一、晶体硅太阳电池铝背场的研究(论文文献综述)
彭若莹[1](2021)在《激光背膜开窗对MWT/PERC太阳电池性能影响的研究》文中指出金属缠绕穿透(Metal Wrap Through,简称MWT)技术叠加钝化发射极和背面接触(Passivated Emitter and Rear Contact,简称PERC)技术的太阳电池作为一种新型高效薄片电池,将良好的背面钝化效果与MWT太阳电池独特的电池结构相叠加,在提高光电转换效率的同时降低硅材料的生产成本。由于背面钝化层是绝缘层,需要通过一定脉冲的激光作用在电池背面的局部区域,实现良好的电极通路。不同激光参数和图形对电池电性能具有较大的影响,通过调节激光开槽参数能够提高电池转换效率。此外,激光开窗面积和图形对薄片电池弯曲现象具有较大的影响,合理设计背面激光开窗面积和图形能够改善电池弯曲。因此对激光开槽工艺的相关研究显得至关重要,近年来引起了科研人员广泛的研究与讨论。本论文的研究是以单晶硅MWT/PERC太阳电池工艺流程中的激光开槽工艺为核心进行展开。主要研究内容包括激光相关参数的最优匹配、背面激光最佳开窗面积比的设计、最佳开窗面积比基础上对线宽的优化、太阳电池弯曲的机理、不同激光开窗面积对电池弯曲的影响以及新型背面激光开窗图形的设计。通过以上研究内容在提高电性能的同时改善了电池的弯曲。本文首先以激光开槽工艺原理为依据,分别讨论激光功率、激光扫描速度、激光重复频率对电池性能以及光斑形貌的影响,并提出了最优匹配方案,之后通过理论分析与大量实验,本论文提出了一种最佳的激光背面开窗面积比的方案。在最佳激光开窗面积比的基础上提出了线宽度与线疏密程度的最佳匹配方案,将电池的转换效率提高了近0.10%abs.。此外,本论文通过对影响背面激光开窗图形的相关参数进行分析和讨论,得到了实现最佳开窗面积比时的背面开槽图形的相关参数的匹配。针对电池弯曲问题,本文结合Ⅰ-Ⅴ测试数据,通过Abaqus有限元软件模拟和大量实验,确定了太阳电池的电性能以及电池的弯曲度较为理想时的开窗面积比。保持激光开窗面积比不变,本论文设计了一种新型铝硅接触图形,这种新型开窗图形经烧结冷却后应力较为分散,能够较好地改善弯曲。通过实验得到激光开槽工艺采用这种新型点状图形的弯曲度较常规图形减少了 0.397mm,即弯曲度降低了约18.704%。通过这种新型点状图形能够较好地改善了弯曲,对太阳电池弯曲问题的发展提供了新的思路和方法。本论文的工作通过理论、模拟以及实验加以验证,可以用于今后MWT/PERC工艺生产中,不仅具有真实性和可靠性,同时具有一定的创新性,为进一步提高电池的转换效率和改善薄片电池弯曲现象提供了思路和依据。
王子磊[2](2021)在《晶体硅太阳电池中载流子选择性接触材料研究》文中提出晶体硅太阳电池因其高效率、高稳定性以及高性价比的优势占据了大部分光伏发电市场。一直以来,结构的优化、新材料的应用都是太阳电池效率提升的重要途径。过去的几年里,人们开发应用了一大批新的电池结构及其制备技术,包括钝化发射极和背面电池(PERC)、非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)、隧穿氧化钝化(TOPCon)和叉指式全背接触(IBC)等,使晶硅太阳电池实验室效率不断突破,达到了26.7%,进一步逼近理论效率极限。产业化效率也已经推进到24%以上。随着硅片质量的提高,晶体硅体区内复合损失不断减小,各个区域之间接触界面的损失成为了限制效率提升的主要因素。其次,一直以来晶硅电池都是利用高温扩散形成重掺杂Si层来实现载流子的选择性传输,这些重掺杂区域不但会引起高俄歇复合,还会增大电池制造成本,同时,掺杂工艺还要用到多种剧毒气体。因此,探索低成本的方式获得高钝化、低接触电阻的界面,实现载流子的选择性接触是当前普遍认可的硅基电池研发方向之一。非掺杂异质结太阳电池正是该研发方向的成果之一。非掺杂异质结太阳电池是通过筛选合适的化合物材料,采用低成本方法(溶液法、热蒸发等)在Si表面成膜,利用化合物材料功函数和Si能带的匹配,在Si表面构建非对称的能带结构,实现空穴和电子的高效选择性传输。非掺杂异质结太阳电池具有材料选择范围广、无需有毒掺杂剂、可低温加工等优势,在利用低成本材料和制备手段、实现高效电池应用方面潜力巨大。本文围绕n-Si为基底的非掺杂异质结太阳电池,对两种主流的空穴选择性接触材料PEDOT:PSS和Mo Ox开展了全面的探索和优化。同时,开发了一系列新型电子选择性接触材料。基于实验结果,总结出了筛选和改进载流子选择性接触材料的经验性理论。首先通过对PEDOT:PSS/Si异质结电池的研究,阐述了该类电池与传统pn结电池和异质结电池的异同。探讨了各类型添加剂对PEDOT:PSS导电性、功函数、进而对电池效率的影响,以及PEDOT:PSS厚度、Si基底电阻率等因素对电池各参数的影响。针对平面Si/PEDOT:PSS结构反射率高且制绒硅(Textured-Si)与PEDOT:PSS难以保角接触的问题,设计从两方面的实验给出了解决方案。一是控制腐蚀液的成分,调节工艺获得适合于有机物成膜的陷光结构。基于优化的陷光结构制备的异质结电池,在保持高电流密度(>32 m A/cm2)的同时,使填充因子提高了10%。二是选择两种硅烷偶联剂GOPS和TMOS作为PEDOT:PSS的添加剂,利用它们可以同时与Si和PEDOT:PSS成键的特性,增强了Si与PEDOT:PSS之间的粘附力。实验发现,在最佳添加比例3 wt.%(GOPS)和0.5wt.%(TMOS)下,旋涂PEDOT:PSS在金字塔结构Si上,可以形成理想的保角包覆,抑制了PEDOT:PSS与Si界面的复合,在器件性能上表现为开路电压和填充因子的大幅提高。其次对Mo Ox材料开展了系统的研究。针对纯的Mo Ox无法同时获得高功函数和高导电性的关键性问题,从理论上分析了Mo Ox材料功函数的来源及其用于器件有效功函数减小的内在机理。针对性地提出了氢化解决方案,并基于该方案设计并搭建了热丝氧化升华系统用于沉积掺杂的Mo Ox薄膜。氢化Mo Ox薄膜在功函数几乎不变的前提下呈现高的导电性,接触电阻明显降低,并且在高湿度环境下的稳定性显着提高。70%湿度下放置10 h以上,钝化性能仍然维持在97%以上。针对Mo Ox/Si结构的接触电阻热稳定性差的问题,设计了WOx/Mo Ox复合薄膜,利用WOx中O不易扩散特征抑制界面氧化层的生成,钝化和接触电阻的稳定性同时得到有效提升。最后面向太阳电池的电子端,开发了一系列新型的碱金属乙酸盐(AMAc)材料及其与本征非晶硅的复合结构(AMAc/a-Si:H(i))作为电子选择性接触。通过参数优化,AMAc/Si接触获得了9 mΩ?cm2的超低接触电阻,AMAc/a-Si:H(i)兼具低接触电阻(11 mΩ?cm2)和优异的界面钝化(复合电流密度J0c~12 f A/cm2)性能,应用于p+n结电池获得了接近20%的转换效率。理论模拟电子接触层特征参数对电池效率的贡献,表明钝化和导带匹配至关重要。选择Zn O为电子选择接触材料并对其进行锂掺杂,获得功函数为3.85 e V且与n-Si导带带阶小于0.2e V的锂掺杂Zn O(Li-Zn O)薄膜,用于PEDOT:PSS/Si异质结电池得到了15%以上的转换效率。
张良,李化阳,李良,姚玉,王霞,王俊[3](2020)在《晶体硅太阳电池背面套印图形设计对电池性能和组件性能的影响》文中指出以晶体硅太阳电池背面套印图形为研究对象,通过设计背电场和背电极套印方式以及背电极图形,对背面不同套印图形的接触电阻、电池的电性能和组件性能进行研究。研究结果表明:背面铝背场和银电极在重叠面积为4.35%,且背电极蜈蚣脚间距为1 mm时的接触电阻最小,电池效率提升最大,同时组件输出功率增益最多。该研究为晶体硅太阳电池背面套印图形设计和背电极图形的优化提供指导。
陈文浩[4](2020)在《晶体硅太阳电池先进背钝化技术的研究及其应用》文中指出硅基太阳电池占据着太阳电池行业的主流市场地位,其正表面结构已基本完善,而背表面的优化成为关注的焦点。进一步改善电池背表面的钝化结构有助于获得更佳的电学性能表现。目前最为流行的两种背钝化方案可通过背表面接触结构区分为使用绝缘介质膜钝化,通过局部开孔方式实现金属半导体接触的局部接触背钝化结构和使用钝化接触结构的全面积接触背钝化结构。针对它们各自特点我们分别开展了工作:对于结构相对成熟的局部接触背钝化结构,拟制备一种低成本双面多晶PERC(passivated-emitter and rear cell)电池,借助新开发的腐蚀性铝浆直接穿透背钝化膜形成铝栅线替代原有的全铝背电极设计实现双面发电;基于热硝酸氧化超薄界面氧化硅和PECVD沉积的本征非晶硅,并通过磷热扩散方式实现的全面积钝化接触结构,详细探究了 PECVD沉积工艺对钝化接触结构材料性质以及钝化质量、接触电阻率等电学性能的影响,并建立它们之间的联系。对于局部接触背钝化结构,它的钝化结构主要由非金属接触区域和金属接触区域两部分构成。首先是非金属接触区域采用的Al2O3加SiN.x的叠层膜钝化,它主要依靠Al2O3薄膜和Si界面的固定负电荷所产生的场钝化。当Al2O3厚度小于10nm时,钝化质量表征参数隐开路电压(iVoc)随厚度增加而增加,得益于薄膜均匀性随厚度提高而增强,同时固定电荷数亦有所增加。而当厚度超过10 nm后,iVoc大于660 mV,厚度进一步提高,iVoc不再明显提升。此外叠加20 nm SiNx薄膜可提升叠层膜的氢钝化效果,将iVoc进一步提升10 mV以上,达670 mV。而金属接触区域的钝化依赖Al在硅片表面形成的背掺杂层(BSF),钝化质量随BSF厚度增加而提高。双面PERC电池的制备基于此钝化结构,采用10 nm Al2O3加20 nm SiNx叠层膜组合可在实现优良钝化质量的同时保证新开发腐蚀性铝浆的穿透能力,并在金属接触区域形成均匀的BSF层。在铝浆丝网印刷后增加预烧结工艺可以有效改善铝栅线边缘的局部BSF形成情况。最终获得了最高正面效率19.86%,背面效率13.65%的双面多晶太阳电池。分别使用光注入退火和电注入退火均可将它的光致衰减率抑制在1.2%以下。同时,在光照条件下385℃退火处理3 min,有助于进一步提高成品电池效率。基于计算模拟得知该种电池的能量损失主要来源于质量较差的多晶硅基体和背钝化质量,并进一步分析了硅片电阻率,厚度,铝栅线宽度以及SiNx薄膜厚度等对于电池效率的影响。对于全面积钝化接触结构,它由一层超薄界面氧化硅和掺杂多晶硅层所构成。该结构在起到钝化作用的同时还承担多数载流子的输运,故须平衡钝化质量与接触电阻率之间的关系。本文分析了主要PECVD沉积参数(温度、功率和压力)对其电性能的影响。适度的界面氧化层破坏程度才能保证钝化质量的同时,获得较低的接触电阻率值。同时掺杂多晶硅的掺杂浓度和结晶度也会对它们造成影响。当沉积温度提高时,本征非晶硅薄膜中会产生更多的微晶或多晶相,并在热扩散过程中作为形核中心导致最终的掺杂多晶硅结晶度提高,接触电阻率下降。但过高的结晶度也会带来更高的界面层缺陷态密度,造成钝化质量下降。薄膜致密度随沉积温度的提高而提高,磷原子在致密薄膜中的扩散系数更低,导致更低的掺杂浓度,界面氧化层破坏程度小。最终的钝化质量随沉积温度升高,先上升后轻微下降。沉积功率对于薄膜结晶度和致密度的影响不大,其最终接触电阻率基本维持不变。而较低的沉积功率不利于反应气体的充分分解,较高的功率会导致氢含量提高,出现起泡现象,造成钝化质量下降。较低的沉积压强会导致结晶度和致密度的下降,接触电阻率上升,其对应薄膜中磷原子掺杂浓度更高,导致硅基体的俄歇复合相对严重,造成钝化质量轻微下降。最终在420℃,500 W,0.2 mbar PECVD沉积温度,800℃热扩散温度条件下获得最高iVoc为742 mV,同时接触电阻率低至6.4mΩ·cm2。将该方法制备的钝化接触结构直接用于电池的背表面钝化可获得效率达24.7%的高效太阳电池。使用计算模拟分析了此钝化结构用于太阳电池背钝化结构时的主要优势,相较于局部接触钝化结构,它可以更加有效抑制背表面的复合,获得极佳的背钝化效果,同时避免了载流子在硅基体中的横向输运。
李宏涛[5](2019)在《太阳能电池铝背场与铝带连接的超声钎焊》文中认为太阳能光伏发电的成本约为常规能源发电成本的2倍,制约了光伏产业的发展。若能从焊接工艺入手,降低其制造成本,提升其光电性能,将有利于光伏发电的规模化应用。多晶硅太阳能电池的背面常烧结铝涂层,形成良好的欧姆接触,称为铝背场,具有降低少数载流子的表面复合率、作为良好的反射器提高光的吸收率与改善对红外线的响应等作用。由于铝涂层上氧化膜存在去除困难的问题,不利于钎焊连接焊带,工业上常在电池背面制作银电极,但其弊端是阻碍背场的形成,降低电池的开路电压。若能避免银电极的使用,可以提升太阳能电池的光电性能,并减少生产成本,因此考虑向铝背场上直接连接焊带。采用超声波辅助钎焊的方法,利用Sn基钎料涂,实现铝背场和铝焊带的直接连接。研究了铝背场上氧化膜的去除与铝背场溶解的规律,分析了不同超声时间下界面的演变及其对剥离力和接头电阻的影响,并对比研究了分别连接至铝背场和银电极时电池组件的光电性能。铝背场上超声涂敷Sn-3.5Ag钎料,钎料填入铝颗粒缝隙,去膜后润湿,随着超声时间增加,铝颗粒氧化膜破碎增多,最后被全部去除。铝颗粒被钎料包围后,出现氧化膜缺口,少量铝溶解于钎料,随着溶解得越来越多,逐渐生成Ag2Al,Ag3Al2,析出α-Al。加载超声时间为10s时,铝背场完全溶解于钎料。涂敷Sn-3.5Ag钎料后的接头电阻随着加载超声时间的增加先下降后上升,在6s左右得到最低值为1.26 mΩ。分析发现,接头电阻是由铝颗粒层电阻和Al掺杂p+层薄膜电阻共同决定的。超声时间较短、铝颗粒层氧化膜未去除时,主要受铝颗粒层影响,电阻较大。随着铝颗粒层去膜、润湿、溶解,铝颗粒层电阻下降,此时Al掺杂p+层薄膜电阻上升,接头电阻增大。测试了铝焊带连接至铝背场后接头的力学性能,加载超声时间较长时,铝背场溶解加剧,接头的剥离力也明显增大,超声时间6s时剥离力为1.44 N/mm,在10s时可达2.06 N/mm。通过对比不同背电极对组件光电性能的影响,发现超声涂敷铝背场2s后连接铝焊带,光电性能较差,超声涂敷6s左右的性能较稳定。时间为6s,光入射功率为88.0 mW/cm2时的填充因子为0.71343,光电转换效率为19.909%,高于同等光照条件下,背电极为银电极时的填充因子0.59822,光电转换效率16.045%。
刘雷[6](2019)在《PERC太阳能电池铝背场性能研究》文中指出太阳能电池是一种能够将光能直接转化为电能的半导体器件,其中晶体硅太阳能电池具有转换效率高、长期工作可靠性好等优点,一直以来在光伏市场占据主导地位。PERC电池(Passivated Emitter and Rear Cell)是一种在常规晶体硅电池结构上改进的电池技术,由于在背面采用钝化和局域接触结构,显着降低了电池背表面载流子的复合速率,使得电池性能有较大的提高,是近期的研究热点之一。PERC电池结构的改进在提高性能的同时,也对铝背场浆料提出了特殊的要求,局域铝背场的形成机理也与常规电池有较大不同。本文研究了PERC电池背场铝浆中的关键组分玻璃粉对PERC电池铝背场性能的影响规律,并对PERC电池铝背场的烧结机理及相关现象进行了分析。论文研究了V、Pb、Bi三种体系玻璃的热特性及三种铝浆制备的PERC电池性能。V系玻璃转变温度Tg较高,熔化温区(Tm-Tg)较宽,制作的电池效率较高,背场附着特性和水煮特性较好;Pb-B-Si系玻璃,Tg在450℃左右,没有明显的熔化温区,制作的电池效率较低,背场水煮特性差;Bi-B-Zn系玻璃熔化温区较宽,但Tg较低,在370℃左右,制作的电池效率较低,背场附着性能一般。V系玻璃转变温度Tg与其他两种玻璃相比较高,且熔化温区较宽,烧结过程中能够有效的促进Al-Si局域接触的形成而不过多的损害钝化层,具有较高的开路电压和转换效率。论文对V玻璃的形成体V-B-Si的配比及修饰体Ba含量变化对PERC电池铝背场性能的影响进行了深入研究。当形成体氧化物重量比在w(V2O5):w(B2O3):w(SiO2)=25:10:15时,制备电池综合性能最优,效率达19.21%,背场外观性能较好。通过对玻璃综合差热分析,发现电池效率随玻璃Tg增大呈先上升后下降的趋势,在Tg=500℃左右时效率最佳。修饰体BaO的含量会影响电池背场特性,BaO含量较高,电池铝背场方阻和外观特性较好,BaO含量较低,方阻和外观特性则会变差。论文还研究了V玻璃与Pb玻璃两种体系玻璃混合对电池性能的影响,混合玻璃铝浆制备的电池性能与单种玻璃的含量呈线性关系,玻璃对电池性能和外观的影响直接与玻璃的含量有关。论文采用扫面电镜(SEM)、X射线能量色散光谱仪(EDS)等分析手段,分析了PERC电池局域铝背场及铝膜的微观结构和元素分布。研究发现,在烧结过程中,PERC电池铝背场局域接触位置处的Si元素会向铝层中进行纵向和横向扩散,接触孔洞附近的铝层中Si含量较大,会在铝背场表面形成深色区域(Si),深色区域宽度与局域接触孔洞的尺寸成正比。铝背场的方阻和附着特性的好坏与深色区域宽度成正比,深色区域宽度越宽的背场铝膜中,烧结过程中Si扩散到铝层后形成的铝硅合金区域越宽,铝背场获有更好的性能。局域接触位置会出现空洞,空洞的形成发生在烧结过程中的冷却阶段,由铝硅接触位置处的铝硅熔体收缩回铝层所致。铝硅熔体的收缩程度存在无收缩、部分收缩和完全收缩三种情况,最终导致局域接触形成完全填充、部分填充和无填充的三种局域铝背场状态。
季剑汾[7](2019)在《晶硅太阳能电池用铝浆的制备及性能研究》文中提出工业化的快速发展在促进社会的进步的时候,同时也导致了石油、煤及天然气等不可再生能源的快速消耗,寻找一种资源节约型和环境友好型的替代能源已经迫在眉睫。在这其中,太阳能因其清洁、无污染及储备丰富,被看作为最佳的候选能源。而太阳能电池技术正是一种可以将太阳能转变为电能的热门研究技术。晶硅太阳能电池因其高效率及技术成熟而应用的最为广泛。在晶硅太阳能电池中铝浆扮演着重要的角色。铝浆在高温烧结时铝与硅合金化而形成很好的欧姆接触,从而可以提高电池的开路电压,降低串联电阻,降低背表面复合速率。本文通过对电池以及铝浆制备工艺的分析,建立了铝浆性能的测试方法。通过对玻璃粉组成的研究,得出了铝浆用玻璃粉的最优组成。另外考察了铝浆中铝粉的不同粒径,不同玻璃粉的含量,有机载体的组成以及烧结工艺对电池的性能影响。具体研究成果如下:(1)通过对太阳电池的生产工艺的分析,分析了铝浆的作用机理。通过对铝浆的组成以及制备工艺的研究分析了铝浆中铝粉、玻璃粉以及有机载体的作用。此外,为了分析与研究铝浆及太阳能电池的性能,结合自身实际条件以及客户要求,建立了一个太阳能电池性能的综合测试手段,包括铝浆的粘度、固含量、电池片的方阻、电池翘曲、附着拉力以及电池效率的一系列测试方法。(2)通过优选玻璃粉的组成,改变玻璃粉成分的比例,借助DSC对玻璃粉的软化点测试、XRD对玻璃粉状态的分析以及附着拉力的测试,确定了玻璃粉的组成以及最优含量为B2O3:45%,Zn O:35%,Si O2:4%以及Bi2O3:16%。通过对球磨工艺以及烧结工艺条件改变的研究,确定了最佳球磨时间为4h,当玻璃粉的粒径减小到合适的范围时,有助于铝硅的共熔。最佳烧结温度为1100℃。较高的烧结温度有助于金属氧化物的晶格形成稳定的网络结构,形成玻璃态。(3)通过不同粒径铝粉的复配确定了铝浆用铝粉中小粒径铝粉与大颗粒铝粉的比例为30%:70%。通过考察不同玻璃粉比例对铝浆以及电池性能的影响,确定了铝浆中玻璃粉的最优含量为3%。通过对浆料印刷性能的考察,确定了铝浆中有机载体的组成。通过改变烧结温度,研究不同烧结温度对电池效率以及外观的影响。提高烧结温度在增加P+层的厚度的同时也会带来高翘曲以及铝苞的外观问题,烧结温度不宜过高,优选为795℃。
顾浩[8](2019)在《SiO2纳米球辅助扩散和单晶硅太阳电池研制与性能研究》文中研究指明p-n结作为太阳电池的核心结构,其质量的好坏会显着影响太阳电池的光电转换效率。工业上,n型层扩散常用POCl3为磷源,p型层扩散常用BBr3为硼源,而两种扩散源都具有很强的腐蚀性,操作不当会对人产生严重的危害。本文采取低危的磷酸和硼酸为磷源和硼源进行热扩散,并对太阳电池的制造技术进行了系统的研究,最终通过选择最佳的工艺条件制备了p型太阳电池。首先,在p型单晶硅片基底上,使用磷酸作为磷源,将磷源旋涂于硅片表面,然后进行高温热扩散制备p-n结。采用四探针方阻测试仪、电化学微分电容电压(ECV),对发射极性能进行表征;采用少子寿命测试仪测试扩散前后样品的少子寿命。针对扩散均匀性差的问题,将磷酸溶液中添加单分散的SiO2纳米球进行旋涂扩散,并与未添加纳米球的磷源对比。结果表明,扩散的均匀性由未添加二氧化硅纳米球的86.0%提高到添加二氧化硅纳米球的96.5%,少子寿命由42μs提升到56μs。采用不同粒径的二氧化硅纳米球辅助旋涂,通过扫描电镜测试分析了扩散均匀性提升机理。综合分析采用230 nm粒径的二氧化硅纳米球辅助扩散效果较好。采用不同浓度的磷酸溶液进行扩散后发现,随着磷酸溶液浓度的提升,扩散后方块电阻逐渐降低,掺杂浓度逐渐上升。结深因磷酸浓度变化较小。综合考虑PC1D的模拟结果,采用磷酸浓度为65%,扩散温度为940℃,保温时间40 min时,扩散后具有较高质量的发射极。对于p+型层的制备,本文使用添加SiO2纳米球的硼酸作为硼源,将硼源旋涂于p型硅片表面,进行高温热扩散制备p/p+高低结。通过改变硼酸溶液浓度、温度和保温时间进行扩散。采用方阻测试、少子寿命测试和ECV等对扩散后的样品进行性能表征,深入研究了以上因素对扩散过程的影响。结合PC1D的模拟结果,当硼酸浓度为5 g/100mL,扩散温度940℃,保温时间40 min时,表面掺杂浓度为8×1018·cm-3,结深为0.28μm,表面均匀性为96.5%,少子寿命为3.39μs,高低结具有良好的综合性能。通过综合分析p-n结和高低结的制备工艺,选择浓度为65%的磷酸溶液,结合二氧化硅纳米球辅助扩散制备发射极并通过标准化太阳电池生产工艺,生产了p型常规太阳电池。此外采用硼磷共扩散的方式,在940℃下保温40 min,制备了正面p-n结和背面p/p+高低结,随后通过标准化太阳电池生产线制备了硼背场太阳电池。电池电性能测试表明,无二氧化硅纳米球辅助扩散,效率较低,片内效率均匀性差,效率最高仅为12.16%,其电致发光(EL)测试表明其电池性能很差。使用二氧化硅纳米球辅助扩散太阳电池的效率达到17.09%,且片内均匀性好。电池EL测试表明电池发光亮度均匀,无烧结不良等情况。硼背场太阳电池相较于常规太阳电池其开路电压、短路电流和填充因子均获得了一定的提升,相较于常规太阳电池,其EL亮度更高。电池的效率最高达到19.19%。
徐龙[9](2019)在《硼掺杂纳米硅浆料的激光熔覆机理及实验研究》文中认为为了解决传统PERC型太阳能电池局部铝背场中P+层载流子浓度不高,背面结深较浅及孔洞比例较高等问题,本文对纳秒激光在太阳能硅基片上熔覆一种重掺杂硼的纳米硅浆料的过程进行了基础性研究,并将此工艺兼容到PERC电池产线中以制备局部硼铝背场,分析硼铝背场对电池性能变化的影响。本文的主要研究内容为:(1)以重掺杂P型单晶硅为原料,通过脉冲放电和高能球磨组合工艺,制备出粒径(D50)在80nm左右的纳米硅颗粒;并将硅颗粒与有机载体充分混合制备出硅浆料。通过大量印刷试验,确定了最佳的有机载体配方。使得硅浆料具备良好承印性,以实现印刷过程中图案的精确转移;(2)结合半导体硅材料对光的吸收机理,考虑硅材料随温度变化的属性以及潜热、热源和边界条件等因素,分别采用“傅里叶传热方程”和“双温方程”研究纳秒和皮秒脉宽条件下激光熔覆纳米硅浆料的温度场分布,同时利用单因素仿真试验研究了纳秒激光作用下激光功率、扫描速度和重复频率对熔池中最高温度、基体材料的最高温度和熔池面积的影响规律;(3)利用工艺参数的正交试验对纳秒激光熔覆过程进行分析,结果表明:激光功率为26W,扫描速度为16m/s,重复频率为350kHz时,具有质量较好的表面形貌、截面熔覆层结构和较高的生产效率;(4)将纳秒激光熔覆工艺兼容到PERC电池生产工艺中进行电池试验,采用不同的工艺,对比分析试验组和对照组电池的效率,结果表明,试验组电池平均效率可达到21.65%,效率提升0.12%。
马君杰,冯斌,钟海锋[10](2018)在《硅基太阳电池及其所用正银浆料概述》文中提出介绍了不同硅基太阳电池技术优势及其所用正面导电银浆的作用及组成,对比了国内外各正银浆料供应商针对不同电池技术所研发的正面银浆,分析了各种正银浆料产品的不同与现状,总结并展望了未来高效电池技术及正银浆料发展的方向,为未来光伏技术的发展及正银浆料国产化提供了一定的思路。
二、晶体硅太阳电池铝背场的研究(论文开题报告)
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、晶体硅太阳电池铝背场的研究(论文提纲范文)
(1)激光背膜开窗对MWT/PERC太阳电池性能影响的研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 绪论 |
1.1 研究背景 |
1.2 晶体硅太阳电池的发展与研究现状 |
1.3 课题研究内容与意义 |
1.3.1 主要研究内容 |
1.3.2 研究意义 |
第二章 晶体硅太阳电池基本理论 |
2.1 光伏发电基本理论 |
2.1.1 PN结及光生伏特效应 |
2.1.2 太阳电池的主要参数 |
2.1.3 常规铝背场太阳电池 |
2.1.4 晶体硅表面钝化原理 |
2.2 高效电池的制备过程 |
2.2.1 钝化发射极背接触电池的制备 |
2.2.2 金属缠绕穿透技术电池的制备 |
2.2.3 MWT/PERC太阳电池的制备 |
2.3 激光技术的应用 |
2.3.1 激光的概念及特性 |
2.3.2 激光的相关应用 |
第三章 激光参数对MWT/PERC背膜开槽影响的研究 |
3.1 激光设备与实验材料 |
3.2 激光功率对晶体硅电池性能影响 |
3.3 激光扫描速度对晶体硅电池性能影响 |
3.4 激光重复频率对晶体硅电池性能影响 |
3.5 激光功率、激光扫描速度、重复频率的相关匹配 |
3.6 本章小结 |
第四章 背面开窗面积比的研究与优化 |
4.1 背面开窗面积的影响及相关优化方向 |
4.2 激光开窗最佳开窗面积比 |
4.3 最佳开窗面积比基础上对线宽的优化研究 |
4.4 激光图形的相关参数 |
4.4.1 激光开槽面积相关计算 |
4.4.2 实虚比 |
4.4.3 线间距 |
4.4.4 光斑大小、相邻光斑间距 |
4.5 本章小结 |
第五章 背面激光开槽对MWT/PERC电池弯曲度的研究 |
5.1 太阳电池弯曲现象 |
5.2 太阳电池弯曲机理 |
5.3 激光开窗面积对电池弯曲的影响 |
5.3.1 正银栅线以及切割线痕的影响 |
5.3.2 不同开窗面积比实验中弯曲变化规律 |
5.3.3 不同开窗面积Abaqus模拟弯曲变化规律 |
5.4 新型点状背面开窗图形设计 |
5.5 本章小结 |
总结与展望 |
致谢 |
参考文献 |
附录: 作者在攻读专业硕士学位期间发表的论文及申请的专利 |
(2)晶体硅太阳电池中载流子选择性接触材料研究(论文提纲范文)
中文摘要 |
Abstract |
第一章 绪论 |
1.1 引言 |
1.2 硅基太阳电池基本原理及研究现状 |
1.2.1 太阳电池工作原理及参数分析 |
1.2.2 晶体硅太阳电池效率损失机制 |
1.2.4 晶硅太阳电池发展历史和研究现状 |
1.3 硅基非掺杂异质结太阳电池 |
1.3.1 空穴选择性接触材料 |
1.3.2 电子选择性接触材料 |
1.4 本论文研究内容 |
参考文献 |
第二章 PEDOT:PSS的空穴选择性能研究 |
2.1 引言 |
2.2 PEDOT:PSS/planar-Si电池性能研究 |
2.2.1 电池的制备 |
2.2.2 极性溶剂对PEDOT:PSS/Si电池性能的影响 |
2.2.3 表面活性剂对PEDOT:PSS/Si电池性能的影响 |
2.2.4 PEDOT:PSS厚度对电池性能的影响 |
2.2.5 硅片电阻率对电池性能的影响 |
2.3 PEDOT:PSS/textured-Si电池性能研究 |
2.3.1 Si-nanowires结构的制备及调控 |
2.3.2 Si-nanoholes结构的制备 |
2.4 硅烷偶联剂对Textured-Si/PEDOT:PSS接触的影响 |
2.5 本章小结 |
参考文献 |
第三章 过渡金属氧化物的空穴选择性研究 |
3.1 引言 |
3.2 MoO_x薄膜的制备及其性能表征 |
3.2.1 热丝氧化升华沉积系统的搭建 |
3.2.2 MoO_x/Si接触性能的表征 |
3.2.3 MoO_x/a-Si:H(i)/Si接触性能的表征 |
3.3 氢掺杂对氧化钼薄膜的改性 |
3.4 WO_x/MoO_x叠层薄膜的稳定性研究 |
3.5 本章小结 |
参考文献 |
第四章 碱金属乙酸盐(AMAcs)的电子选择性研究 |
4.1 引言 |
4.2 AMAc/Si接触性能 |
4.2.1 实验流程 |
4.2.2 AMAc薄膜的电子选择性 |
4.3 a-Si:H(i)/AMAc复合层作为电子选择性接触 |
4.4 AMAc材料在太阳电池中的应用 |
4.5 本章小结 |
参考文献 |
第五章 氧化锌的掺杂及其电子选择性研究 |
5.1 引言 |
5.2 ZnO掺杂及其性能调控 |
5.2.1 实验流程 |
5.2.2 ZnO的掺杂及性能表征 |
5.3 a-Si:H(i)/Li-ZnO电子选择性能及器件应用 |
5.4 本章小结 |
参考文献 |
第六章 结论与展望 |
6.1 主要结论 |
6.2 研究展望 |
在学期间的研究成果 |
致谢 |
(3)晶体硅太阳电池背面套印图形设计对电池性能和组件性能的影响(论文提纲范文)
0 引言 |
1 实验 |
1.1 实验设计 |
1.2 背电极和背电场套印设计 |
1.3 接触方阻测试方法 |
2 结果与讨论 |
2.1 背电极与背电场接触电阻 |
2.2 背面套印图形对电池性能的影响 |
2.3 背面套印图形对组件性能的影响 |
3 结论 |
(4)晶体硅太阳电池先进背钝化技术的研究及其应用(论文提纲范文)
摘要 |
ABSTRACT |
第一章 绪论 |
1.1 太阳能发电技术概述 |
1.2 高效背钝化太阳电池技术 |
1.2.1 局部接触背钝化结构 |
1.2.2 选择性钝化接触结构 |
1.3 表面钝化原理及其表征 |
1.4 太阳电池背钝化技术存在的问题 |
1.5 本文的研究内容和目的 |
第二章 双面多晶PERC电池设计及优化 |
2.1 引言 |
2.2 实验方法 |
2.3 背钝化结构制备及优化 |
2.3.1 铝浆选择 |
2.3.2 背钝化膜选择 |
2.3.3 栅线边缘优化 |
2.4 后热退火工艺研究 |
2.5 电学性能表现及计算模拟优化 |
2.5.1 电池电学性能表现 |
2.5.2 电池发电功率计算模拟 |
2.5.3 内部能量损失分析 |
2.5.4 结构设计模拟优化 |
2.6 双面多晶PERC电池成本评估 |
2.7 本章小结 |
第三章 磷掺杂多晶硅钝化接触结构的制备及优化 |
3.1 引言 |
3.2 实验方法及关键设备 |
3.3 PECVD沉积温度影响 |
3.3.1 Raman和GIXRD测试结果 |
3.3.2 Micro-PL测试结果 |
3.3.3 FTIR测试结果 |
3.3.4 钝化接触结构性能表现 |
3.4 PECVD沉积功率影响 |
3.5 PECVD沉积压强影响 |
3.6 扩散温度影响 |
3.7 钝化接触结构在太阳电池中的应用 |
3.8 本章小结 |
第四章 结论与展望 |
4.1 研究结论 |
4.2 本文创新点 |
4.3 进一步工作展望 |
致谢 |
参考文献 |
攻读学位期间的研究成果 |
(5)太阳能电池铝背场与铝带连接的超声钎焊(论文提纲范文)
摘要 |
ABSTRACT |
第1章 绪论 |
1.1 课题背景及意义 |
1.2 太阳能电池的研究现状 |
1.2.1 太阳能电池的发展 |
1.2.2 多晶硅太阳能电池的结构及发电原理 |
1.2.3 多晶硅太阳能电池的制作工艺流程 |
1.3 铝背场的特性 |
1.3.1 铝背场的制作 |
1.3.2 铝背场的结构与性质 |
1.4 太阳能电池组件连接的研究现状 |
1.4.1 焊接方法 |
1.4.2 钎料 |
1.4.3 焊带 |
1.5 国内外文献综述的简析 |
1.6 主要研究内容 |
第2章 试验材料、设备与研究方法 |
2.1 引言 |
2.2 试验材料与设备 |
2.2.1 试验材料 |
2.2.2 试验设备 |
2.3 试验研究方法 |
2.3.1 铝烧结涂层上钎料的涂敷 |
2.3.2 铝烧结涂层与焊带的连接 |
2.3.3 太阳能电池组件的连接 |
2.4 微观分析及性能测试 |
2.4.1 试样制备与微观形貌观察 |
2.4.2 接头连接焊带后的剥离力 |
2.4.3 接头电阻的测量 |
2.4.4 光电性能测试 |
第3章 铝颗粒层氧化膜的去除与溶解规律研究 |
3.1 引言 |
3.2 铝颗粒层氧化膜去除 |
3.3 铝背场的溶解 |
3.4 连接焊带后界面的微观形貌 |
3.5 本章小结 |
第4章 铝背场溶解对接头剥离力与电阻的影响分析 |
4.1 引言 |
4.2 铝背场溶解程度对接头剥离力的影响 |
4.3 铝背场不同界面的电阻 |
4.4 铝背场溶解程度对接头电阻的影响 |
4.5 不同钎料对接头电阻的影响 |
4.6 本章小结 |
第5章 银电极的接头电阻以及钎焊铝背场和银电极后光电性能的对比分析 |
5.1 引言 |
5.2 不同电极对接头电阻的影响 |
5.3 不同电极对光电性能的影响 |
5.4 本章小结 |
结论 |
参考文献 |
致谢 |
(6)PERC太阳能电池铝背场性能研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
1 绪论 |
1.1 太阳能电池简介 |
1.2 晶体硅太阳能电池技术发展 |
1.3 PERC电池铝背场研究现状 |
1.4 研究目的、意义及研究内容 |
2 PERC电池原理及背场实验设计 |
2.1 PERC电池结构与性能 |
2.2 PERC电池钝化机理 |
2.3 PERC电池局域铝背场烧结机理 |
2.4 PERC电池铝背场实验设计 |
3 V、Pb、Bi玻璃对PERC电池铝背场性能的影响 |
3.1 V、Pb、Bi玻璃配方设计 |
3.2 V、Pb、Bi玻璃热特性分析 |
3.3 三种玻璃对PERC电池电性能的影响 |
3.4 三种玻璃对PERC电池铝背场外观性能的影响 |
3.5 本章小结 |
4 V-B-Si-Ba玻璃对PERC电池铝背场性能的影响 |
4.1 V-B-Si配比研究 |
4.2 Ba的含量对PERC电池铝背场性能的影响 |
4.3 复合玻璃对PERC电池铝背场性能的影响 |
4.4 本章小结 |
5 PERC电池铝背场微观结构分析 |
5.1 铝背场烧结过程中Si的扩散机理 |
5.2 Si的扩散对PERC电池铝背场性能的影响 |
5.3 铝背场局域接触微观结构分析 |
5.4 本章小结 |
6 总结与展望 |
6.1 总结 |
6.2 展望 |
致谢 |
参考文献 |
附录1 攻读硕士学位期间发表论文 |
(7)晶硅太阳能电池用铝浆的制备及性能研究(论文提纲范文)
摘要 |
ABSTRACT |
第一章 文献综述 |
1.1 引言 |
1.2 中国光伏发电产业的发展历程 |
1.3 太阳能电池的原理与种类 |
1.3.1 硅太阳能电池 |
1.3.2 有机太阳能电池 |
1.3.3 薄膜太阳能电池 |
1.3.4 染料敏化太阳能电池 |
1.4 晶硅太阳能电池用铝浆的研究 |
1.4.1 铝浆的应用及发展 |
1.4.2 铝浆的组成及各组分的作用 |
1.4.3 铝浆研究面临的问题 |
1.5 本课题的研究意义与选题内容 |
1.5.1 研究意义 |
1.5.2 选题内容 |
第二章 电池与铝浆的制备工艺及其性能测试 |
2.1 晶硅太阳能电池的制备工艺 |
2.2 晶硅太阳能电池用铝浆的制备工艺 |
2.3 晶硅太阳能电池用铝浆的性能测试 |
2.3.1 铝浆的粘度测试 |
2.3.2 铝浆的固含量测试 |
2.3.3 方阻测试 |
2.3.4 铝背场翘曲的测试 |
2.3.5 EVA 拉力测试 |
2.3.6 耐水煮的测试 |
2.3.7 铝粉氧含量的测试 |
2.3.8 电性能的测试 |
2.4 本章小结 |
第三章 铝浆用玻璃粉的研究 |
3.1 玻璃粉组成物的选择 |
3.2 玻璃粉的制备及性能测试 |
3.2.1 玻璃粉的制备工艺 |
3.2.2 玻璃粉的性能表征 |
3.3 结果与讨论 |
3.3.1 玻璃粉各组成比例的研究 |
3.3.2 烧结工艺对玻璃粉性能的影响 |
3.3.3 球磨工艺对玻璃粉性能的影响 |
3.4 本章小结 |
第四章 高性能铝浆的制备与性能测试 |
4.1 引言 |
4.2 实验部分 |
4.3 结果与讨论 |
4.3.1 铝粉的选择 |
4.3.2 玻璃粉含量对电池性能的影响 |
4.3.3 有机载体含量对电池性能的影响 |
4.3.4 无机添加剂对电池性能的影响 |
4.3.5 烧结工艺对电池性能的影响 |
4.4 本章小结 |
结论 |
参考文献 |
致谢 |
(8)SiO2纳米球辅助扩散和单晶硅太阳电池研制与性能研究(论文提纲范文)
摘要 |
abstract |
第一章 绪论 |
1.1 晶体硅太阳电池概述 |
1.1.1 晶体硅太阳电池基本原理 |
1.1.2 晶体硅太阳电池的结构 |
1.1.3 晶体硅太阳电池研究现状 |
1.2 太阳电池扩散技术简介 |
1.2.1 扩散原理简介 |
1.2.2 扩散工艺与方法 |
1.3 课题研究内容及目标 |
1.3.1 课题研究内容 |
1.3.2 研究目标 |
第二章 实验设备、材料制备与性能表征技术 |
2.1 主要实验设备及原料 |
2.1.1 主要实验设备 |
2.1.2 太阳电池生产线设备 |
2.1.3 实验原料 |
2.2 制备方法 |
2.2.1 硅片衬底处理 |
2.2.2 二氧化硅纳米球的制备 |
2.2.3 硼和磷的扩散研究 |
2.3 性能表征技术 |
2.3.1 四探针电阻率/方阻测试仪 |
2.3.2 少子寿命测试仪 |
2.3.3 电化学微分电容电压(ECV)测试 |
2.3.4 扫描电子显微镜 |
2.3.5 太阳电池性能测试仪 |
2.3.6 电致发光(EL)测试 |
2.4 太阳电池仿真软件—PC1D |
第三章 太阳电池正面发射极制备技术研究 |
3.1 引言 |
3.2 二氧化硅纳米球对扩散性能的影响 |
3.2.1 磷扩散扫描电镜分析 |
3.2.2 磷扩散方块电阻分析 |
3.2.3 磷扩散表面浓度和结深分析 |
3.2.4 二氧化硅纳米球对少子寿命的影响分析 |
3.3 二氧化硅粒径对扩散性能的影响 |
3.3.1 二氧化硅纳米球粒径SEM测试 |
3.3.2 二氧化硅纳米球粒径对方块电阻的影响分析 |
3.4 不同发射极的太阳电池性能模拟 |
3.4.1 表面浓度、结深对开路电压的影响 |
3.4.2 表面浓度、结深对短路电流密度的影响 |
3.4.3 表面浓度、结深对效率的影响 |
3.5 磷酸浓度对扩散性能的影响 |
3.5.1 磷酸浓度对方块电阻的影响 |
3.5.2 磷酸浓度对表面掺杂浓度的影响 |
3.5.3 磷酸浓度对结深的影响 |
3.6 本章小结 |
第四章 太阳电池硼背表面场制备及性能研究 |
4.1 引言 |
4.2 硼背场对电池性能影响模拟研究 |
4.3 硼酸浓度对扩散性能的影响 |
4.3.1 硼酸浓度对扩散方阻的影响 |
4.3.2 硼酸浓度对表面浓度和结深的影响 |
4.3.3 硼酸浓度对少子寿命的影响 |
4.4 温度对硼扩散性能的影响 |
4.4.1 扩散温度对方块电阻的影响 |
4.4.2 扩散温度对表面浓度和结深的影响 |
4.5 保温时间对扩散的影响 |
4.5.1 保温时间对扩散方阻的影响 |
4.5.2 保温时间对表面浓度和结深的影响 |
4.6 本章总结 |
第五章 太阳电池制备及性能研究 |
5.1 引言 |
5.2 太阳电池的制备工艺 |
5.2.1 表面制绒 |
5.2.2 扩散 |
5.2.3 HF处理 |
5.2.4 PECVD沉积钝化减反射膜 |
5.2.5 丝网印刷及烧结 |
5.3 太阳电池电致发光(EL)测试 |
5.3.1 二氧化硅纳米球辅助扩散对EL的影响 |
5.3.2 硼背场对太阳电池EL的影响 |
5.4 太阳电池J-V性能测试 |
5.4.1 二氧化硅纳米球辅助扩散对太阳电池性能影响 |
5.4.2 硼背场对太阳电池性能影响 |
5.4.3 太阳电池效率分布 |
5.5 本章小结 |
第六章 结论与展望 |
6.1 结论 |
6.2 展望 |
参考文献 |
致谢 |
在学期间的研究成果及发表的学术论文 |
(9)硼掺杂纳米硅浆料的激光熔覆机理及实验研究(论文提纲范文)
摘要 |
abstract |
第一章 绪论 |
1.1 研究背景 |
1.2 激光熔覆技术 |
1.2.1 国内研究现状 |
1.2.2 国外研究现状 |
1.3 激光熔覆技术的有限元模拟 |
1.4 PERC电池背场制备技术的研究进展 |
1.4.1 高效率PERC电池简介 |
1.4.2 局部背场的作用 |
1.4.3 激光掺杂工艺在PERC电池上的应用 |
1.5 局部硼铝背场制备中硼浆料的研究进展 |
1.6 本文主要研究内容 |
第二章 硼掺杂纳米硅浆料的制备 |
2.1 纳米硅颗粒的制备及试验研究 |
2.1.1 脉冲放电和高能球磨法组合制备纳米硅颗粒 |
2.1.2 试验平台的搭建 |
2.1.3 纳米硅颗粒的结构形貌表征 |
2.2 有机载体配方 |
2.3 有机载体组成对硅浆料印刷性能的影响 |
2.3.1 增稠剂对印刷性能的影响关系 |
2.3.2 触变剂对印刷性能的影响关系 |
2.4 纳米硅浆料制备工艺 |
2.5 本章小结 |
第三章 激光熔覆纳米硅浆料的温度场模拟 |
3.1 COMSOL Multiphysics简介 |
3.1.1 数理方程简述 |
3.1.2 有限元法简介 |
3.1.3 多物理场仿真软件COMSOL Multiphysics |
3.2 激光传热理论 |
3.2.1 半导体对光的吸收定律 |
3.2.2 皮秒及纳秒激光传热理论 |
3.3 有限元模型的建立 |
3.3.1 皮秒激光作用模型 |
3.3.2 纳秒激光作用模型 |
3.3.3 初始条件及边界条件 |
3.3.4 激光熔覆有限元模型及网格划分 |
3.3.5 基体及熔覆材料属性 |
3.3.6 相变潜热的处理 |
3.3.7 求解器设置 |
3.4 不同脉宽条件下的激光熔覆纳米硅薄膜温度场分析 |
3.5 工艺参数对纳秒激光熔覆温度场的影响 |
3.5.1 激光功率对温度场的影响 |
3.5.2 激光扫描速度对温度场的影响 |
3.5.3 重复频率对温度场的影响 |
3.6 本章小结 |
第四章 纳秒激光熔覆纳米硅薄膜试验研究 |
4.1 纳秒激光熔覆试验 |
4.1.1 试验设备及材料 |
4.1.2 试验方法 |
4.1.3 测试系统简介 |
4.2 有限元数值模拟结果验证 |
4.3 工艺参数优化分析 |
4.3.1 激光工艺参数分析 |
4.3.2 激光熔覆硅纳米浆料工艺参数研究 |
4.4 本章小结 |
第五章 纳秒激光熔覆工艺的试验研究及PERC电池研制 |
5.1 PERC电池试验条件及设备 |
5.2 试验方案设计 |
5.2.1 试验步骤 |
5.2.2 电池片测试 |
5.3 局部硼铝背场结构的形成 |
5.4 电池试验结果分析 |
5.5 硼铝背场结构分析 |
5.6 本章小结 |
第六章 总结与展望 |
6.1 论文结论 |
6.2 研究展望 |
参考文献 |
致谢 |
在学期间的研究成果及发表的学术论文 |
(10)硅基太阳电池及其所用正银浆料概述(论文提纲范文)
0 引言 |
1 不同硅基太阳电池技术 |
2 硅基太阳电池用正银浆料 |
2.1 正银浆料在太阳电池中的作用 |
2.2 正银浆料的分类与组成 |
2.2.1 高温烧结型正银浆料 |
2.2.2 低温固化型正银浆料 |
3 适用于不同太阳电池技术的正银浆料 |
4 总结与展望 |
四、晶体硅太阳电池铝背场的研究(论文参考文献)
- [1]激光背膜开窗对MWT/PERC太阳电池性能影响的研究[D]. 彭若莹. 江南大学, 2021(01)
- [2]晶体硅太阳电池中载流子选择性接触材料研究[D]. 王子磊. 兰州大学, 2021
- [3]晶体硅太阳电池背面套印图形设计对电池性能和组件性能的影响[J]. 张良,李化阳,李良,姚玉,王霞,王俊. 太阳能学报, 2020(09)
- [4]晶体硅太阳电池先进背钝化技术的研究及其应用[D]. 陈文浩. 南昌大学, 2020(01)
- [5]太阳能电池铝背场与铝带连接的超声钎焊[D]. 李宏涛. 哈尔滨工业大学, 2019(02)
- [6]PERC太阳能电池铝背场性能研究[D]. 刘雷. 华中科技大学, 2019(03)
- [7]晶硅太阳能电池用铝浆的制备及性能研究[D]. 季剑汾. 江苏科技大学, 2019(02)
- [8]SiO2纳米球辅助扩散和单晶硅太阳电池研制与性能研究[D]. 顾浩. 南京航空航天大学, 2019
- [9]硼掺杂纳米硅浆料的激光熔覆机理及实验研究[D]. 徐龙. 南京航空航天大学, 2019(02)
- [10]硅基太阳电池及其所用正银浆料概述[J]. 马君杰,冯斌,钟海锋. 太阳能, 2018(04)