.4 ppm/℃。（4）为进一步提高BaGe4O9的Q×f值,在1060～1180 ℃温度区间制备了Ba SixGe4-xO9（0≤x≤1.5）陶瓷,随着取代量的增加,其εr变小,τf向零趋近,Q×f在x=0.1时达到最大,随后下降。当x=0.1时得到了Ba Si0.1Ge3.9O9陶瓷,其微波介电性能为:εr～9.5,Q×f～95,890 GHz,τf～-42 ppm/℃。0≤x≤0.1时,Si4+进入[Ge O4]四面体,合成空间群为P321的六方固溶体陶瓷Ba SixGe4-xO9;0.1（27）x（27）1.5时,六方Ba Si1.5Ge2.5O9相出现,空间群为P-6c2,Si4+和Ge4+按1:1比例共同占据[BO4]四面体位置,Ba Si1.5Ge2.5O9相的含量随x值的增加而增加;当x增加至1.5时BaGe4O9相消失,得到τf近零的Ba Si1.5Ge2.5O9陶瓷:εr～8.0,Q×f～11,060 GHz,τf～-16 ppm/℃。（5）研究了B位Si4+、Ti4+分别取代Ge4+对Sr Ge4O9的结构与性能影响,在1100～1180 ℃温度区间制备了Sr BxGe4-xO9（B=Si,Ti）陶瓷。随着x从0增加至0.4时,陶瓷的Q×f下降,τf向零靠近。因Si4+、Ge4+和Ti4+的离子极化率不同,随着取代量的增加,Sr SixGe4-xO9的εr变小,而Sr TixGe4-xO9的εr增加。当0≤x≤0.4时,Si4+进入[BO4]四面体,而Ti4+进入[BO6]八面体,合成空间群为P321的六方Sr BxGe4-xO9（B=Si,Ti）陶瓷固溶体。当x=0.4时,获得τf近零的Sr B0.4Ge3.6O9（B=Si,Ti）陶瓷,其微波介电性能分别为:εr～9.3,Q×f～10,550 GHz,τf～-3.5 ppm/℃;εr～12.8,Q×f～12,560 GHz,τf～-2.8 ppm/℃。
吴承浩[4]（2021）在《微波介电陶瓷材料MgNb2O6的合成及介电特性研究》文中认为随着电子设备、电力系统、车载雷达及5G通讯突飞猛进的发展,高度集成化与小型化成了电子元件发展的必然方向。低温共烧陶瓷（LTCC）技术因其对电子系统小型化和混合集成的高要求而受到先进产品的青睐。应用在LTCC各种技术中的固体介质烧结材料通常都被认为是具备较低烧结温度、相对较小的介电常数（εr）、低介质损耗（即高Q×f值）以及趋近于零的谐振频率温度系数（τf）。鉴于LTCC技术应用材料需于较低温度下烧结,并保持着优良介电性能方面面临的困难。本文以铌铁矿结构的MgNb2O6介质陶瓷为原始材料,探究了其制备工艺,并选取合适的材料对基底材料进行了掺杂改性研究,以致MgNb2O6陶瓷达到LTCC技术的应用需求。具体工作如下:探索了MgNb2O6陶瓷的合成工艺,侧重探究了烧结温度对介质陶瓷显微形貌和介电特性的影响。经实验证实,恰当的预烧温度能够完美的规避MgNb2O6陶瓷在制备进程中其他相的出现。并且在1300℃下烧结5h后获得了超卓的介电性能:εr=20.82,Q×f=134000GHz,τf=-62.3ppm/℃。分别选择LMZBS、LBSCA、BaCu（B2O5）三种较低的熔点材料作为降温烧结助剂,旨在减少介电陶瓷MgNb2O6的烧结过程中的温度,重点地剖析了掺杂物浓度及其对介质陶瓷相纯度、显微结构、表观密度以及微波介电特性等的影响。实验数据显示:（1）LMZBS玻璃的添加,大幅度降低了介质陶瓷的烧结温度,实现具有高介电性能的MgNb2O6陶瓷的高致密化。SEM结果显示,陶瓷晶粒呈现致密且均匀的微观结构,粒径为1.72mm。拉曼光谱和XRD图像证实掺杂后的MgNb2O6陶瓷仍是纯相物质。当降烧剂引入量为1.0 wt.%时,介质材料在925℃下达到致密化烧结,并且展现出非凡的介电性能:εr=19.7,Q×f=67839GHz,τf=-41.01ppm/℃。此外,MgNb2O6陶瓷与银电极具有良好的化学相容性,使其成为LTCC应用的理想材料。（2）掺杂LBSCA玻璃使得介质材料的烧结温度得到了有效的降低,同时MgNb2O6陶瓷还具有突出的介电性能。在此之中,εr值与体密度呈现出极度相似的变化趋势。在玻璃添加含量为0.5 wt.%时,样品烧结温度成功下降至1000℃,同时获得了可观的介电性能:εr=20.6,Q×f=69000GHz,τf=-57.33ppm/℃。（3）BaCu（B2O5）材料的掺杂显着的降低了MgNb2O6陶瓷的致密化烧结温度,然而,这也使得陶瓷样品的介电损耗大幅增加。其中,陶瓷的体密度是εr大小的主要影响因素,MgNb2O6陶瓷τf值随BCB掺杂量的增加而上升。当添加量为1.5 wt.%时,陶瓷样品在900℃下烧结后取得了微波性能的最大值:εr=18.8,Q×f=35188GHz,τf=-42.72ppm/℃。在MgNb2O6+1.0 wt.%LMZBS基础上,依次选取了两种拥有较大正温度系数的材料（BaTi O3、SrTi O3）与MgNb2O6进行复合实验,以此来调节介质陶瓷样品的τf值,重点探讨了BaTi O3和SrTi O3的引入对介质材料物相构成、显微形貌、密度及介电特性的影响。实验数据证实:（1）掺杂BaTi O3可以高效的调整MgNb2O6材料的τf值,当BaTi O3掺杂含量为15 wt.%时,介质材料的介电性能为:εr=20.9,Q×f=7500GHz,τf=-3.22ppm/℃。（2）掺杂SrTi O3能够高效的调整MgNb2O6材料的τf值,当SrTi O3掺杂含量为6 wt.%时,陶瓷材料的介电性能为:εr=21.5,Q×f=20600GHz,τf=-2ppm/℃。
杨子健[5]（2021）在《Ge基橄榄石和硅锌矿结构微波介质陶瓷的结构与性能研究》文中指出近年来,随着无线通信频率的不断提高,信号延迟现象变得更加明显,系统损耗和发热量也随之增大,系统稳定性逐渐变差,因此,对制造谐振器、滤波器和介质基板等通信元器件的关键基础材料——微波介质陶瓷的性能参数（相对介电常数εr、品质因数Q×f以及谐振频率温度系数τf）提出了更高的要求。目前,系列通式为A2BO4的Mg2Si O4、Ca MgGeO4等橄榄石型陶瓷和Zn2Si O4、Zn2Ge O4等硅锌矿型陶瓷因具有低εr、高Q×f的特点受到广泛的关注,然而它们过高的烧结温度限制了其实际应用。本论文首先在橄榄石型A2BO4化合物的A位引入Li制备烧结温度低的Li4Ge O4微波介质陶瓷,并研究了其与Ag电极共烧的化学兼容性;其次制备了系列具有硅锌矿结构的LiAGeO4（A=Al,Ga）陶瓷,研究了有序-无序变化对微波介电性能的影响;最后研究了Li Al1-xGaxGe O4（0≤x≤1）陶瓷中Ga3+取代对物相组成、晶体结构以及微波介电性能的影响。具体结果如下:（1）首先,通过固相烧结法制备了四方橄榄石结构的Li4Ge O4陶瓷样品,其空间群为Bmmb（63）。在最佳烧结温度720℃时,Li4Ge O4陶瓷的相对密度为95.1%,理论密度为3.01 g/cm3,其微波介电性能为:εr=6.99,Q×f=47,813GHz,τf=-159.2 ppm/℃。通过设计、制备0.6Li4Ge O4+0.4Li Ca2Mg2V3O12复合陶瓷,获得近零的τf值（+2.7 ppm/℃）。另外,Li4Ge O4陶瓷与Ag电极在700℃共烧具有良好的化学兼容性,因此有希望应用于LTCC技术。（2）其次,制备了由氧四面体密堆构成的六方铅锌矿结构LiAGeO4（A=Al,Ga）陶瓷,但两者的原子占位存在较大的差异,其中LiGaGeO4中Ga和Ge在9b位点随机排布,空间群为R（?）（148）;而LiAlGeO4中Al/Ge按照1:1的比例在18f位点有序分布,空间群为R3（146）。1075℃烧结的LiGaGeO4陶瓷具有最佳微波介电性能:εr=6.07,Q×f=30,065 GHz,τf=-60.3 ppm/℃;1100℃烧结的Li AlGeO4具有最佳微波介电性能:εr=5.45,Q×f=70,832 GHz,τf=-34.4ppm/℃。Li AlGeO4与Li GaGeO4陶瓷的理论εr略低于实验值,这可能是由阳离子的“rattling”效应引起。通过远红外反射谱分析拟合得到了该体系陶瓷样品的本征介电性能（Li AlGeO4～εr=5.27,Q×f=110,312 GHz;Li GaGeO4～εr=5.79,Q×f=57,452 GHz）,其中50-400 cm-1的红外活性振动模式对本征微波介电极化贡献最大,分别为82.3%和84.2%。通过添加Ti O2,获得了τf值近零的0.84Li AlGeO4+0.16Ti O2（-3.14 ppm/℃）和0.78Li GaGeO4+0.22Ti O2（+2.17ppm/℃）复合陶瓷。（3）由于LiAGeO4（A=Al,Ga）陶瓷中Q×f值与τf值均存在较大差异,通过传统固相法在1000-1125℃制备了纯相的六方铅锌矿系列Li Al1-xGaxGe O4（0≤x≤1）陶瓷,探索了晶体结构中有序-无序对微波介电陶瓷性能的影响。根据XRD和结构精修结果可知,随着Ga3+对Al3+取代量的增加,晶面指数为（211）的特征衍射峰强度逐渐降低,而晶面指数为（140）的特征衍射峰强度逐渐增加,其晶体结构也发生了变化:当0<x≤0.5时,Ga3+对Al3+的取代破坏了陶瓷Al、Ge阳离子在18f位点1:1的有序分布,其空间群为R3（146）;当0.5<x≤1时,Al、Ga和Ge在9b位点随机分布,晶体结构具有更高的对称性,其空间群为R（?）（148）。拉曼光谱分析结果表明,随着Ga3+的取代量的增加,[Ge O4]伸缩振动模逐渐向低波数偏移,当0<x≤0.5时,[Al O4]四面体拉伸振动模逐渐宽化,表明晶体有序性的降低;当x=0.75,1时,由于Ga3+、Ge4+、Al3+在18f位点随机的分布,非简谐振动增强,拉伸振动模明显减少。随着取代量x的增大,Li Al1-xGaxGe O4（0≤x≤1）陶瓷的εr从5.45增加到6.07,Q×f值从70,832 GHz减小至30,065 GHz,τf值从-34.4 ppm/℃增加到-60.3 ppm/℃。
唐莹[6]（2021）在《石榴石型低介电常数微波介质陶瓷制备与性能》文中认为微波介质陶瓷是现代通讯技术的关键基础材料。随着5G时代到来,通信设备和便携式终端不断朝着小型化、高频化和高性能方向发展,具有高品质因数（Q×f）的低介电常数（εr）微波介质材料及其低温共烧（LTCC）技术已逐渐成为研究与开发的重点。一些石榴石结构陶瓷因具有低εr和高Q×f值受到广泛的关注,但较大的负谐振频率温度系数（τf）严重限制了它们的实用化。本文选择Li+和Mg2+分别占据石榴石结构中四面体C位、八面体B位和十二面体A位的系列A3B2C3O12型石榴石为对象,利用XRD、中子衍射、扫描电镜、拉曼光谱、远红外反射谱、紫外-可见光光谱、光电子能谱、交流阻抗谱、磁学测量系统等测试分析方法,研究了其组成、烧结特性、晶体结构、振动光谱与微波介电性能之间的关系,探索了影响τf及Q×f值的机理。最终发现,较小离子半径的Mg2+进入石榴石结构中A位可产生“跳动”（rattling）效应和结构不稳定性,进而对材料的τf、Q×f值和εr产生显着的影响,由此提出了影响低εr微波介质材料τf与Q×f值的新机制。具体内容如下:首先,探索了石榴石结构中Li+占据C位对τf的影响以及富Li石榴石Li3Nd3W2O12在LTCC技术的应用潜力。940℃烧结的陶瓷相对密度达到93.6%,其εr较低（～9.8）,Q×f值较高（～36,800 GHz）,但τf为负值（～-30 ppm/℃）。通过设计、制备 0.96Li3Nd3W2O12-0.04CaTiO3 复合陶瓷,获得近零的τf值（+3.6 ppm/℃）。另外,Li3Nd3W2O12能够与Ag电极低温共烧,因此有希望应用于LTCC技术。探索了石榴石结构中Mg2+和过渡金属阳离子Zn2+、Mn2+、Co2+、Ni2+、Cu2+完全占据氧八面体B位对可的影响,在1020℃～1120℃制备了致密的Ca3B2GeV2O12陶瓷,各组分陶瓷的τf仍为负值（-61.2～73.2 ppm/℃）,同时τr（9.38～11.50）与 Q×f值（13,207～54,000 GHz）存在较明显差异,其中Ca3Cu2GeV2012陶瓷在微波频段无谐振信号。εr的大小主要取决于单位体积内总离子极化率;Q×f值主要受到B位离子中部分充满的3d轨道、未成对d电子以及磁损耗的影响。而τf与B位阳离子键价有关,Mg-O的键价（2.11）比Zn-O键价（1.97）高,导致Ca3Mg2GeV2012的τf绝对值（-61.2 ppm/℃）低于Ca3Zn2GeV2O12 相应值（-73.2 ppm/℃）。Ca3Mg2GeV2O12 远红外反射谱拟合分析表明,低波数（100～400 cm-1）的红外活性振动模式对本征微波介电极化贡献较大。继续探索了Mg2+进入A位对τf与性能的影响,在1020℃～1120℃制备了致密的A3Y2Ge3012（A=Ca,Mg）微波介质陶瓷。Ca3Y2Ge3O12陶瓷属于正石榴石结构,Ca2+占据十二面体A位,Y3+占据B位,Ge4+占据C位,其陶瓷具有低的εr（～10.8）、高的Q×f值（～97,126 GHz）和负τf值（-40.6 ppm/℃）。Mg3Y2Ge3O12陶瓷属于反石榴石结构,Mg2+/2Y3+混合占据十二面体A位,2Mg2+占据B位,并显示出较高的εr（～14.1）,较低的Q×f值（～12,600 GHz）和异常的正τf值（+120.5 ppm/℃）。Mg2+取代 Ca2+的Ca0.5Mg2.5Y2Ge3O12陶瓷获得了近零的τf。Mg2+进入A位,其键价明显偏低和Mg-O键拉长,因此产生“rattling”效应和介电极化增强,τf较理论计算值偏高30%;当温度升高时,rattling效应减弱,离子极化率温度系数低于热膨胀系数,导致τf为正值。拉曼光谱分析表明,离子半径和极化率差异大的Mg2+和Y3+占据A位导致局域结构畸变和非简谐振动增强,使介电损耗增大和Q×f值降低。通过远红外反射谱拟合得到的A3Y2Ge3O12（A=Ca,Mg）陶瓷本征εr和Q×f值与实际测量值一致。制备了系列Ca3-xMgxYb2Ge3O2（0≤x≤3）石榴石陶瓷以确认A位Mg2+离子rattling效应对性能的影响。当0≤x≤2时为正石榴石结构,εr逐渐从10.3增加到11.8,Q×f值逐渐从98,000 GHz降低到78000 GHz,τf值在-40～-56 ppm/℃之间波动。当2<x≤3时则为反石榴石结构,Mg2+进入A位,εr迅速增大（～13.5）,Q×f值显着降低（～19,800 GHz）,τf值则从负变成正（+70.5 ppm/℃）。当x=2.5时获得了近零的τf值。离子极化率温度系数计算结果表明,通过选择不同阳离子占据A位可调控rattling效应,并通过离子极化率温度系数的变化从而实现τf值的调控。根据远红外反射谱拟合外推了A3Yb2Ge3O12（A=Ca,Mg）陶瓷微波频段的本征εr和Q×f值,与实际测量值一致。最后,由于制备含Ge石榴石过程中容易出现橄榄石相Ca2GeO4,因此研究了其烧结特性、结构与微波介电性能之间的关系。在1420℃烧结的Ca2GeO4陶瓷相对密度为94.9%,并具有最佳微波介电性能:εr=6.76,Q×f=82,400 GHz,τf=-67 ppm/℃。通过形成复合陶瓷 0.92Ca2GeO4-0.08 CaTiO3,获得了τf值近零（～+3.6 ppm/℃）的温度稳定型陶瓷,有成为微波基板材料的潜力。
翟祎凡[7]（2020）在《Ge基石榴石微波介质陶瓷的组分、结构与性能研究》文中指出随着第五代移动通信技术（5G）的发展,对基站和手机中的滤波器、基板、微波天线等器件的尺寸和性能提出了新的要求。为满足这些要求,本文对传统的钇铝石榴石（YAG）和钇镓石榴石（YGG）进行改进,制备了一系列Ge-基石榴石微波介质陶瓷,并对其烧结特性,显微结构和微波介电性能等进行了系统研究。（1）通过固相反应制备了空间群为Ia-3d的Ca3B2Ge3O12（B=Al,Ga）立方石榴石陶瓷。Ca3Al2Ge3O12陶瓷在1340℃下烧结表现出最佳的致密度,并且表现出最佳的微波介电性能,介电常数（εr）=8.97,品质因数（Q×f）=114,871GHz,谐振频率温度系数（τf）=-54.6 ppm/℃。通过X射线粉末衍射（XRD）分析得出在主相为Ca3Ga2Ge3O12的陶瓷中存在少量的第二相Ca2Ga2Ge O7。可通过非化学计量的Ca3Ga2Ge3.1O12在1320℃下烧结获得纯相且致密的Ca3Ga2Ge3O12陶瓷,其微波介电性能为εr=9.79,Q×f=129,356 GHz和τf=-50.19 ppm/℃。通过堆积率,离子极化率和键价理论研究了微波介电性能与晶体结构的关系。此外,使用CaTiO3将Ca3B2Ge3O12（B=Al,Ga）陶瓷的负τf值调节至近零,其中0.88Ca3Al2Ge3O12-0.12Ca Ti O3复合陶瓷在1360℃下烧结8小时获得最佳性能:εr=10.18,Q×f=59,350 GHz和τf=+2.53 ppm/℃;0.9Ca3Ga2Ge3O12-0.1Ca Ti O3复合陶瓷在1320℃下烧结8小时获得最佳性能:εr=11.23,Q×f=645,42GHz和τf=-3.26 ppm/℃。（2）通过固相反应制备了空间群为Ia-3d的Ca3Ti BGe3O12（B=Mg,Zn）立方石榴石陶瓷。使用XRD、扫描电子显微镜SEM、拉曼光谱Raman等测试手段对样品进行表征。通过堆积率,离子极化率和键价理论研究了微波介电性能与晶体结构的关系。Ca3Ti Mg Ge3O12和Ca3Ti Zn Ge3O12陶瓷分别在1300℃和1200℃烧结表现出最佳的致密度和最优的微波介电性能:er=11.947、Q×f=79,066 GHz和τf=-34.07 ppm/℃,er=11.809、Q×f=83,853 GHz和τf=-43.93 ppm/℃。（3）通过固相反应制备了Ca3Fe2Ge3O12陶瓷样品。通过XRD分析得出该陶瓷在1300～1360℃温度范围内烧结呈现出空间群为Ia-3d的立方石榴石陶瓷。通过Rietveld精修、场发射扫描电子显微镜、XPS等分析了Fe原素对材料介电性能的影响。Ca3Fe2Ge3O12陶瓷在1340℃下烧结致密度最高且表现出最佳的微波介电性能:εr=9.628、Q×f=40,510 GHz和τf=-51.62ppm/℃。
邢春芳[8]（2020）在《Li4Mg3Ti2O9基微波介质陶瓷结构与性能研究》文中研究说明近期,Li4Mg3Ti2O9基陶瓷由于其所具备的优异介电性能而被研究人员广泛的关注。为进一步优化性能,本文采用(Mg1/3Ta2/3)4+和(Mg1/3Nb2/3)4+复掺至Ti位进行改性研究。在此基础上,最优掺杂点的样品被选取出进行进一步的低温烧结探索,具体内容如下:本文采用传统的固相法制备了一系列Li4Mg3[Ti1-x(Mg1/3A2/3)x]2O9（A=Ta,Nb）陶瓷。首次研究了(Mg1/3A2/3)4+对基体烧结特性、显微结构、相组成和介电性能的影响。根据XRD图谱分析表明,在整个组成范围内,样品均为Fm-3m空间群的立方岩盐矿Li4Mg3Ti2O9结构。SEM表明,各组分样品在其最佳烧结温度点有致密均匀的显微结构。结果表明,适当的(Mg1/3Ta2/3)4+和(Mg1/3Nb2/3)4+掺杂能改善材料的介电性能。本文在1550°C烧结的Li4Mg3[Ti0.8(Mg1/3Ta2/3)0.2]2O9陶瓷中,获得了εr为15.77,Q·f为160,575GHz和τf值0 ppm/°C的介电性能;在1450°C烧结的Li4Mg3[Ti0.6(Mg1/3Nb2/3)0.4]2O9陶瓷中,获得了εr=16.83,Q·f=144,350 GHz和τf=-3.05 ppm/°C的最佳介电性能。本文利用远红外光谱对Li4Mg3[Ti0.8(Mg1/3Ta2/3)0.2]2O9、Li4Mg3[Ti0.6(Mg1/3Nb2/3)0.4]2O9的本征特性进行了研究。结果表明,微波介电性能计算值与其实测值吻合较好,样品的微波介电性能的贡献主要来源于离子极化而非电子极化。通过Rietveld精修结果进一步研究了Li4Mg3[Ti1-x(Mg1/3Ta2/3)x]2O9的晶体结构,获得了晶胞参数、Rp以及Rwp。采用复杂晶体的化学键理论,研究样品的结构与性能关系,并且εr、Q·f和τf值的变化主要是由Li/Ti-O键参数变化引起的。特别地,随着x变化,αTi/（Mg1/3Ta2/3）-O与τf值变化趋势一致。本文首次详细研究了Li F添加剂对Li4Mg3[Ti0.8(Mg1/3Ta2/3)0.2]2O9和Li4Mg3[Ti0.6(Mg1/3Nb2/3)0.4]2O9陶瓷相组成、烧结特性、显微结构和微波介电性能的影响。结果表明,加入适当含量的Li F可以有效地将陶瓷的烧结温度降低到950°C。通过XRD分析,获得了Fm-3m（No.225）空间群的立方岩盐晶体结构。在950°C下,通过扫描发现3-5 wt%LiF的陶瓷具有致密均匀的形貌。特别地,在950°C烧结4 h的 Li4Mg3[Ti0.8(Mg1/3Ta2/3)0.2]2O9-4 wt%Li F陶瓷具有εr=16.10,Q·f=114,313 GHz和tf=-7.72ppm/°C的最佳微波介电性能;Li4Mg3[Ti0.6(Mg1/3Nb2/3)0.4]2O9-4 wt%LiF陶瓷在950°C时微波介电性能最优（εr=16.11,Q·f=107,828 GHz以及τf=-6.3 ppm/°C）。此外,Li4Mg3[Ti0.8(Mg1/3Ta2/3)0.2]2O9,Li4Mg3[Ti0.6(Mg1/3Nb2/3)0.4]2O9-4 wt%Li F陶瓷与银金属电极的良好化学相容性表明其在低温共烧陶瓷（LTCC）领域中是一种很有前途的材料。
张志伟[9]（2020）在《锂基岩盐结构微波介质陶瓷的低温烧结与性能优化研究》文中进行了进一步梳理随着现代微波移动通讯技术的迅猛发展,微波介质陶瓷已成为国内外电介质材料研究领域的热点方向,其中低温共烧陶瓷（LTCC）更是吸引了广大科技工作者的关注。它要求介质材料具有低的烧结温度、优异的微波介电性能且能与导电性能良好的Ag电极共烧。锂基岩盐结构体系微波介质陶瓷因其超低的介电损耗和原材料廉价易获取等优点得到大量报道,但过高的烧结温度一定程度上限制了其在LTCC技术上的应用。在本论文中,我们利用低熔点的立方结构LiF与Li2TiO3发生固溶反应,合成制备了两种本征烧结温度低于960℃的微波介质陶瓷:Li5Ti2O6F和Li7Ti3O9F。此外,我们研究了不同含量的LiF掺杂对岩盐结构Li2Mg2TiO5陶瓷的影响,随后利用Sr3（VO4）2陶瓷与Li2Mg2TiO5陶瓷进行了复合,调控了谐振频率温度系数。借助X射线粉末衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、X射线能谱分析（EDS）、透射电子显微镜（TEM）、热重-差热扫描量热仪（TG-DSC）、X射线光电子能谱（XPS）、远红外反射光谱（FIR）、拉曼光谱（Raman）以及矢量网络分析仪等仪器对上述陶瓷的物相组成、晶体结构、显微结构、谱学特性与微波介电性能进行了表征。本论文的主要研究工作如下:（1）采用传统固相合成法制备了Li5Ti2O6F陶瓷样品。XRD和DSC分析表明,该陶瓷在800℃附近会发生相的转变,由空间点群为C2/c的单斜结构转变为空间点群为Fm-3m的立方结构。Refinement精修、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电镜（HRTEM）的表征结果进一步证实了相转变后该陶瓷的晶体结构为立方晶系。EDS元素扫描结果表明Li F完全固溶进入Li2TiO3晶格。Li5Ti2O6F陶瓷能在较低的温度～880℃下烧结致密,展现出优异的微波介电性能:εr=19.6,Q×f=79,500 GHz,τf=-29.6ppm/℃,且在该温度下与Ag具有良好的化学兼容性。通过对远红外反射谱的拟合处理,得到了Li5Ti2O6F陶瓷样品的本征介电常数为19.4,品质因数为97,000 GHz。（2）采用传统固相合成法制备了Li7Ti3O9F陶瓷样品。XRD表明该陶瓷在875～975℃温度范围内为立方岩盐结构,SAED和HRTEM的结果也验证了上述观点。EDS元素扫描的结果与Li5Ti2O6F陶瓷相似,表明Li7Ti3O9F为氟氧化物固溶体。对XPS Ti-2p区域高斯洛伦兹拟合后发现,高温下氧空位导致的三价Ti元素仅占2%。该陶瓷在最佳烧结温度950℃时的微波介电性能为εr=22.5,Q×f=88,200 GHz,τf=-24.2 ppm/℃,与Ag电极共烧不发生化学反应,表明其可应用于LTCC技术中。陶瓷样品在室温至800 oC之间的平均热膨胀系数为11.2 ppm/℃。Li7Ti3O9F拉曼光谱的宽化也证实了其长程无序的排列,与单斜结构的纯Li2TiO3拉曼光谱存在显着差异。远红外反射谱的结果表明,陶瓷样品在微波频率下的极化主要来源于红外区域声子振荡的吸收。（3）针对Li2Mg2TiO5陶瓷在高温下显着的气孔微结构和低的致密度,本章节旨在利用低熔点的LiF在降低烧结温度的同时,利用其液相烧结机制提高陶瓷基体的致密性,从而进一步优化微波介电性能。首先,我们制备了一系列Li2Mg2TiO5+n wt%LiF（1≤n≤5）陶瓷,系统地研究了LiF含量对相组成、显微结构和微波介电性能的影响。结果表明,4 wt%LiF的加入不仅显着地降低了陶瓷的致密化温度,而且改善了显微结构,提升了微波介电性能。Li2Mg2TiO5+4 wt%Li F陶瓷在900℃下的微波介电性能为:εr=14.6,Q×f=128,500 GHz,τf=-35.6 ppm/℃。其次,考虑到其较高的负谐振频率温度系数,我们首次利用Sr3（VO4）2对其温度系数进行了补偿,得到了近零温度系数的0.65[Li2Mg2TiO5+4 wt%LiF]-0.35[Sr3（VO4）2+1 wt%B2O3]复合陶瓷,该陶瓷在900℃拥有优异的微波介电性能:εr=13.4,Q×f=91,860 GHz,τf=-1.6 ppm/℃。同时,该复合材料与银具有良好的化学兼容性,是具有潜在应用价值的低温共烧陶瓷。
黄雨佳[10]（2018）在《ZnTiNb2O8基微波介质陶瓷的制备与性能研究》文中研究说明随着微波通信器件的快速发展和移动5G通信的需求,中介高品质微波介质陶瓷材料作为建设移动基站的关键材料,越来越受到人们的关注和重视。然而,目前已经实用化的几种中介高品质微波介质材料体系的烧结温度均超过1500℃,这增加了工业生产的能耗和成本,所以研究和开发具有高品质因数和适中的介电常数的较低烧结温度的微波介质材料具有重要的意义。锰钽矿结构的ZnTiNb208陶瓷是一种可以在1120℃下烧结并具有良好微波介电性能（εr=34.4,Q×f=56900 GHz,τf=-47.94×10-6/℃）的微波介质陶瓷,但其谐振频率温度系数负值过大阻碍了其实际应用,而国内外关于ZnTiNb208陶瓷的研究大多数都集中于单一离子的取代改性,这常常在改善τf的同时导致Q×f值大幅度降低甚至恶化。而且,不同研究者采用的烧结工艺参数各不相同,缺乏一定的对比性。因此,本文拟以ZnTiNb2O8为研究对象,系统地研究制备工艺对陶瓷微观结构和微波介电性能的影响,以获得最佳的制备工艺参数;然后,选择合适的Ti位离子取代提高材料的品质因数;最后,选取适宜的离子取代Zn2+来调节材料的谐振频率温度系数,已期望获得综合微波介电性能优异的陶瓷材料。首先,研究了 ZnTiNb2O8微波介质陶瓷的制备工艺,分别讨论了预烧温度、烧结温度和保温时间对ZnTiNb2O8陶瓷的物相组成、体积密度、显微结构及其微波介电性能的影响。研究结果表明:预烧温度为900℃,烧结温度为1100℃,保温时间为6 h,陶瓷的相对密度为98.5%,微波介电性能最佳为:εr=36.72,Q×f=47689 GHz,τf=-75.96×10-6/℃。其次,选择研究了 Zr4+取代Ti4+来提高ZnTiNb2O8陶瓷的品质因数,研究了 Zr4+取代量对Zn（Ti1-xZrx）Nb208（x=0～0.6）陶瓷的物相组成、体积密度、显微结构及其微波介电性能的影响。研究结果表明:当x≤0.4时,为正交的ZnTiNb2O8相;x>0.4时,为单斜的ZnZrNb208相;Zr4+取代量对陶瓷的显微结构有着显着影响,随着x取代量的增加,体积密度减小,平均晶粒尺寸逐渐减小并趋于均匀分布。当x=0.4,在1120℃烧结6h时,Zn（Ti1-xZrx）Nb2O8陶瓷晶粒尺寸均匀,表面光滑平整,微波介电性能最佳为:εr=33.43,Q×f=59475 GHz,τf=-76.54× 10-6/℃。最后,选择Ca2+取代Zn2+来调节Zn（Ti0.6ZrO.4）Nb2O8陶瓷的谐振频率温度系数,研究了 Ca2+取代量对（Zn1-xCax）（Ti0.6Zr0.4）Nb2O8（x=0.O5～0.3）陶瓷的物相组成、体积密度、显微结构及其微波介电性能的影响。研究结果表明:Ca2+取代Zn2+会导致CaNb2O6第二相的形成,随着Ca2+取代量的增加,ZnTiNb208相含量减少,CaNb2O6相的含量增加,这导致（Zn1-xCax）（Ti0.6Zr0.4）Nb2O8陶瓷的体积密度,品质因数和相对介电常数减小,谐振频率温度系数向正方向移动。当Ca2+取代量为0.3时,（Zn1-xCax）（Ti0.6Zr0.4）Nb208 陶瓷在 1 140℃ 烧结 6 h,其微波介电性能为:εr=30.42,Q×f=47280 GHz,τf=-25.37×10-6/℃。
二、微波介质陶瓷的显微结构与性能（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、微波介质陶瓷的显微结构与性能（论文提纲范文）
（1）(Mg0.95Mn0.05)2TiO4基微波介质陶瓷的制备及其改性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 微波介质陶瓷介电性能的参数及其意义 |
| 2.1.1 相对介电常数 |
| 2.1.2 品质因数 |
| 2.1.3 谐振频率温度系数 |
| 2.2 微波介质陶瓷的制备方法 |
| 2.2.1 固相反应法 |
| 2.2.2 溶胶凝胶法 |
| 2.2.3 水热法 |
| 2.2.4 沉淀法 |
| 2.3 微波介质陶瓷的研究进展 |
| 2.3.1 微波介质陶瓷的发展历史 |
| 2.3.2 微波介质陶瓷体系分类 |
| 2.4 微波介质陶瓷材料的应用 |
| 2.5 本论文的研究背景及内容 |
| 3 实验内容 |
| 3.1 实验原料与仪器设备 |
| 3.1.1 实验原料 |
| 3.1.2 实验仪器设备 |
| 3.2 性能测试与表征 |
| 3.2.1 体积密度测试 |
| 3.2.2 物相检测分析 |
| 3.2.3 显微结构分析 |
| 3.2.4 微波介电性能测试 |
| 4 固相法制备(1-x)(Mg_(0.95)Mn_(0.05))_2TiO_4-xCaTiO_3陶瓷的微波介电性能研究 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 样品制备 |
| 4.3 结果分析与讨论 |
| 4.3.1 陶瓷的体积密度 |
| 4.3.2 陶瓷物相组成分析 |
| 4.3.3 陶瓷的微观显微分析 |
| 4.3.4 陶瓷介电性能分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 La~(3+)掺杂0.88(Mg_(0.95)Mn_(0.05))_2TiO_4-0.12CaTiO_3陶瓷的微波介电性能研究 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 样品制备 |
| 5.3 结果分析与讨论 |
| 5.3.1 样品的体积密度分析 |
| 5.3.2 样品的物相组成分析 |
| 5.3.3 样品的微观显微分析 |
| 5.3.4 样品的介电性能 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 固相法制备0.88(Mg_(0.95)Mn_(0.05))_2(Ti_(1-x)Ce_x)O_4-x CaTiO_3陶瓷的微波介电性能研究 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 样品的制备过程 |
| 6.3 结果分析与讨论 |
| 6.3.1 样品的体积密度 |
| 6.3.2 样品的物相分析 |
| 6.3.3 样品的微观显微分析 |
| 6.3.4 样品的介电性能分析 |
| 6.4 本章小结 |
| 7 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（2）离子取代对SrAl2Si2O8系微波介质陶瓷的结构和性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷的分类 |
| 1.2.1 低介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.2.2 中介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.2.3 高介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.3 微波介质陶瓷的性能参数 |
| 1.3.1 介电常数 |
| 1.3.2 品质因数 |
| 1.3.3 谐振频率温度系数 |
| 1.4 锶长石系微波介质陶瓷 |
| 1.4.1 SrAl_2Si_2O_8陶瓷的晶体结构 |
| 1.4.2 SrAl_2Si_2O_8的研究现状 |
| 1.5 研究目的和研究内容 |
| 1.5.1 研究目的 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 2 材料的制备与性能表征 |
| 2.1 陶瓷试样的制备方法 |
| 2.1.1 传统固相法 |
| 2.1.2 熔盐法 |
| 2.1.3 溶胶-凝胶法 |
| 2.1.4 水热法 |
| 2.1.5 共沉淀法 |
| 2.2 陶瓷的成型方法 |
| 2.2.1 干压成型 |
| 2.2.2 等静压成型 |
| 2.2.3 注浆成型 |
| 2.2.4 流延成型 |
| 2.3 SrAl_2Si_2O_8陶瓷的制备工艺流程 |
| 2.3.1 配料 |
| 2.3.2 一次球磨 |
| 2.3.3 预烧 |
| 2.3.4 二次球磨 |
| 2.3.5 造粒 |
| 2.3.6 压片 |
| 2.3.7 排粘和烧结 |
| 2.4 陶瓷的表征方法 |
| 2.4.1 密度 |
| 2.4.2 晶体结构 |
| 2.4.3 微观形貌 |
| 2.4.4 微波介电性能测试 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 烧结温度对SrAl_2Si_2O_8陶瓷结构及微波介电性能的影响 |
| 3.1 实验设计 |
| 3.2 预烧温度 |
| 3.3 烧结特性 |
| 3.4 XRD物相分析 |
| 3.5 显微形貌分析 |
| 3.6 微波介电性能分析 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 Sr位离子取代对SrAl_2Si_2O_8陶瓷的结构和微波介电性能研究 |
| 4.1 实验设计 |
| 4.2 Mn~(2+)取代Sr~(2+)对SAS陶瓷结构和微波介电性能的影响 |
| 4.2.1 Mn~(2+)取代烧结特性分析 |
| 4.2.2 Mn~(2+)取代XRD分析 |
| 4.2.3 Mn~(2+)取代显微形貌分析 |
| 4.2.4 Mn~(2+)取代微波介电性能分析 |
| 4.3 Zn~(2+)取代Sr~(2+)对SAS陶瓷结构和微波介电性能的影响 |
| 4.3.1 Zn~(2+)取代烧结特性分析 |
| 4.3.2 Zn~(2+)取代XRD分析 |
| 4.3.3 Zn~(2+)取代显微形貌分析 |
| 4.3.4 Zn~(2+)取代微波介电性能分析 |
| 4.4 Ni~(2+)取代Sr~(2+)对SAS陶瓷结构和微波介电性能的影响 |
| 4.4.1 Ni~(2+)取代烧结特性分析 |
| 4.4.2 Ni~(2+)取代XRD分析 |
| 4.4.3 Ni~(2+)取代显微结构分析 |
| 4.4.4 Ni~(2+)取代微波介电性能分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 Al位离子取代对SrAl_2Si_2O_8陶瓷的结构和微波介电性能研究 |
| 5.1 实验设计 |
| 5.2 Co~(3+)取代Al~(3+)对SAS陶瓷结构和微波介电性能的研究 |
| 5.2.1 Co~(3+)取代烧结特性分析 |
| 5.2.2 Co~(3+)取代XRD分析 |
| 5.2.3 Co~(3+)取代显微结构分析 |
| 5.2.4 Co~(3+)取代微波介电性能分析 |
| 5.3 Fe~(3+)取代Al~(3+)对SAS陶瓷结构和微波介电性能的研究 |
| 5.3.1 Fe~(3+)取代烧结特性分析 |
| 5.3.2 Fe~(3+)取代XRD分析 |
| 5.3.3 Fe~(3+)取代显微结构分析 |
| 5.3.4 Fe~(3+)取代微波介电性能分析 |
| 5.4 Cr~(3+)取代Al~(3+)对SAS陶瓷结构和微波介电性能的研究 |
| 5.4.1 Cr~(3+)取代烧结特性分析 |
| 5.4.2 Cr~(3+)取代XRD分析 |
| 5.4.3 Cr~(3+)取代显微结构分析 |
| 5.4.4 Cr~(3+)取代微波介电性能分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（3）低介电常数AGe4O9（A=Sr,Ba）基微波介电陶瓷的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷的发展 |
| 1.3 微波介质陶瓷的性能参数 |
| 1.4 微波介质陶瓷的分类 |
| 1.5 微波介质陶瓷的制备方法 |
| 1.6 选题依据和研究内容 |
| 第2章 材料的制备测试分析 |
| 2.1 实验样品的制备 |
| 2.2 样品的测试分析 |
| 第3章 AGe_4O_9(A=Ba,Sr)陶瓷的制备、结构与性能 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品制备和测试 |
| 3.3 实验结果与分析 |
| 3.3.1 AGe_4O_9(A=Ba,Sr)陶瓷物相及精修结果分析 |
| 3.3.2 AGe_4O_9(A=Ba,Sr)陶瓷的微观形貌分析 |
| 3.3.3 AGe_4O_9(A=Ba,Sr)陶瓷的微波介电性能分析 |
| 3.3.4 AGe_4O_9(A=Ba,Sr)陶瓷的远红外光谱分析 |
| 3.3.5 AGe_4O_9(A=Ba,Sr)陶瓷的介电温谱分析 |
| 3.3.6 AGe_4O_9(A=Ba,Sr)陶瓷的热膨胀系数 |
| 3.3.7 SrGe_4O_9陶瓷的降温烧结研究 |
| 3.3.8 SrGe_4O_9陶瓷与Ag低温共烧 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 Ba_(1-x)Sr_xGe_4O_9陶瓷的结构与性能关系研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品制备和测试 |
| 4.3 实验结果与分析 |
| 4.3.1 “rattling”阳离子对陶瓷的微波介电性能影响分析 |
| 4.3.2 AGe_4O_9(A=Ba,Sr)陶瓷的B位键价和八面体扭曲度分析 |
| 4.3.3 Ba_(1-x)Sr_xGe_4O_9陶瓷的物相及精修结果分析 |
| 4.3.4 Ba_(1-x)Sr_xGe_4O_9陶瓷的微观形貌分析 |
| 4.3.5 Ba_(1-x)Sr_xGe_4O_9陶瓷的离子极化率分析 |
| 4.3.6 Ba_(1-x)Sr_xGe_4O_9陶瓷的微波介电性能分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 AGe_4O_9(A=Ba,Sr)陶瓷的性能调控研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品制备和测试 |
| 5.3 两相复合法调节BaGe_4O_9陶瓷的τ_f |
| 5.3.1 TiO_2对BaGe_4O_9陶瓷的τ_f调节 |
| 5.3.2 BaGe_4O_9基复合陶瓷的降温烧结 |
| 5.4 B位 Si~(4+)、Ti~(4+)取代调控BaGe_4O_9陶瓷的微波介电性能 |
| 5.4.1 BaB_xGe_(4-x)O_9(B=Si,Ti)陶瓷的物相分析 |
| 5.4.2 BaB_xGe_(4-x)O_9(B=Si,Ti)陶瓷的XRD结构精修 |
| 5.4.3 BaB_xGe_(4-x)O_9(B=Si,Ti)陶瓷的微观形貌分析 |
| 5.4.4 BaB_xGe_(4-x)O_9(B=Si,Ti)陶瓷的微波介电性能分析 |
| 5.5 B位 Si~(4+)、Ti~(4+)取代调控SrGe_4O_9陶瓷的微波介电性能 |
| 5.5.1 SrB_xGe_(4-x)O_9(B=Si,Ti)陶瓷的物相分析 |
| 5.5.2 SrB_xGe_(4-x)O_9(B=Si,Ti)陶瓷的XRD结构精修 |
| 5.5.3 SrB_xGe_(4-x)O_9(B=Si,Ti)陶瓷的微观形貌分析 |
| 5.5.4 SrB_xGe_(4-x)O_9(B=Si,Ti)陶瓷的微波介电性能分析 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 全文总结及展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 后期展望 |
| 参考文献 |
| 个人简介、申请学位期间的研究成果及发表的学术论文 |
| 致谢 |
（4）微波介电陶瓷材料MgNb2O6的合成及介电特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷 |
| 1.2.1 微波介质陶瓷的发展 |
| 1.2.2 微波介质陶瓷的性能需求 |
| 1.2.3 介质陶瓷的分类 |
| 1.2.4 铌酸盐微波介质陶瓷 |
| 1.3 低温共烧陶瓷技术简介(LTCC) |
| 1.4 本论文的主要研究内容及思路 |
| 第二章 实验过程与性能表征 |
| 2.1 陶瓷制备 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验设备 |
| 2.1.3 工艺流程 |
| 2.2 样片表征与测试 |
| 2.2.1 表观密度测试 |
| 2.2.2 晶体结构测试 |
| 2.2.3 显微结构测试 |
| 2.2.4 微波性能测试 |
| 第三章 MgNb_2O_6陶瓷工艺与性能研究 |
| 3.1 实验方法 |
| 3.2 实验工艺与结果讨论 |
| 3.2.1 实验陶瓷制备工艺概述 |
| 3.2.2 预烧温度对物相的影响分析 |
| 3.2.3 烧结温度对物相的组成与微观形貌的影响 |
| 3.2.4 烧结温度对MgNb_2O_6介电性能研究 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 低温烧结MgNb_2O_6陶瓷的微波特性研究 |
| 4.1 掺杂LMZBS对 MgNb_2O_6陶瓷烧结特性及介电性能的影响 |
| 4.1.1 实验方法 |
| 4.1.2 相组成和晶体结构分析 |
| 4.1.3 显微结构分析 |
| 4.1.4 介电特性分析 |
| 4.1.5 陶瓷MgNb_2O_6和Ag化学兼容性研究 |
| 4.2 掺杂LBSCA对 MgNb_2O_6陶瓷烧结特性及介电性能的影响 |
| 4.2.1 实验方法 |
| 4.2.2 相组成和显微形貌分析 |
| 4.2.3 密度与介电性能分析 |
| 4.3 掺杂BaCu(B_2O_5)对MgNb_2O_6陶瓷烧结特性及介电性能的影响 |
| 4.3.1 实验方法 |
| 4.3.2 相组成和显微形貌分析 |
| 4.3.3 体密度与介电性能分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 MgNb_2O_6陶瓷谐振频率温度系数的调节 |
| 5.1 使用BaTiO_3调整MgNb_2O_6陶瓷温度系数的研究 |
| 5.1.1 实验方法 |
| 5.1.2 物相组成和显微结构分析 |
| 5.1.3 表观密度和介电性能分析 |
| 5.2 使用SrTiO_3调整MgNb_2O_6陶瓷温度系数的研究 |
| 5.2.1 实验方法 |
| 5.2.2 物相组成和显微结构分析 |
| 5.2.3 表观密度和介电性能分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 |
（5）Ge基橄榄石和硅锌矿结构微波介质陶瓷的结构与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷的发展历史 |
| 1.3 微波介质陶瓷性能和机理 |
| 1.4 低温共烧陶瓷(LTCC)技术 |
| 1.5 选题依据以及研究内容 |
| 第2章 陶瓷的制备与测试方法 |
| 2.1 实验原材料和仪器设备 |
| 2.2 实验工艺流程 |
| 2.3 微波介质陶瓷的测试方法 |
| 第3章 微波介电陶瓷Li_4GeO_4的制备与性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品制备和测试 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 Li_4GeO_4陶瓷的物相和结构分析 |
| 3.3.2 Li_4GeO_4陶瓷的显微结构分析 |
| 3.3.3 Li_4GeO_4陶瓷的微波介电性能分析 |
| 3.3.4 Li_4GeO_4陶瓷的拉曼光谱的表征以及与介电性能之间的关系 |
| 3.3.5 Li_4GeO_4陶瓷的τ_f调节和与银共烧特性分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 LiAGeO_4(A= Al,Ga)陶瓷的性能与调控 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品制备和测试 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 LiAGeO_4(A= Al,Ga)陶瓷的物相和结构分析 |
| 4.3.2 LiAGeO_4(A= Al,Ga)陶瓷的Raman光谱分析 |
| 4.3.3 LiAGeO_4(A= Al,Ga)陶瓷的SEM微观形貌与密度分析 |
| 4.3.4 LiAGeO_4(A= Al,Ga)陶瓷的微波介电性能分析 |
| 4.3.5 LiAGeO_4(A= Al,Ga)的谱学特性与微波介电性能的关系 |
| 4.3.6 LiAGeO_4(A= Al,Ga)陶瓷的τ_f调控 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 LiAl_(1-x)Ga_xGeO_4(0≤ x≤1)陶瓷的有序无序、结构转变和微波介电性能 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品制备和测试 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 LiAl_(1-x)Ga_xGeO_4(0≤ x≤1)陶瓷的物相与结构分析 |
| 5.3.2 LiAl_(1-x)Ga_xGeO_4(0≤ x≤1)陶瓷的SEM微观形貌 |
| 5.3.3 LiAl_(1-x)Ga_xGeO_4(0≤ x≤1)陶瓷的拉曼光谱分析 |
| 5.3.4 LiAl_(1-x)Ga_xGeO_4(0≤ x≤1)陶瓷的微波介电性能分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 全文总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 个人简历、申请学位期间的研究成果及发表的学术论文 |
| 致谢 |
（6）石榴石型低介电常数微波介质陶瓷制备与性能（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 缩写和符号清单 |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷 |
| 1.2.1 微波介质陶瓷发展过程 |
| 1.2.2 微波介质陶瓷性能要求 |
| 1.3 低温共烧陶瓷(LTCC) |
| 1.4 低介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.5 石榴石结构微波介质陶瓷 |
| 1.5.1 石榴石结构 |
| 1.5.2 石榴石微波介质陶瓷体系 |
| 1.6 本论文主要研究内容 |
| 2 样品合成与表征 |
| 2.1 实验原料及规格 |
| 2.2 实验仪器 |
| 2.3 实验制备工艺流程 |
| 2.4 样品表征及测试原理 |
| 3 C位全填满型Li_3Nd_3W_2O_(12)微波介质陶瓷 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品合成与制备 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 B位全填满型Ca_3B_2GeV_2O_(12)(B=Mg,Mn,Co,Ni,Cu,Zn)微波介质陶瓷 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品合成与制备 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 正反石榴石A_3Y_2Ge_3O_(12)(A=Ca,Mg)微波介质陶瓷 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品合成与制备 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 正反结构渐变石榴石Ca_(3-x)Mg_xYb_2Ge_3O_(12)(0≤x≤3)微波介质陶瓷 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 样品合成与制备 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.4 本章小结 |
| 7 与石榴石结构相关的橄榄石型Ca_2GeO_4微波介质陶瓷 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 样品合成与制备 |
| 7.3 结果与讨论 |
| 7.4 本章小结 |
| 8 结论 |
| 8.1 结论 |
| 8.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（7）Ge基石榴石微波介质陶瓷的组分、结构与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷概述 |
| 1.2.1 微波介质陶瓷的发展 |
| 1.2.2 微波介质陶瓷的性能参数 |
| 1.2.3 微波介质陶瓷的分类 |
| 1.3 微波介电理论基础 |
| 1.3.1 极化理论 |
| 1.3.2 复合理论 |
| 1.3.3 堆积理论 |
| 1.4 微波介质陶瓷的制备方法 |
| 1.5 石榴石结构微波介质陶瓷材料概述 |
| 1.5.1 石榴石的结构特点 |
| 1.5.2 石榴石微波介质陶瓷研究现状 |
| 1.6 课题的提出与研究内容 |
| 第2章 陶瓷的合成与表征 |
| 2.1 实验原料和仪器 |
| 2.2 实验制备流程 |
| 2.3 陶瓷的性能表征方法 |
| 第3章 Ca_3B_2Ge_3O_(12)(B=Al,Ga)石榴石微波介质陶瓷 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品制备 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 Ca_3B_2Ge_3O_(12)(B=Al,Ga)的物相分析 |
| 3.3.2 Ca_3B_2Ge_3O_(12)(B=Al,Ga)陶瓷的晶体结构分析 |
| 3.3.3 Ca_3B_2Ge_3O_(12)(B=Al,Ga)陶瓷的显微结构分析 |
| 3.3.4 Ca_3B_2Ge_3O_(12)(B=Al,Ga)陶瓷微波介电性能分析 |
| 3.3.5 Ca_3B_2Ge_3O_(12)(B=Al,Ga)陶瓷的拉曼光谱分析 |
| 3.3.6 调节Ca_3B_2Ge_3O_(12)(B=Al,Ga)陶瓷的τ_f值 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 Ca_3TiBGe_3O_(12)(B=Mg,Zn)石榴石微波介质陶瓷 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品制备 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 Ca_3TiBGe_3O_(12)(B=Mg,Zn)的物相分析 |
| 4.3.2 Ca_3TiBGe_3O_(12)(B=Mg,Zn)陶瓷的晶体结构分析 |
| 4.3.3 Ca_3TiBGe_3O_(12)(B=Mg,Zn)陶瓷的显微结构分析 |
| 4.3.4 Ca_3TiBGe_3O_(12)(B=Mg,Zn)陶瓷微波介电性能分析 |
| 4.3.5 Ca_3TiBGe_3O_(12)(B=Mg,Zn)陶瓷的拉曼光谱分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 Ca_3Fe_2Ge_3O_(12)石榴石微波介质陶瓷 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品制备 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 Ca_3Fe_2Ge_3O_(12)的物相分析 |
| 5.3.2 Ca_3Fe_2Ge_3O_(12)陶瓷的晶体结构分析 |
| 5.3.3 Ca_3Fe_2Ge_3O_(12)陶瓷的显微结构分析 |
| 5.3.4 Ca_3Fe_2Ge_3O_(12)陶瓷微波介电性能分析 |
| 5.3.5 Ca_3Fe_2Ge_3O_(12)陶瓷的高温阻抗分析 |
| 5.3.6 Ca_3Fe_2Ge_3O_(12)陶瓷XPS能谱分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 |
| 致谢 |
（8）Li4Mg3Ti2O9基微波介质陶瓷结构与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 微波介质陶瓷研究概况 |
| 1.2.1 微波介质陶瓷的介电特性及性能要求 |
| 1.2.2 微波介质陶瓷的发展趋势 |
| 1.3 Li_4Mg_3Ti_2O_9基微波介质陶瓷材料的研究现状 |
| 1.3.1 Li_4Mg_3Ti_2O_9晶体结构 |
| 1.3.2 Li_4Mg_3Ti_2O_9陶瓷微波介电性能 |
| 1.3.3 替位掺杂对Li_4Mg_3Ti_2O_9微波介电性能的影响 |
| 1.4 课题研究意义和主要内容 |
| 第二章 实验方案设计与研究方法 |
| 2.1 实验原料与仪器设备 |
| 2.2 材料的制备与表征手段 |
| 2.2.1 样品制备 |
| 2.2.2 晶体结构解析 |
| 2.2.3 烧结特性与微观形貌表征 |
| 2.2.4 微波介电性能测试 |
| 第三章 Li_4Mg_3[Ti_(1-x)(Mg_(1/3_Ta_(2/3))_x]_2O_9微波介质陶瓷结构与性能研究 |
| 3.1 Li_4Mg_3[Ti_(1-x)(Mg_(1/3)Ta_(2/3))_x]_2O_9陶瓷物相组成分析 |
| 3.2 Li_4Mg_3[Ti_(1-x)(Mg_(1/3)Ta_(2/3))_x]_2O_9陶瓷烧结特性与显微结构分析 |
| 3.3 Li_4Mg_3[Ti_(1-x)(Mg_(1/3)Ta_(2/3))_x]_2O_9陶瓷微波介电性能分析 |
| 3.3.1 介电常数及其影响因素 |
| 3.3.2 品质因数及其影响因素 |
| 3.3.3 谐振频率温度系数及其影响因素 |
| 3.3.4 Li_4Mg_3[Ti_(0.8)(Mg_(1/3)Ta_2/_3)_(0.2)]_2O_9远红外光谱解析 |
| 3.4 Li_4Mg_3[Ti_(1-x)(Mg_(1/3)Ta_(2/3))_x]_2O_9陶瓷晶体结构解析与化学键特性研究 |
| 3.4.1 Li_4Mg_3[Ti_(1-x)(Mg_(1/3)Ta_(2/3))_x]_2O_9晶体结构精修 |
| 3.4.2 Li_4Mg_3[Ti_(1-x)(Mg_(1/3)Ta_(2/3))_x]_2O_9复杂键子式分解 |
| 3.4.3 Li_4Mg_3[Ti_(1-x)(Mg_(1/3)Ta_(2/3))_x]_2O_9化学键参数计算 |
| 3.5 Li_4Mg_3[Ti_(0.8)(Mg_(1/3)Ta_(2/3))_(0.2)]_2O_9陶瓷低温烧结研究 |
| 3.5.1 Li_4Mg_3[Ti_(0.8)(Mg_(1/3)Ta_(2/3))_(0.2)]_2O_9-x wt% LiF陶瓷物相组成分析 |
| 3.5.2 Li_4Mg_3[Ti_(0.8)(Mg_(1/3)Ta_(2/3))_(0.2)]_2O_9-x wt% LiF陶瓷烧结特性与显微结构分析 |
| 3.5.3 Li_4Mg_3[Ti_(0.8)(Mg_(1/3)Ta_(2/3))_(0.2)]_2O_9-x wt% LiF陶瓷微波介电性能分析 |
| 3.5.4 Li_4Mg_3[Ti_(0.8)(Mg_(1/3)Ta_(2/3))_(0.2)]_2O_9-4 wt% LiF与Ag电极共烧反应分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 Li_4Mg_3[Ti_(1-x)(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_x]_2O_9微波介质陶瓷结构与性能研究 |
| 4.1 Li_4Mg_3[Ti_(1-x)(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_x]_2O_9陶瓷物相组成分析 |
| 4.2 Li_4Mg_3[Ti_(1-x)(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_x]_2O_9陶瓷烧结特性与显微结构分析 |
| 4.3 Li_4Mg_3[Ti_(1-x)(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_x]_2O_9陶瓷微波介电性能分析 |
| 4.3.1 介电常数及其影响因素 |
| 4.3.2 品质因数及其影响因素 |
| 4.3.3 谐振频率温度系数及其影响因素 |
| 4.3.4 Li_4Mg_3[Ti_(0.6)(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_(0.4)]_2O_9远红外光谱解析 |
| 4.4 Li_4Mg_3[Ti_(0.6)(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_(0.4)]_2O_9陶瓷低温烧结研究 |
| 4.4.1 Li_4Mg_3[Ti_(0.6)(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_(0.4)]_2O_9-x wt%LiF陶瓷物相组成分析 |
| 4.4.2 Li_4Mg_3[Ti_(0.6)(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_(0.4)]_2O_9-x wt% LiF陶瓷烧结特性与显微结构分析 |
| 4.4.3 Li_4Mg_3[Ti_(0.6)(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_(0.4)]_2O_9-x wt% LiF陶瓷微波介电性能分析 |
| 4.4.4 Li_4Mg_3[Ti_(0.6)(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_(0.4)]_2O_9-4 wt% LiF与Ag电极共烧反应分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 主要研究结论 |
| 5.2 主要创新点 |
| 5.3 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 |
（9）锂基岩盐结构微波介质陶瓷的低温烧结与性能优化研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷概述 |
| 1.2.1 发展历史及现状 |
| 1.2.2 介电响应机理 |
| 1.2.3 介电特性三参数 |
| 1.2.4 低温烧结化 |
| 1.3 锂基岩盐结构微波介质陶瓷的研究进展 |
| 1.3.1 Li离子独立占据A位 |
| 1.3.2 两种阳离子共同占据A位 |
| 1.3.3 三种阳离子共同占据A位 |
| 1.4 微波介质陶瓷Li2TiO3研究概述 |
| 1.4.1 高能球磨制备纳米粉体 |
| 1.4.2 非化学计量比补充Li源 |
| 1.4.3 添加低熔点烧结助剂 |
| 1.4.4 复合离子取代 |
| 1.4.5 两相固溶研究 |
| 1.4.6 复合陶瓷研究 |
| 1.5 课题的提出与研究内容 |
| 第2章 实验部分 |
| 2.1 实验原料和仪器 |
| 2.1.1 实验原料与规格 |
| 2.1.2 实验仪器与规格 |
| 2.2 实验制备流程 |
| 2.3 实验测试方法 |
| 第3章 微波介质陶瓷Li_5Ti_2O_6F的合成与性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验步骤 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 Li_5Ti_2O_6F陶瓷的物相分析 |
| 3.3.2 Li_5Ti_2O_6F陶瓷的晶体结构分析 |
| 3.3.3 Li_5Ti_2O_6F陶瓷的热力学分析 |
| 3.3.4 Li_5Ti_2O_6F陶瓷的显微结构分析 |
| 3.3.5 Li_5Ti_2O_6F陶瓷的密度和微波介电性能分析 |
| 3.3.6 Li_5Ti_2O_6F陶瓷的远红外反射光谱分析 |
| 3.3.7 Li_5Ti_2O_6F陶瓷与银共烧特性分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 微波介质陶瓷Li_7Ti_3O_9F的合成与性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验步骤 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 Li_7Ti_3O_9F陶瓷的物相与晶体结构分析 |
| 4.3.2 Li_7Ti_3O_9F陶瓷的显微结构分析 |
| 4.3.3 Li_7Ti_3O_9F陶瓷的密度和微波介电性能分析 |
| 4.3.4 Li_7Ti_3O_9F陶瓷的X射线光电子谱分析 |
| 4.3.5 Li_7Ti_3O_9F陶瓷的拉曼光谱分析 |
| 4.3.6 Li_7Ti_3O_9F陶瓷的远红外光谱分析 |
| 4.3.7 Li_7Ti_3O_9F陶瓷的与银共烧特性分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 Li_2Mg_2TiO_5 陶瓷的低温烧结及其温度系数调控 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验步骤 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 Li_2Mg_2TiO__(5-n)wt%LiF陶瓷的物相组成分析 |
| 5.3.2 Li_2Mg_2TiO__(5-n)wt%LiF陶瓷的烧结特性分析 |
| 5.3.3 Li_2Mg_2TiO__(5-n)wt%LiF陶瓷的显微结构分析 |
| 5.3.4 Li_2Mg_2TiO__(5-n)wt%LiF陶瓷的微波介电性能分析 |
| 5.3.5 Li_2Mg_2TiO_5-Sr_3(VO_4)_2 陶瓷的物相分析 |
| 5.3.6 Li_2Mg_2TiO_5-Sr_3(VO_4)_2 陶瓷的相对密度与微波性能分析 |
| 5.3.7 Li_2Mg_2TiO_5-Sr_3(VO_4)_2 陶瓷的显微结构分析 |
| 5.3.8 Li_2Mg_2TiO_5-Sr_3(VO_4)_2 陶瓷的与Ag化学兼容性分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 |
| 致谢 |
（10）ZnTiNb2O8基微波介质陶瓷的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 微波介质陶瓷介电性能及相关机理 |
| 2.1.1 相对介电常数 |
| 2.1.2 品质因数 |
| 2.1.3 谐振频率温度系数 |
| 2.2 微波介质陶瓷的研究进展 |
| 2.2.1 微波介质陶瓷的发展历史 |
| 2.2.2 微波介质陶瓷体系分类 |
| 2.2.3 几种典型的中介高品质因数陶瓷 |
| 2.3 微波介电陶瓷材料的应用 |
| 2.3.1 介质谐振器 |
| 2.3.2 介质滤波器 |
| 2.3.3 微波介质天线 |
| 2.3.4 微波介质基板 |
| 2.3.5 多层陶瓷电容器 |
| 2.4 本论文的研究背景及内容 |
| 3 实验内容 |
| 3.1 实验原料与仪器设备 |
| 3.1.1 实验原料 |
| 3.1.2 实验仪器设备 |
| 3.2 实验工艺流程 |
| 3.3 性能测试与表征 |
| 3.3.1 体积密度与相对密度 |
| 3.3.2 物相分析 |
| 3.3.3 显微结构分析 |
| 3.3.4 微波介电性能测试 |
| 4 ZnTiNb_2O_8陶瓷的固相烧结工艺研究 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 样品制备 |
| 4.3 预烧温度对ZnTiNb_2O_8陶瓷显微结构和性能的影响 |
| 4.4 烧结温度对ZnTiNb_2O_8陶瓷显微结构和性能的影响 |
| 4.5 保温时间对ZnTiNb_2O_8陶瓷显微结构和性能的影响 |
| 4.6 本章小结 |
| 5 ZnTi_(1-x)Zr_xNb_2O_8陶瓷的微波介电性能研究 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 样品制备过程 |
| 5.3 物相组成 |
| 5.4 显微结构 |
| 5.5 体积密度与相对密度分析 |
| 5.6 微波介电性能 |
| 5.7 本章小结 |
| 6 Zn_(1-x)Ca_x(Ti_(0.6)Zr_(0.4)Nb_2O_8陶瓷的微波介电性能研究 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 样品制备过程 |
| 6.3 物相组成 |
| 6.4 显微结构 |
| 6.5 体积密度 |
| 6.6 微波介电性能 |
| 6.7 本章小结 |
| 7 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
四、微波介质陶瓷的显微结构与性能（论文参考文献）
- [1](Mg0.95Mn0.05)2TiO4基微波介质陶瓷的制备及其改性研究[D]. 邓锐. 景德镇陶瓷大学, 2021(12)
- [2]离子取代对SrAl2Si2O8系微波介质陶瓷的结构和性能研究[D]. 朱惠. 西华大学, 2021(02)
- [3]低介电常数AGe4O9（A=Sr,Ba）基微波介电陶瓷的制备与性能研究[D]. 李飞虎. 桂林理工大学, 2021(01)
- [4]微波介电陶瓷材料MgNb2O6的合成及介电特性研究[D]. 吴承浩. 电子科技大学, 2021(01)
- [5]Ge基橄榄石和硅锌矿结构微波介质陶瓷的结构与性能研究[D]. 杨子健. 桂林理工大学, 2021(01)
- [6]石榴石型低介电常数微波介质陶瓷制备与性能[D]. 唐莹. 北京科技大学, 2021
- [7]Ge基石榴石微波介质陶瓷的组分、结构与性能研究[D]. 翟祎凡. 桂林理工大学, 2020(07)
- [8]Li4Mg3Ti2O9基微波介质陶瓷结构与性能研究[D]. 邢春芳. 济南大学, 2020(01)
- [9]锂基岩盐结构微波介质陶瓷的低温烧结与性能优化研究[D]. 张志伟. 桂林理工大学, 2020(01)
- [10]ZnTiNb2O8基微波介质陶瓷的制备与性能研究[D]. 黄雨佳. 景德镇陶瓷大学, 2018(02)