一、微球板电子倍增器（论文文献综述）
赵婉[1]（2020）在《热解析光电离质谱方法学及在复杂基质样品中的应用研究》文中提出质谱法是一种根据带电离子的质荷比（m/z）进行分析的技术方法,具有高灵敏度、高特异性、高准确性、高通量、样品用量少、分析速度快等优点,已经成为了一种不可替代的分析工具。质谱法发展非常迅猛,应用十分广泛,已在环境、生命科学、食品、医药、能源和天文等领域发挥着重要的作用。由于质谱分析的前提是使样品形成带电离子,因而对离子源的开发和应用一直都是质谱技术的重要研究方向。待测物接收来自光子、电场等不同类型能量源的能量从而完成离子化。鉴于目前大多数的分析待测物都来源于复杂基质样品,对于复杂基质样品的快速、准确、高灵敏度分析成为了现代分析化学普遍关注的问题。以电子轰击电离、化学电离、电喷雾电离等为代表的传统质谱离子源已经被商品化,且广泛应用于气相色谱质谱联用和液相色谱质谱联用技术,现已在复杂基质样品分析方面做了诸多研究。上述方法虽然已经取得了很好的测试效果,但通常需要在分析测试之前对待测物进行诸如提取、净化、浓缩等预处理操作来获取相对纯净的待测样品,对一些难挥发的非极性待测物则需要通过化学衍生的方式来提高挥发性、电离效率和检测灵敏度,在质谱分析检测前还需要经过色谱柱的分离富集作用脱去基质中的干扰物,使待测物更为纯净,从而减少基质效应对电离过程的干扰,整套流程操作下来分析测试时间较长,操作较为繁复,消耗试剂量较多,难以满足现代分析化学对复杂基质样品原位、实时、快速、高通量、低损耗的分析检测需求。与传统的离子化方法相比,光电离是一种软电离技术,主要产生分子离子或准分子离子,受基质效应影响较小,且对待测物无极性歧视,尤其适合于电喷雾离子源难以直接电离的非极性物质的检测,现在已经广泛应用于药物、食品、环境、生命科学等多个领域的复杂基质样品分析。然而商品化的光电离技术还是需要通过与色谱联用的方式来获得较高的灵敏度和准确性,仍然会存在测试时间较长等弊端,还不能完全满足现代分析化学实时、快速、高通量的检测需求。鉴于以上方法的不足,本论文将热解析与光电离质谱相结合,无需色谱分离即可实现对复杂基质样品进行快速、准确、高通量、高灵敏度的定性和定量分析。论文第一章介绍了质谱法的发展历程和基本原理,包括一些常见的进样系统,真空离子源、大气压离子源以及光电离技术的原理和优缺点,不同种类的质量分析器和检测器,并介绍了对于复杂基质样品分析的传统质谱分析方法以及一些新型质谱分析方法。论文第二章介绍了热解析大气压光电离质谱分析方法的创建,并将该方法应用于类固醇标准品和自然水体基质中类固醇污染物的定性和定量分析,同时对河水、地表水和自来水三种自然水体中的基质效应进行了研究讨论。该方法由莱顿弗罗斯特效应引发相对温和的热解析过程,待测物在受热解析的同时能够实现浓缩和富集,从而有效地提高了方法的灵敏度。此方法无需经历样品预处理和色谱分离过程,只需30 s即可完成一次分析检测,可以实现对难挥发样品的直接、快速、准确、高通量和高灵敏度分析检测,尤其适合于电喷雾离子源难以直接电离的弱极性和非极性物质的检测。论文第三章介绍了对热解析大气压光电离质谱装置的调整和改进,并将改进后的装置应用于人体血清中痕量内源性游离态性激素生物标志物的快速、准确、高灵敏度定量分析。首先在原有的热解析大气压光电离质谱装置的结构上增添了一个加热的连接装置,从而将热解析腔、真空紫外放电灯和质谱入口连为一体,使得实验装置相对一体化,减少了待测样品的损失,同时调整了热解析腔的加热温度和尺寸。此外,使用性能更好的射频真空紫外放电灯替代了原有的直流真空紫外放电灯,同时将装置与分辨率更高的LTQ-Orbitrap质谱仪联用。改进后的热解析大气压光电离质谱分析方法拥有更高的灵敏度和更好的稳定性,与常用于临床血清性激素检测的化学发光免疫分析法相比,能够对在人体血清中具有更高生物活性的、痕量的游离态性激素进行更为精准的定量分析,有效地避免了交叉反应和假阳性结果的产生,且定量结果与液质联用方法相一致。最后将改进后的热解析大气压光电离质谱分析方法应用于不同生理阶段女性血清中内源性游离态性激素的浓度监测,研究了女性体内游离态性激素含量随着特定生理阶段的变化情况,并与液质联用方法进行平行比较,两者的定量结果显示出了较高的相关一致性。论文第四章介绍了超声雾化萃取大气压光电离质谱分析方法在烟草化学成分快速分析检测中的应用。与传统的液质联用方法相比,超声雾化萃取大气压光电离质谱方法将样品的提取、解析和电离耦合在了一起,通过加热的传输管使待测物快速地脱去溶剂解析汽化,不需要经过样品预处理和色谱分离,1 min即可完成一次样品检测,操作简便,分析速度快。该方法无极性歧视,对于弱极性和非极性物质也有很好的检测效果,相比于传统的液质联用方法而言,可以检测出更加丰富的质谱信号,已经成功地鉴别出了包括醇、酮、酸、醛、酚、生物碱、氨基酸和萜类等化合物在内的46种化学成分,实现了对烟草主要化学成分及相对含量的全面评估,同时研究了烟草化学成分相对含量与烟草品质之间的关系,并使用主成分分析法对不同类型的烟草制品进行了快速区分,展示了超声雾化萃取大气压光电离质谱分析方法在烟草批量化品质筛查方面的巨大潜力。论文第五章介绍了实验室自制的低压光电离飞行时间质谱装置对茉莉花烘焙过程的原位、实时、在线监测,使用加热的管式炉模拟工业烘焙过程,茉莉花中的化学成分在加热的过程中被不断解析释放。首先对烘焙过程中所产生的化学成分进行了快速、准确的定性分析,然后分别使用程序升温和时间累加的方法,分析研究了茉莉花在烘焙过程中所释放的化学成分随着烘焙温度和烘焙时间的变化规律,有助于工艺人员根据加工目的选取最为合适的烘焙温度和烘焙时间,展现了低压光电离飞行时间质谱分析方法的工业应用价值。最后总结了本人研究工作的主要内容,重申了研究工作中的创新点和亮点,客观地讨论了研究工作中有待完善的地方,并对未来的工作提出了一些设想。
郝志旭[2]（2019）在《ALD法制备薄膜打拿极工艺及电学性能研究》文中研究表明传统玻璃微通道板采用了铅玻璃氢还原制备工艺,使打拿极导电层电阻特性和发射层二次电子发射特性同时受到基体材料的影响和限制,同时氢还原形成打拿极过程带来的正离子反馈效应也会影响器件的寿命。薄膜打拿极微通道板是近年来发展起来的新技术,可提高微通道板的电子增益、降低噪声。微通道板通道的长径比为40-50,一般薄膜技术很难在通道内表面沉积均匀包覆的薄膜。目前,ALD技术被认为是最适合微通道板薄膜打拿极制备的工艺手段。但是,对于高长径比微通道板薄膜打拿极ALD制备工艺及电学性能,有待进行深入系统研究工作。本论文首先采用原子层沉积法在平片衬底上制备AZO薄膜,研究了锌铝叠层比和子循环系数工艺参数对AZO薄膜表面形貌和电学性能的影响。其次,采用ALD工艺并在玻璃微通道板上制备AZO薄膜为导电层和Al2O3薄膜为二次电子发射层,重点开展了在高长径比微通道表面形成包覆性良好的打拿极薄膜的工艺优化研究,制备了薄膜打拿极微通道板器件。最后,通过光电子倍增器件真空动态测试系统测试了样品微通道板器件的电阻和电子增益。研究结果表明,锌循环比在50%时,且子循环系数≤8时,AZO薄膜方块电阻数量级在10121013,可满足微通道板打拿极导电层电阻的要求。采用动态碟阀控制对气源过度消耗问题进行了工艺优化,对Zn:Al叠层为6:6,循环周期为200,反应时间10 s的ALD高长径比微通道板薄膜打拿极,理论上DEZ气源和TMA气源的消耗分别可降低到3.16 g、1.85 g。通过ALD工艺优化,大幅降低了气源消耗,增大了反应时间的调整范围,提高了高长径比微通道ALD薄膜的包覆性。在800 V工作电压下,测得体电阻为200-600 M?,电子增益可达到1000。
梁超[3]（2016）在《高分辨率硅微通道板基体制备技术》文中指出微通道板是二维电子倍增器,具有高增益、低功耗、长寿命等优点,广泛应用于微光夜视、光电倍增管、X射线探测等领域。本文研究了高分辨率硅微通道基体的制备技术,探讨了硅片的光刻工艺及其影响因素;介绍了硅的各向异性腐蚀机制,研究了硅诱导坑腐蚀技术;根据欧姆接触层制备的研究结果,对其工艺进行了优化;在不同条件下对硅微通道阵列的形貌进行了对比分析,研究了电化学腐蚀中温度、HF浓度对硅微通道形貌的影响,得出了最佳制备条件。高分辨率硅微通道电化学腐蚀加工机理及过程影响因素较多,工艺控制复杂,通过Comsol软件对硅微通道建模模拟,建立仿真模型,确定仿真求解的边界条件和主要参数,在已有文献的基础上,通过对电化学腐蚀情况的假设,给出了仿真求解结果。
于丰源[4]（2014）在《硅微通道板电化学微加工等径控制技术研究》文中研究指明硅通道板是一种新型的光电倍增器件,与传统的微通道板相比,由于采用微加工技术,具有通道孔径更小,分辨率更高,制备高长径比更容易等优点,是理想的代替传统微通道板的新型器件。电化学微加工技术是由电化学刻蚀多孔硅技术发展而来,具有生产效率高和成本低等优点。目前,此类技术的主要面临的问题为在电化学腐蚀过程中如何有效控制微通道孔径,保证微通道阵列能等径生长。本论文通过研究电化学反应原理,确定主要影响微通道等径生长的因素并开展研究工作。电化学刻蚀硅微通道孔径变化由微通道内部电化学反应决定,所以电化学反应的实验条件因素均会对孔径变化产生影响。研究电化学刻蚀硅微通道孔径的主要影响因素,包括腐蚀电压、HF浓度及实验温度及表面活性剂。通过设计对比实验观察各影响因素对微通道孔径影响,并结合电化学腐蚀原理和交流阻抗谱分析其原因。通过以上研究工作,确定了最佳腐蚀条件：腐蚀电压0.5V、温度13℃、重量比5%HF溶液中加入阴离子型表面活性剂。这一实验条件进行电化学腐蚀可实现对微通道的孔径控制,得到孔径均一、结构完整的硅微通道阵列结构。
高延军[5]（2008）在《二维电子倍增器及其新技术研究》文中提出微光夜视技术拓展了人眼的视觉范围,自上个世纪中期以来得到了迅猛的发展。新思想、新概念、新材料、新工艺和新技术的不断涌现,推动着夜视器件与技术的发展。由于光电子技术的需求牵引,二维电子倍增器件得到了很快的发展,其中微通道板（MCP）和微球板（MSP）电子倍增器就是典型的实例。微通道板电子倍增器是由大量平行堆积的单通道电子倍增器组成的具有蜂窝状结构的二维阵列,其对核中粒子和短波辐射均有响应,在微光夜视、高分辨显像管和示波管、光电倍增管、图像光子计数器以及粒子探测等领域有重要应用价值。目前,三代像管工艺成熟,四代像管已开始进入研究阶段。微通道板是像管的关键部件,也在更新换代,其相关的新技术不断涌现,性能不断提高,已引起国内外的广泛重视,这方面的研究工作对于研制新型微通道板器件,提高像管性能具有重要理论价值和实用意义。本论文结合先进技术微通道板（AT-MCP）电子倍增器,微球板电子倍增器（MSP）和硅微通道阵列电化学微加工等新技术进行了深入的理论分析和实验研究,取得了较大进展。其主要研究工作如下:1.介绍了微通道板电子倍增器的结构、特点以及发展概况,论述了微通道板新技术的主要特点、研究现状和发展背景。2.新型先进技术微通道板技术研究20世纪90年代中期美国伽利略公司提出采用半导体技术制备微通道板,称此MCP为先进技术微通道板（AT-MCP）,与玻璃纤多纤维拉制工艺的还原铅硅酸微通道板（RLSG-MCP）相比具有许多优点,被认为是微通道板制作工艺技术上的新变革。硅基微孔深通道阵列的形成和连续打拿极的制作是这种AT-MCP技术的两项关键工艺技术。本文首先采用多路感应耦合等离子（ICP）刻蚀系统对硅基微孔深通道阵列的形成技术进行了系统的工艺实验研究,重点分析了一些重要的工艺参数对微孔阵列几何形貌的影响;研究了在微通道阵列结构形成过程中深通道内的气体微输运微观机制、侧壁保护以及深刻蚀产生的侧蚀等。按照工艺流程:MCP掩模版（母版）的制作→硅基片的研磨、抛光→氧化和金属膜的淀积→光刻→掩膜的形成→ICP深刻蚀→背部减薄至通透→基体绝缘化→导电层的形成→二次电子发射层的形成→镀电极→检测,流通了全部工艺,验证了AT-MCP技术的可行性。其次,本文对ICP刻蚀过程中的“刻蚀速率迟滞（lag）效应”和“钻蚀（footing）效应”进行了深入理论研究,探讨了它们与工艺参数之间的关系,尽管这些工艺问题在IC及常规MEMS领域中已经解决,但由于AT-MCP微通道阵列结构的特殊性,问题又引起了同行的重视,我们认为其结构不同于深槽结构,刻蚀过程中孔内气体的微输运只有一个自由度,其是一种封闭的结构。高长径比微孔深通道结构是微加工及MEMS领域中某些微结构的技术难题,本文作者在这方面作了探索性研究工作。在国内首次有针对性地提出了适度减小片台功率的方法,能有效地减小高长径比微孔深通道阵列制作中的footing效应的影响作用,对于改进AT-MCP制备工艺技术具有重要指导作用。最后,利用低压化学气相淀积（LPCVD）和敏化技术制作连续打拿极,探索膜层二次发射系数、体电阻与工艺参数的关系等。3.硅微通道阵列微加工技术理论及其实验研究硅微机械加工技术在大规模集成电路、光电子器件等制作中的作用已越来越引起世界各国的重视,尤其是近年来微电子机械系统（MEMS）进一步促进了新型微传感器和阵列式通道电子倍增器件等的新发展。因此,这就需要有相应的新型设备和解决最佳工艺参数选择问题,这样才能满足高长径比的深槽和微孔通道阵列的成型和质量要求。半导体电化学和光电化学（electrochemical and photoelectrochemical,EC和PEC）刻蚀在集成电路技术发展过程中起了重要的作用,集成电路制造的许多工艺过程都是基于电化学原理。1999年12月,美国纳米科学公司C P Beetz等人提出采用电化学工艺制作微通道板基体阵列的新技术,称为硅电化学刻蚀工艺。在此基础上制备的MCP称为硅微通道板（Si-MCP）,其技术与AT-MCP技术基本一致,只是在硅基微孔深通道阵列的形成阶段采用了硅电化学微加工技术。实验中利用自行设计的电化学/光电化学刻蚀系统,按照如下工艺流程:材料选择→基片的研磨、抛光→氧化→光刻→诱导坑的刻蚀→微孔深通道的电化学和光电化学深刻蚀,对硅基微孔深通道阵列结构进行了初步的形成实验,刻蚀出通道直径为3.0-4.0μm,长径比大于40的微通道阵列样品。同时,对硅/HF界面结构特点、界面化学特性、物理特性以及电化学特性进行了深入的理论研究,提出了硅在HF溶液中阳极溶解的机理;并从理论上给出大孔硅成核与生长机制和高长径比通道形成的解释。研究结果对硅电化学微加工过程的工艺设计以及硅电化学理论研究具有重要意义。该项研究工作具有一定创新性。对n型硅基二维通道电子倍增器MCP微孔阵列制作工艺开展了研究工作,制作出方孔边长为3.0-4.0μm,中心距为6.0μm,长径比大于40的深通道阵列,目前还未见任何报道。针对硅/HF电化学系统,利用局部电流脉冲模型对大孔硅的成核和生长的机理进行了系统的理论研究,并且首次对p型硅基深通道阵列形成的微观机制进行了实验验证:理论计算给出了其形成电流密度J=0.58mA/cm2;实验中在恒定电压v=1.85v时,工作电流密度J=0.60mA/cm2,得到了理论与实验结果相符相对误差为3.4%的好结果,目前未见报导。在国内首先全面分析和系统阐述了在光电化学刻蚀n型硅基深通道阵列过程中光照强度、HF浓度以及掩膜与衬底之间晶向校准这三方面因素对其成型影响的微观机制,给出了其优化的工艺条件,得到了上述三者是形成n型硅基深通道阵列的主要决定因素的结论。这些工作对进一步深入研究与制备硅基深通道阵列和新型Si-MCP技术具有重要意义。4.介绍了微球板电子倍增器的发展概况和应用前景,以及制备微球板电子倍增器技术的主要特点和研究现状。微球板（MSP）是由直径为20-60μm的玻璃微珠构成的无规则堆积的盘片状烧结体,厚度1mm左右,其内部玻璃微珠间隙构成了不规则微型通道结构;经过处理后的微球表面具有二次电子发射特性,两端面涂覆电极后形成微球板电子倍增器。微球板电子倍增器的工作原理与微通道板相似。MSP与MCP相比具有电子增益高、无离子反馈、工作真空度要求低、强度高、寿命长等特点。制成的新型光电探测器可广泛应用于极微弱光探测和单粒子计数、质谱与能谱分析系统、快速粒子飞行时间测量、粒子成像和大屏幕显示系统等领域中。本论文研究了微球板制作过程中的一些基本理论,采用立式炉成珠设备进行了玻璃微珠的制备,设计了微球板电子倍增器制作的工艺流程,探索了微球板制备过程中玻璃微珠的分级技术,微球板电子倍增器基体成型工艺和技术,制备出满足要求的微球板电子倍增器的基体,并进行了打拿极和端面电极的探索性实验。最后对实验过程中的一些现象进行了理论分析和讨论,并给出了相应的实验结论和研究建议。由于时间短、经验不足,许多工作有待进一步完善、改进和深入。其创新点在于对微球板电子倍增器烧结速率理论进行了深入的分析,并对烧结速率库斯仲斯基理论公式进行了修正,使其更加有利于在微球板电子倍增器制备实验过程中控制其影响因素,这就对其形成提供了理论的支持
李明,费强,冯国栋,陈焕文,姜杰,金伟,周建光,金钦汉[6]（2007）在《质谱检测技术及其一些最新进展》文中认为质谱作为一种重要的分析技术,被广泛应用于物理、化学、材料学、生物学、医学等领域。质谱技术包括:离子化技术、离子的质量分析技术、离子检测技术。相对于离子化技术和质量分析技术,科研工作者对离子检测技术关注较少,本文拟对离子检测技术近年来取得的进展进行评述,以便引起相关工作者对离子检测技术的重视。
吴奎[7]（2007）在《微通道板特性参数测试系统研究》文中研究指明微通道板（Micro-channel plates MCP）是一种微通道电子倍增器。微通道板的特性参数是表征微通道板质量的主要依据，微通道板参数测量的准确与否对研究和使用微通道板都非常重要，微通道板特性参数测试系统的研究是微通道电子倍增器研究的一个重要组成部分。本文研究的是一种使用计算机控制的微通道板特性参数测试系统，对该系统进行了总体设计，根据原理分析，进行了具体的方案论证，提出了提高测量精度和抗干扰能力的措施，并对其进行了实验研究。该系统具有指示稳定、抗干扰能力强、测量精确度高、操作简单、测量数据实时显示、质量分析、提供检测报告、打印和存储等特点和功能。
张博[8]（2006）在《二维电子倍增技术研究》文中提出二维电子倍增是光电成像领域中的一项重要技术。微通道板是二维电子倍增技术中的一个十分理想的器件。本文对微通道板的原理、现状及发展做了详尽的综述。微球板（Microsphere Plate-MSP）作为一种新型的电子倍增器件，与微通道板（Microchannel Plate-MCP）相比，具有更优越的性能和十分低廉的价格，有着广阔的应用前景。本论文重点是在对微球板制作过程中的相关理论进行详细探讨的基础上，对其制作工艺及工作机理进行了大量的实验研究：探索了获得满足实验要求的玻璃粉粒的方法，玻璃微珠的形成和粒度分级技术以及微球板的烧结工艺，并对微球板基体进行了烧氢还原处理及镀膜工艺，制备出直径为25mm的微球板电子倍增器。对经氢还原处理后的微球板玻璃样品表面层进行了XPS、SEM分析和面电阻率检测。针对实验过程中出现的现象，我们得出了微球板制作过程中，影响其性能的因素，同时针对其存在的不足，提出需要进一步改进和完善之处。
傅文红[9]（2006）在《MCP扩口工艺的理论、实验与测试技术研究》文中研究表明本文首先对微光夜视系统的组成及工作原理、发展、应用、国内外夜视技术的发展现状及未来发展动向作了简单介绍，针对微通道板（MCP）中各种噪声的来源、表征、计算和测试方法进行了研究，分析了引起噪声的各种外部和内部因素，为降低MCP噪声、开发先进MCP生产技术提供理论依据。 然后深入分析了MCP端面电子散射与光子散射的整个过程，给出了MCP电流增益、噪声因子与其开口面积比之间的定量关系，从理论上阐明了增大MCP开口面积比对提高其电流增益和信噪比性能的影响。通过对散射噪声形成过程的分析，证明了MCP开口面积比对散射噪声的影响很大，若增大开口面积比，既可减少散射噪声，又可增大信号光电子进入通道的数量，使信号输出电流增大，可大大提高信噪比和对比度。本文对将8μm孔径的MCP扩大为9μm（保持其它参数不变）进行了仿真，得出了最大腐蚀直径和最小腐蚀深度。 确定了采用化学腐蚀的方法对MCP进行扩口，阐述了扩口原理和工艺步骤，在扩口工艺的研究上已经取得了突破性进展。 研究了扩口MCP检测方法与评价技术，构建了扩口MCP的平面检测与评价系统和三维立体检测系统。三维立体检测采用激光共焦扫描显微镜对MCP样品进行检测，并对检测结果进行数字图像处理，给出MCP的三维立体图和MCP端面光洁度及每幅纵向扫描图的通道孔径（或开口面积比）图，从而确定MCP扩口的形状和尺寸。平面检测系统则包括硬件和软件两部分，硬件由生物光学显微镜、CCD摄像头、图像采集卡和PC计算机构成，集图像观察、采集、显示于一体。软件是专门针对MCP图像特点设计的，通过图像中孔与铅玻璃的亮度不同，实现孔和通道边界的识别，最终达到计算孔径的目的。 对6μmMCP实施了扩口，并对其进行了测试，结果表明MCP的信噪比有了较大提高。 用6μm扩口MCP制成像管，该像管的增益提高了约10％。
薄春卫[10]（2006）在《微球板光电倍增管技术的研究》文中研究表明微球板是一种新型的电子倍增器件，用它作光电板增管的倍增极，具有增益高、无离子反馈、制备工艺简单等优点。 本文在简述微球板光电倍增管的结构、原理及特性的基础上，着重对微球板光电倍增管进行了分析，指出其核心技术是研制出高性能微球板。据此重点研究了微球板的制作工艺，并进行了大量的实验，得出制备微球板的关键技术是玻璃微球的窄粒度分选和高通孔率烧结。分析了影响分选和烧结的主要因素，并给出了有效的解决方法。制备出基本满足要求的微球板电子倍增器的坯体，并对坯体的烧氢还原处理及镀膜工艺作了一定的实验。 文章最后对微球板光电倍增管进行了设计分析，指出微球板光电倍增管不仅具有微通道板光电倍增管的优异特性，而且装架技术简单，成本低，性价比低，是一种很有发展前途前途的极微弱光探测器。
二、微球板电子倍增器（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、微球板电子倍增器（论文提纲范文）
（1）热解析光电离质谱方法学及在复杂基质样品中的应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 质谱法简介 |
| 1.1.1 进样系统 |
| 1.1.2 离子源 |
| 1.1.2.1 真空离子源 |
| 1.1.2.2 大气压离子源 |
| 1.1.2.3 光电离技术 |
| 1.1.3 质量分析器 |
| 1.1.4 检测器 |
| 1.2 复杂基质样品的质谱分析 |
| 1.2.1 复杂基质样品的传统质谱分析技术 |
| 1.2.2 复杂基质样品的新型质谱分析技术 |
| 1.3 本论文研究工作的目标和意义 |
| 参考文献 |
| 第2章 热解析大气压光电离质谱快速分析环境水体中的类固醇 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 标准化试剂和化合物 |
| 2.2.2 样品制备 |
| 2.2.3 仪器及操作 |
| 2.2.3.1 热解析大气压光电离装置 |
| 2.2.3.2 质谱仪 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 参数优化 |
| 2.3.1.1 热解析腔温度的优化 |
| 2.3.1.2 载气流速的优化 |
| 2.3.1.3 掺杂剂载气流速的优化 |
| 2.3.2 对类固醇标准溶液的分析 |
| 2.3.3 对自来水、河水和地表水中类固醇的分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第3章 热解析大气压光电离质谱快速分析血清中的游离态性激素 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 标准试剂和样品 |
| 3.2.2 标准溶液和质控品制备 |
| 3.2.3 样品制备 |
| 3.2.4 仪器及操作 |
| 3.2.4.1 热解析大气压光电离装置的改进 |
| 3.2.4.2 质谱仪 |
| 3.2.4.3 液相色谱质谱联用法 |
| 3.2.4.4 化学发光免疫分析法 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 对血清中的游离态性激素定性分析 |
| 3.3.2 对血清中的游离态性激素定量分析 |
| 3.3.3 方法评估 |
| 3.3.4 对女性体内血清中的内源性游离态孕酮监测 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 超声雾化萃取大气压光电离质谱法快速分析烟草化学成分 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 标准化试剂和化合物 |
| 4.2.2 仪器及操作 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 烟草化学成分定性分析结果 |
| 4.3.2 超声雾化萃取大气压光电离质谱与电喷雾液质联用的比较 |
| 4.3.3 烟草萃取溶剂的选择 |
| 4.3.4 不同类型卷烟中烟草化学成分的分析比较 |
| 4.3.5 对不同类型烟草制品的主成分分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 低压光电离质谱在线监测茉莉花烘焙过程 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 标准化试剂和实验样品 |
| 5.2.2 仪器及操作 |
| 5.2.3 实验方案 |
| 5.2.3.1 定温烘焙实验 |
| 5.2.3.2 程序升温实验 |
| 5.2.3.3 随时间变化实验 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 茉莉鲜花烘焙过程中的香气成分分析 |
| 5.3.2 温度对茉莉鲜花烘焙过程的影响 |
| 5.3.3 时间对茉莉鲜花烘焙过程的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 结论与展望 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（2）ALD法制备薄膜打拿极工艺及电学性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 微通道板电子倍增器概述 |
| 1.1.1 微通道板结构及工作原理 |
| 1.1.2 微通道板的种类和应用 |
| 1.1.3 微通道板制备工艺及存在问题 |
| 1.2 薄膜打拿极微通道板技术研究进展 |
| 1.2.1 薄膜打拿极技术的发展 |
| 1.2.2 目前主要研究工作 |
| 1.2.3 薄膜打拿极技术难点及存在问题 |
| 1.3 主要研究内容及意义 |
| 1.3.1 主要研究内容 |
| 1.3.2 研究意义 |
| 第二章 AZO纳米薄膜制备及电阻特性 |
| 2.1 ALD工艺原理及叠层参数 |
| 2.1.1 ALD工艺原理 |
| 2.1.2 ALD叠层参数 |
| 2.2 基于ALD工艺的AZO薄膜制备 |
| 2.2.1 实验仪器设备及实验材料 |
| 2.2.2 ALD工艺实验参数 |
| 2.2.3 AZO薄膜制备过程 |
| 2.2.4 形貌表征与电阻特性测试 |
| 2.3 AZO纳米叠层结构及形貌分析 |
| 2.3.1 不同叠层结构对AZO薄膜表面形貌的影响 |
| 2.3.2 纳米叠层对AZO薄膜晶向结构的影响 |
| 2.4 AZO纳米叠层的薄膜电阻特性 |
| 2.4.1 微通道板器件对薄膜打拿极电阻的要求 |
| 2.4.2 不同锌铝叠层比对薄膜电阻的影响 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 ALD薄膜打拿极微通道板制备工艺优化 |
| 3.1 ALD 薄膜打拿极微通道板制备实验 |
| 3.1.1 MCP基体选择及预处理 |
| 3.1.2 ALD 沉积打拿极导电层和发射层薄膜实验 |
| 3.1.3 微通道板工作电极制备 |
| 3.2 工艺参数对微通道基体包覆性的影响 |
| 3.2.1 ALD系统反应控制和输运控制机理 |
| 3.2.2 玻璃微通道阵列基体 ALD-AZO 薄膜包覆性实验 |
| 3.2.3 微通道板薄膜打拿极包覆性实验结果 |
| 3.3 ALD气源消耗分析与工艺优化 |
| 3.3.1 常规ALD工艺的气源消耗问题 |
| 3.3.2 ALD动态碟阀控制工艺设计 |
| 3.3.3 ALD动态蝶阀工艺实验结果 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 ALD薄膜打拿极微通道板电学特性 |
| 4.1 微通道板电子增益模型 |
| 4.1.1 微通道内的二次电子发射 |
| 4.1.2 微通道板电子增益G表达式 |
| 4.2 微通道板电学特性测试原理和测试系统 |
| 4.2.1 微通道板电学性能测试原理 |
| 4.2.2 测试系统 |
| 4.3 像管测试组件设计 |
| 4.3.1 紫外光电阴极制备 |
| 4.3.2 测试组件设计 |
| 4.4 薄膜打拿极微通道板电阻性能测试分析 |
| 4.4.1 微通道板体电阻测试 |
| 4.4.2 微通道板电子增益测试 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
（3）高分辨率硅微通道板基体制备技术（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 微通道板简介 |
| 1.1.1 微通道板工作原理 |
| 1.1.2 微通道板性能参数 |
| 1.1.3 微通道板的发展 |
| 1.1.4 微通道板的应用 |
| 1.2 微通道板制备技术的发展 |
| 1.2.1 玻璃微通道板 |
| 1.2.2 微球板结构及特点 |
| 1.2.3 先进技术微通道板 |
| 1.2.4 硅微通道板制备技术 |
| 1.3 本论文研究内容及意义 |
| 1.3.1 研究意义 |
| 1.3.2 研究内容 |
| 第二章 诱导坑制备技术的研究 |
| 2.1 硅微通道板及其基体制备工艺流程 |
| 2.2 光刻掩膜板的设计与制造 |
| 2.2.1 版图设计规则 |
| 2.2.2 光刻掩膜版图设计 |
| 2.2.3 光刻掩膜版的制造 |
| 2.3 光刻工艺的研究 |
| 2.3.1 光刻工艺流程 |
| 2.3.2 影响光刻工艺的因素 |
| 2.4 诱导坑的各向异性腐蚀 |
| 2.4.1 硅的各向异性腐蚀机制 |
| 2.4.2 KOH腐蚀诱导坑技术 |
| 第三章光电化学腐蚀对硅微通道形貌影响的研究 |
| 3.1 硅光电化学刻蚀原理 |
| 3.1.1 硅光电化学腐蚀机制 |
| 3.1.2 光电化学刻蚀工艺的装置 |
| 3.2 欧姆接触层对空穴激发的影响 |
| 3.2.1 欧姆接触层的制备 |
| 3.2.2 欧姆接触层对空穴输运影响研究 |
| 3.2.3 欧姆接触层工艺优化 |
| 3.2.4 光电化学腐蚀实验流程 |
| 3.3 光电化学腐蚀条件对硅微通道形貌的影响 |
| 3.3.1 温度对硅微通道形貌的影响 |
| 3.3.2 HF浓度对硅微通道形貌的影响 |
| 3.4 光电化学腐蚀硅微通道板制备工艺优化 |
| 第四章 硅微通道电化学腐蚀的仿真建模 |
| 4.1 仿真分析软件及仿真意义 |
| 4.1.1 仿真使用的软件—Comsol Multiphysics |
| 4.1.2 Comsol软件建立模型步骤 |
| 4.1.3 模型求解的边界条件 |
| 4.2 仿真结果 |
| 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
（4）硅微通道板电化学微加工等径控制技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 微通道板简介 |
| 1.2 微通道结构的应用 |
| 1.3 硅微通道板微加工技术及研究现状 |
| 1.4 电化学刻蚀微通道等径控制技术概述 |
| 1.5 主要研究内容 |
| 第二章 电化学刻蚀硅微通道等径控制的相关原理 |
| 2.1 硅电化学刻蚀原理 |
| 2.2 微通道内反应物质输运分析 |
| 2.3 表面活性剂影响分析 |
| 第三章 电化学刻蚀参数对微通道孔径影响实验研究 |
| 3.1 诱导坑制备 |
| 3.2 电化学刻蚀实验 |
| 3.3 交流阻抗测量 |
| 第四章 实验结果及分析 |
| 4.1 腐蚀电压对微通道孔径的影响及分析 |
| 4.2 HF浓度对微通道孔径的影响及分析 |
| 4.3 温度对微通道孔径的影响及分析 |
| 4.4 表面活性剂对孔径变化影响分析 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 发表文章 |
（5）二维电子倍增器及其新技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 二维电子倍增器技术概述 |
| 1.1 引言 |
| 1.1.1 微光成像与夜视技术 |
| 1.1.2 MEMS及其工艺技术 |
| 1.2 微通道板电子倍增器技术概述 |
| 1.2.1 微通道板电子倍增器简介 |
| 1.2.2 还原铅硅酸盐玻璃微通道板电子倍增器技术 |
| 1.2.3 新型先进技术微通道板电子倍增器技术 |
| 1.3 微球板电子倍增器技术概述 |
| 1.3.1 微球板电子倍增器国内外发展状况 |
| 1.3.2 微球板电子倍增器材料的选择 |
| 1.3.3 微球板电子倍增器玻璃微珠的制备工艺 |
| 1.4 本论文的主要研究工作与进展 |
| 第二章 新型微通道板电子倍增器先进技术研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.1.1 先进技术微通道板技术背景 |
| 2.1.2 先进技术微通道板关键技术 |
| 2.1.3 先进技术微通道板技术特点 |
| 2.1.4 先进技术微通道板工艺流程和要求 |
| 2.2 反应离子刻蚀原理与技术 |
| 2.2.1 等离子体产生的物理机制 |
| 2.2.2 基体表面反应机制 |
| 2.2.3 高密度反应离子刻蚀原理及高长径比硅刻蚀技术 |
| 2.3 先进技术微通道板样品的关键制备工艺研究 |
| 2.3.1 微通道阵列刻蚀工艺 |
| 2.3.2 连续打拿极的制备工艺 |
| 2.3.3 电极的制备工艺 |
| 2.4 先进技术微通道板样品的测试及其结果分析 |
| 2.4.1 试验样品的几何形貌与特性参数测试 |
| 2.4.2 刻蚀速率迟滞效应 |
| 2.4.3 钻蚀效应 |
| 2.4.4 影响体电阻和电子增益的因素 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 硅微通道阵列微加工技术理论及其实验研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.1.1 电解液的电子能级 |
| 3.1.2 半导体和电解液界面 |
| 3.1.3 半导体电极的平带电位 |
| 3.1.4 半导体电极的氧化还原反应 |
| 3.1.5 半导体电极的光效应 |
| 3.2 硅微通道阵列微加工技术的工艺原理及其相关理论 |
| 3.2.1 基体材料的选取原则 |
| 3.2.2 硅基片的热氧化工艺原理 |
| 3.2.3 硅基片的光刻工艺原理 |
| 3.2.4 硅基片的各向异性湿法刻蚀原理 |
| 3.2.5 硅基片的电化学湿刻工艺原理 |
| 3.3 硅微通道阵列微加工技术的工艺过程 |
| 3.3.1 基体材料的选取及硅基片的前期处理 |
| 3.3.2 硅基片的热氧化工艺过程 |
| 3.3.3 硅基片的光刻工艺过程 |
| 3.3.4 诱导坑湿法刻蚀工艺过程 |
| 3.3.5 硅微通道阵列电化学刻蚀工艺过程 |
| 3.4 硅微通道阵列微加工技术的实验结果与分析 |
| 3.4.1 热氧化工艺对掩膜的影响 |
| 3.4.2 前烘工艺对显影的影响 |
| 3.4.3 缓冲氢氟酸腐蚀剂BHF对掩膜刻蚀的影响 |
| 3.4.4 掩膜图案排列方向对诱导坑形成的影响 |
| 3.4.5 诱导坑形貌及对电化学刻蚀的影响 |
| 3.4.6 表面杂质对电化学刻蚀的影响 |
| 3.4.7 电化学过程中的伏安特性分析 |
| 3.4.8 光照强度对光电化学刻蚀的影响 |
| 3.4.9 氢氟酸浓度对电化学刻蚀的影响 |
| 3.4.10 电化学过程中存在的边缘效应 |
| 3.5 硅/HF溶液界面物理、化学与光电流特性研究 |
| 3.5.1 光电流与光辐照强度的关系 |
| 3.5.2 硅在HF溶液中的表面结构 |
| 3.5.3 硅/HF界面光电化学反应的中间产物 |
| 3.5.4 光电流形成的化学过程 |
| 3.5.5 硅阳极氧化溶解的电化学特性 |
| 3.5.6 多孔硅形成的物理模型 |
| 3.5.7 局部电流脉冲模型 |
| 3.5.8 硅微通道阵列形成的物理化学机制研究 |
| 3.5.9 硅大孔深通道形成的反应速率机制探讨 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 微球板电子倍增器及其技术研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.1.1 课题研究意义 |
| 4.1.2 微球板电子倍增器研究的主要内容 |
| 4.1.3 微球板电子倍增器结构 |
| 4.1.4 微球板电子倍增器的特性 |
| 4.2 微球板电子倍增器的基本理论研究 |
| 4.2.1 微球板工作的MONTE-CARLO模型 |
| 4.2.2 密堆积理论 |
| 4.2.3 烧结现象 |
| 4.2.4 烧结的驱动力和物质传质 |
| 4.2.5 玻璃微珠烧结模型及烧结速率的理论研究 |
| 4.3 微球板电子倍增器制备工艺研究 |
| 4.3.1 玻璃粉料的制备工艺 |
| 4.3.2 玻璃微珠的制备工艺 |
| 4.3.3 微球板基体的制备工艺 |
| 4.3.4 微球板连续打拿极的制备工艺 |
| 4.3.5 微球板电极的制备工艺 |
| 4.4 微球板电子倍增器制备实验分析和讨论 |
| 4.4.1 还原扩散过程的动力学分析 |
| 4.4.2 玻璃微珠的成型分析 |
| 4.4.3 微球板电子倍增器基体制备的分析 |
| 4.4.4 打拿极和端面电极的形成和测试分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论及展望 |
| 5.1 论文主要研究工作和结论 |
| 5.2 本论文的创新点 |
| 5.3 问题与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 |
| 攻读博士学位期间的科研情况 |
（6）质谱检测技术及其一些最新进展（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 常用离子检测技术 |
| 2.1 电子倍增器 |
| 2.2 微通道板 |
| 2.3 闪烁检测器 |
| 2.4 感应电荷检测器 |
| 3 几种新型离子检测技术 |
| 3.1 低温检测器 |
| 3.2 微球板检测器 |
| 3.3 其 他 |
| 4 结 论 |
（7）微通道板特性参数测试系统研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题的来源及研究的意义 |
| 1.2 国内外发展概况 |
| 1.3 论文的主要内容 |
| 第二章 微通道板技术及特性参数测试原理 |
| 2.1 微通道板简介 |
| 2.2 微通道板特性参数 |
| 2.3 特性参数测试原理 |
| 2.4 计算机测试系统概述 |
| 第三章 测试系统的采样电路 |
| 3.1 采样电路设计方案 |
| 3.2 采样放大电路 |
| 3.3 采样控制电路 |
| 3.4 采样电路的屏蔽与抗噪 |
| 第四章 测试系统的控制电路 |
| 4.1 控制电路的总体设计 |
| 4.2 串口通讯电路 |
| 4.3 单片机控制电路 |
| 4.4 控制电路的程序设计 |
| 第五章 特性参数的计算机处理系统 |
| 5.1 计算机处理系统的构成 |
| 5.2 计算机与单片机接口 |
| 5.3 测试系统的程序设计 |
| 5.4 软件界面设计 |
| 5.5 数据处理 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（8）二维电子倍增技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 二维电子倍增技术与微通道板 |
| 1.2 微通道板的工作原理与增益特性 |
| 1.3 微通道板主要特性参数 |
| 1.4 微球板简介 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 微通道板技术的发展 |
| 2.1 微通道板的新技术 |
| 2.2 微通道板防离子反馈膜技术 |
| 2.3 先进技术微通道板 |
| 2.4 硅微通道板电化学微加工技术 |
| 第三章 微球板电子倍增器制作中的基本理论 |
| 3.1 微球板工作的MONTE-CARLO模型 |
| 3.2 密堆积理论 |
| 3.3 烧结现象 |
| 3.4 玻璃微珠烧结模型及烧结速率的理论研究 |
| 第四章 微球板电子倍增器的制备 |
| 4.1 玻璃材料的选取 |
| 4.2 玻璃微珠的制备 |
| 4.3 微球板坯体的制备 |
| 4.4 微球板的烧氢还原和端面电极制作 |
| 第五章 实验分析和讨论 |
| 5.1 微球板表面还原层的分析 |
| 5.2 表面还原层扫描电镜分析 |
| 5.3 还原处理条件对微球板体电阻的影响分析 |
| 5.4 小结 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（9）MCP扩口工艺的理论、实验与测试技术研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微光夜视仪的发展历程 |
| 1.2.1 国外夜视技术的发展现状 |
| 1.2.2 国外夜视技术的未来发展动向 |
| 1.2.3 我国微光夜视技术的现状 |
| 1.3 本论文的研究思路和方法 |
| 1.4 本论文要解决的主要问题 |
| 1.5 本文取得的成果 |
| 2 微通道板(MCP)及其应用 |
| 2.1 概述 |
| 2.2 MCP的结构 |
| 2.3 微通道板的发展及类型 |
| 2.3.1 还原铅硅酸盐玻璃微通道板 |
| 2.3.1.1 II代微通道板 |
| 2.3.1.2 长寿命微通道板(L~2MCP) |
| 2.3.1.3 弯曲通道微通道板(C~2MCP) |
| 2.3.1.4 高输出技术微通道板(HOT-MCP) |
| 2.3.1.5 超微孔微通道板(USP-MCP) |
| 2.3.2 先进技术微通道板(AT-MCP) |
| 2.3.2.1 AT-MCP的关键技术 |
| 2.3.2.2 AT-MCP的工艺流程及特点 |
| 2.3.3 微球板电子倍增器(MSP) |
| 2.3.3.1 结构和工作原理 |
| 2.3.3.2 微球板的特点及应用 |
| 2.4 MCP的工作原理 |
| 2.4.1 二次电子能量分布 |
| 2.4.2 二次电子发射 |
| 2.4.3 MCP的工作原理 |
| 2.5 MCP的特性参数 |
| 2.5.1 二次电子发射系数δ |
| 2.5.2 MCP电子增益 |
| 2.5.3 MCP电流增益 |
| 2.5.3.1 MCP简化的电流增益表达式 |
| 2.5.3.2 MCP实验的电流增益表达式 |
| 2.5.3.3 MCP电流增益与相关参数的关系 |
| 2.5.4 MCP输出电流密度饱和效应 |
| 2.5.5 MCP对短波辐射的探测量子效率η_m(%) |
| 2.5.6 MCP的暗电流 |
| 2.5.7 MCP的背景等效电子输入电流密度(EBI) |
| 2.5.8 MCP的噪声特性 |
| 2.5.8.1 无输入信号时的噪声 |
| 2.5.8.2 有输入信号时的噪声 |
| 2.5.8.3 MCP的噪声因子N_F |
| 2.5.8.4 MCP的噪声因子对分辨率的影响 |
| 2.5.8.5 MCP的疵点和固定图像噪声 |
| 2.5.9 MCP的鉴别率 |
| 2.5.10 MCP的结构参数 |
| 2.6 MCP的应用 |
| 2.6.1 在微光夜视领域的应用 |
| 2.6.1.1 带有MCP的像增强器 |
| 2.6.1.2 微光像增强器的特性及主要参数 |
| 2.6.1.3 双平面近贴电子透镜的成像理论 |
| 2.6.1.4 微光像增强器的近期进展 |
| 2.6.2 在高分辨率、高亮度显像管、示波管中的应用 |
| 2.6.3 MCP光电倍增管和图像光子计数器 |
| 2.6.4 MCP在场离子显微镜中的应用 |
| 2.6.5 MCP在紫外线、X线探测和成像技术中的应用 |
| 本章小结 |
| 3 MCP的扩口理论模型 |
| 3.1 通用 MCP的理论模型 |
| 3.1.1 MCP的电流增益特性方程 |
| 3.1.2 MCP的空间分辨力 |
| 3.1.3 MCP的探测效率 |
| 3.1.4 MCP的噪声因子 |
| 3.1.5 MCP的动态范围 |
| 3.2 漏斗型 MCP的理论模型 |
| 3.2.1 扩口后 MCP的电流增益 |
| 3.2.2 扩口后 MCP的噪声因子 |
| 3.2.3 实例 |
| 3.3 结论 |
| 本章小结 |
| 4 扩口MCP测试系统设计 |
| 4.1 扩口MCP三维立体检测技术 |
| 4.1.1 共焦原理 |
| 4.1.2 激光共焦扫描显微镜的工作原理 |
| 4.1.3 扩口MCP三维立体检测系统 |
| 4.1.4 测试结果 |
| 4.2 扩口 MCP二维平面检测技术 |
| 4.2.1 MCP扩口平面检测系统组成及工作原理 |
| 4.2.2 MCP平面检测技术的数字图像处理 |
| 4.2.3 MCP孔径的计算 |
| 4.2.4 孔径测量的误差分析 |
| 本章小结 |
| 5 扩口工艺研究 |
| 5.1 MCP扩口方法及其理论依据 |
| 5.2 MCP扩口工艺步骤 |
| 5.3 扩口MCP实验和测试结果 |
| 5.4 扩口MCP制成的高性能像管的测试结果 |
| 本章小结 |
| 6 结束语 |
| 6.1 本论文的工作总结及取得的成果 |
| 6.2 本论文的创新点 |
| 6.3 有待进一步进行的工作 |
| 参考文献 |
| 攻读博士期间发表的论文 |
| 致谢 |
（10）微球板光电倍增管技术的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 光电倍增管的特点及应用 |
| 1.2 光电倍增管发展状况 |
| 1.3 本论文主要研究内容 |
| 第二章 光电倍增管基本原理及特性 |
| 2.1 光电效应的基本规律 |
| 2.2 二次电子发射基本原理 |
| 2.3 传统光电倍增管的结构和工作原理 |
| 2.4 微通道型光电倍增管的特性分析 |
| 2.5 微球板光电倍增管原理及特性 |
| 第三章 玻璃微珠制备技术的研究 |
| 3.1 制备玻璃微珠材料的选择与熔制 |
| 3.2 玻璃微珠的制备技术 |
| 3.3 玻璃微珠的分级技术研究 |
| 第四章 微球板制备技术的研究 |
| 4.1 微球板坯体压制成型实验和问题分析 |
| 4.2 微球板坯体烧结过程及分析 |
| 4.3 氢还原处理 |
| 4.4 端面金属电极的制备 |
| 第五章 微球板光电倍增管的初步设计 |
| 5.1 微球板光电倍增管整管结构设计 |
| 5.2 光电阴极的设计 |
| 5.3 微球板的参数特性 |
| 5.4 阳极结构的设计 |
| 5.5 微球板光电倍增管主要参数设计计算 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 长春理工大学硕士学位论文原创性声明 |
| 长春理工大学学位论文版权使用授权书 |
四、微球板电子倍增器（论文参考文献）
- [1]热解析光电离质谱方法学及在复杂基质样品中的应用研究[D]. 赵婉. 中国科学技术大学, 2020(01)
- [2]ALD法制备薄膜打拿极工艺及电学性能研究[D]. 郝志旭. 长春理工大学, 2019(01)
- [3]高分辨率硅微通道板基体制备技术[D]. 梁超. 长春理工大学, 2016(03)
- [4]硅微通道板电化学微加工等径控制技术研究[D]. 于丰源. 长春理工大学, 2014(08)
- [5]二维电子倍增器及其新技术研究[D]. 高延军. 长春理工大学, 2008(01)
- [6]质谱检测技术及其一些最新进展[J]. 李明,费强,冯国栋,陈焕文,姜杰,金伟,周建光,金钦汉. 仪器仪表学报, 2007(08)
- [7]微通道板特性参数测试系统研究[D]. 吴奎. 长春理工大学, 2007(03)
- [8]二维电子倍增技术研究[D]. 张博. 长春理工大学, 2006(02)
- [9]MCP扩口工艺的理论、实验与测试技术研究[D]. 傅文红. 南京理工大学, 2006(01)
- [10]微球板光电倍增管技术的研究[D]. 薄春卫. 长春理工大学, 2006(10)